Slkor-SLKORMICRO-Elec–SL4N65F

SL4N65  

N-CHANNEL MOSFET  

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS  

4A  

I

D  

650V  

2.6Ω  

18nC  

V

DSS  

Q

G  

R

用途  

APPLICATIONS  



高频开关电源  



电子整流器  



LED

电源  



High efficiency switch mode power supplies  



Electronic lamp ballasts based on half bridge  



LED power supplies  

产品特性  

FEATURES  



低栅极电荷  

1 Gate  



Low gate charge  



Low C

RSS

(typical 50pF)  



Fast switching  



低

C

RSS

(

典型值

50pF)  



开关速度快  

2 Drain  

3 Source  



100%

雪崩测试  



高抗

dv/dt

能力  



RoHS

产品  



100% avalanche tested  



Improved dv/dt capability  



RoHS product  

订货信息

ORDER MESSAGE  

订货型号  

印记  

封装  

无卤素  

包装  

器件重量  

Order codes  

Marking  

Package  

Halogen Free  

Packaging  

Device Weight  

SL4N65F  

SL4N65F  

TO-220FT  

IPAK  

否

NO  

否

NO  

否

NO  

条管

Tube  

条管

Tube  

条管

Tube  

2.2g(typ)  

0.35g(typ)  

0.3g(typ)  

SL4N65I  

SL4N65I  

SL4N65D  

DPAK  

SL4N65D  

1

SL4N65  

绝对值

ABSOLUTE RATINGS

(T

C

=25

℃

,unless otherwise specified)  

数值  

Ratings  

项目  

Parameter  

符号  

Symbol  

单位  

Unit  

IPAK  

DPAK  

650  

TO-220FT  

漏极－源极击穿电压  

Drain-Source Breakdown Voltage  

V

DSS  

I

D  

V

4

*  

A

A

T

C

=25

℃  

T

C

=100°

℃  

漏极连续电流  

Continuous Drain Current  

2.5

*  

漏极脉冲电流（注

1

）  

Drain Current pulsed

（

note 1

）  

最高栅源电压  

I

DM  

V

GSS  

E

AS  

16

*  

±30  

184  

15  

A

V

Gate-Source Voltage  

单脉冲雪崩能量（注

2

）  

mJ  

mJ  

V/ns  

Single Pulsed Avalanche Energy

（

note 2

）  

重复雪崩能量（注

1

）  

Repetitive Avalanche Current

（

note 1

）  

二极管反向恢复最大电压变化速率（注

3

）  

Peak Diode Recovery dv/dt

（

note 3

）  

E

AR  

dv/dt  

5

T

C

=25

℃  

157.1  

1.26  

144.4  

1.15  

23.3  

0.19  

W

耗散功率  

P

D  

Total Power Dissipation  

Derate above 25

℃  

W/

℃  

最高结温  

℃

℃

℃

T

J  

T

STG  

T

L  

150  

-55

～

+150  

300  

Operating Junction Temperature  

存储温度  

Storage Temperature  

焊接温度  

Maximum Temperature for Soldering Leads  

*

漏极电流由最高结温限制。  

* Drain current is limited by junction temperature.  

电特性

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

（

T

J

=25

℃

,unless otherwise specified

）  

项目  

符号  

测试条件  

最小值  

典型值  

最大值  

单位  

Parameter  

Symbol  

Test conditions  

Min  

Typ  

Max  

Unit  

断态特性

Off Characteristics  

漏－源击穿电压  

BV

DSS  

I

D

=250

μ

A, V

GS

=0V  

650  

–

–

–

–

V

Drain-Source Breakdown Voltage  

击穿电压温度特性  

I

D

=250

μ

A,  

referenced to 25

℃  

V/

℃  

ΔBV

DSS

/ΔT

J  

0.48  

Breakdown Voltage Temperature  

Coefficient  

V

DS

=650V,V

GS

=0V  

V

DS

=520V,T

C

=125

℃  

V

DS

=0V,V

GS

=30V  

–

–

–

–

–

–

1

μA  

μA  

nA  

漏源极漏电流  

I

DSS  

Drain-Source leakage Current  

50  

栅源极漏电流  

正向

Forward  

100  

I

GSS  

Gate-Source  

leakage current  

反向

Reverse  

V

DS

=0V,V

GS

=-30V  

–

–

-100  

nA  

2

SL4N65  

项目  

Parameter  

符号  

Symbol  

测试条件  

Test conditions  

最小值 典型值  

Typ  

最大值  

单位  

Unit  

Min  

Max  

通态特性

On Characteristics  

阈值电压  

Gate Threshold Voltage  

V

GS(th)  

