Infineon-Technologies-FF600R12KE4
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 600A / I
CRM
= 1200A
TypischeꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• NiedrigeꢀSchaltverluste
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT
vjꢀop
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• NiedrigesꢀV
CEsat
• LowꢀV
CEsat
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• Unbeatableꢀrobustness
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLeistungsdichte
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀdensity
• IsolierteꢀBodenplatte
• Isolatedꢀbaseꢀplate
• Standardgehäuse
• Standardꢀhousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
1200
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,20
2,00
2,05
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 23,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,25 5,80 6,35
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
5,00
1,3
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
38,0
1,40
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,17
0,18
0,18
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,046
0,048
0,052
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,40
0,49
0,52
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,062
0,098
0,11
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (T
vj
= 150°C
)
T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
16,0
29,5
35,5
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,62
Ω
T
vj
= 25°C
45,5
70,0
78,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
2600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,0460 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0226
K/W
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
1200
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
35000
33000
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,85 2,45
1,80
1,75
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 600 A, – di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
535
655
680
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 600 A, – di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
50,5
94,0
110
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 600 A, – di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
27,0
48,5
54,5
mJ
mJ
mJ
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,0929 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0303
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
29,0
23,0
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
23,0
11,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
20
nH
m
Ω
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
R
CC’+EE’
0,42
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
3,00
2,5
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
–
Gewicht
Weight
G
340
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
1200
1100
1000
900
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
1200
1100
1000
900
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
800
800
700
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
1200
1100
1000
900
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ0.62ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ0.62ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
150
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
140
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
6
7
8
9
10
11
12
13
0
200
400
600
I
C
[A]
800
1000
1200
V
GE
[V]
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
180
0,1
E
on
, T
vj
= 125°C
170
Z
thJC
: IGBT
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
160
150
140
130
120
110
100
90
0,01
80
70
60
50
i:
r
i
[K/W]: 0,00222
0,00379 0,0361 0,00388
τ
i
[s]: 0,000608
0,00922 0,0552 0,812
1
2
3
4
40
30
20
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ0.62ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
1400
1200
I
C
, Modul
I
C
, Chip
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ0.62ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
80
80
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
I
F
[A]
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
7
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
0,1
Z
thJC
: Diode
0,01
i:
r
i
[K/W]: 0,00594 0,0388 0,0365 0,0117
τ
i
[s]: 0,00073
0,0256 0,0726 0,678
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
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InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
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preparedꢀby:ꢀCE
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-08-08
revision:ꢀV2.2
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