R

DS(ON)  

g

FS  

V

DS

=V

GS

，

I

D

=250μA  

V

GS

=10V,I

D

=2A  

2.5  

–

–

2

–

4.5  

2.6  

–

V

Ω

S

静态导通电阻  

Static Drain-Source On-Resistance  

正向跨导  

Forward Transconductance  

V

DS

=30V,I

D

=2A(note 4)  

3.5  

动态特性

Dynamic Characteristics  

输入电容  

C

ISS  

C

OSS  

C

RSS  

–

–

–

531  

60  

–

–

–

Input capacitance  

输出电容  

V

DS

=25V,V

GS

=0V,  

pF  

f=1MH  

B

Z

B

Output capacitance  

反向传输电容  

50  

Reverse transfer capacitance  

开关特性

Switching Characteristics  

导通延迟时间  

Turn on delay time  

上升时间  

t

d(ON)  

t

r  

t

d(off)  

t

f  

–

–

–

–

–

–

–

11  

26  

42  

27  

18  

3

–

–

–

–

–

–

–

V

DD

=325V,I

D

=4A,  

R

G

=25Ω  

（

note 4

，

5

）  

Rise time  

ns  

关断延迟时间  

Turn off delay time  

下降时间  

Fall time  

栅极电荷总量  

Total Gate Charge  

栅－源电荷  

Gate-Source charge  

栅－漏电荷  

Q

G  

Q

GS  

Q

GD  

V

DS

=520V,I

D

=4A,  

V

GS

=10V  

（

note 4

，

5

）  

nC  

9

Gate-Drain charge  

源

–

漏二极管特性

Source-Drain Diode Characteristics  

正向连续电流  

Continuous Forward Current  

I

S  

–

–

–

–

–

–

–

4

16  

1.5  

–

A

A

正向脉冲电流  

Pulsed Forward Current  

I

SM  

V

SD  

正向压降  

Forward Voltage  

V

GS

=0V,I

S

=4A  

–

V

反向恢复时间  

Reverse recovery time  

t

rr  

229  

1.6  

ns  

μC  

V

GS

=0V,I

S

=4A,  

dI

F

/dt=100A/

μ

s  

(note 4)  

反向恢复电荷  

Reverse recovery charge  

Q

rr  

–

3

SL4N65  

热特性

THERMAL CHARACTERISTICS  

最大值  

Max  

项目  

Parameter  

符号  

Symbol  

单位  

Unit  

IPAK  

0.8  

DPAK  

0.87  

TO-220FT  

结到管壳的热阻  

Thermal Resistance,Junction to Case  

℃

/W  

℃

/W  

R

th(j-c)  

5.36  

48.7  

结到环境的热阻  

Thermal Resistance,Junction to Ambient  

R

th(j-a)  

81.4  

79.6  

Notes:  

注:  

1:Pulse width limited by maximum junction temperature  

2:L=22.8mH, I

AS

=4A, V

DD

=50V, R

G

=25 Ω,Starting  

T

J

=25

℃  

1:脉冲宽度由最高结温限制  

2:L=22.8mH, I

AS

=4A, V

DD

=50V, R

G

=25

Ω

,起始结  

温 T

J

=25℃  

3:I

SD

≤4A,di/dt ≤100A/μs,V

DD

≤BV

DSS

, Starting  

T

J

=25

℃  

3:I

SD

≤4A,di/dt ≤100A/μs,V

DD

≤BV

DSS

,起始结温  

T

J

=25℃  

4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2

％  

5:Essentially independent of operating temperature  

4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％  

5:基本与工作温度无关  

4

SL4N65  

特征曲线

TYPICAL CHARACTERISTICS

 

(curves)  

Fig.2. On-resistance variation vs.  

drain current and gate voltage  

Fig.1. On-state Characteristics  

Fig.4. On state current vs.  

Diode forward voltage  

Fig.3. Gate charge characteristics  

Fig.5. Breakdown voltage variation vs.  

Junction temperation  

Fig.6. On resistance variation vs.  

Junction temperature  

5

SL4N65  

Fig.7. Maximum safe operating  

area(TO-220FT)  

Fig.8. Transient thermal response  

curve(TO-220FT)  

Fig.9. Maximum safe operating area(IPAK)  

Fig.10. Transient thermal response  

curve(IPAK)  

Fig.11. Maximum safe operating  

area(DPAK)  

Fig.12. Transient thermal response  

curve(DPAK)  

6

SL4N65  

Fig.13. Capacitance characteristics  

Fig.14. Gate charge test circuit & waveform  

Fig.15. Switching time test circuit & waveform  

7

SL4N65  

Fig.16. Unclamped inductive switching test circuit & waveform  

Fig.17. Peak diode recovery dv/dt test circuit & waveform  

8

SL4N65  

外形尺寸

PACKAGE MECHANICAL DATA  

TO-220FT  

IPAK  

9

SL4N65  

DPAK  

10