NTE-ELECTRONICS–INC–NTE54004
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NTE54000 thru NTE54004
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amp, TO220
Description:
The NTE54000 thru NTE54004 are half
−
wave, unidirectional, gate
−
controlled silicon controlled
rectifiers (SCR) packaged in a TO220 type case featuring glass
−
passivated junctions to ensure long
−
term reliability and perimeter stability.
Features:
D
High Voltage Capability
D
High Surge Capability
D
Glass
−
Passivated Chip
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C, 60Hz with a resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off
−
State Voltage, V
DRM
NTE54000 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE54001 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE54002 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE54003 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE54004 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Repetitive Peak Reverse Voltage, V
RRM
NTE54000 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE54001 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE54002 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE54003 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
NTE54004 .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
RMS On
−
State Current, I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55A
On
−
State Current, I
T(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35A
Peak Surge (Non
−
Repetitive) On
−
State Current (More than One Full Cycle), I
TSM
50Hz .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
60Hz .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A
Peak Gate Current (10
μ
s Max), I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4A
Peak Gate
−
Power Dissipation (10
μ
s Max), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40W
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
800mW
Peak On
−
State Voltage (at Max. Rated RMS Current, T
C
= +25
°
C), V
TM
. . . . . . . . . . . . . . . . .
1.8V
RMS Surge (Non
−
Repetitive) On
−
State Current for Fusing (8.3ms), I
2
t .
. . . . . . . . . . . . . 1750A
2
sec
Lead
T
e
mperature (During soldering, 1/16” from case, 10sec max), T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . +230
°
C
Operating
T
e
mperature Range,
T
oper
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +125
°
C
Storage
T
e
mperature Range,
T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−
40
°
to +150
°
C
Typical Thermal Resistance, Junction
−
to
−
Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.5
°
C/W
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
& V
= Max Rating,
DRM RRM
Min Typ Max
Unit
Peak Off
−
State Current
I
,
V
DRM
NTE54000, NTE54001, NTE54002
−
−
−
−
−
−
−
−
1.0 mA
1.5 mA
5.0 mA
I
T =
+100
°
C
C
RRM
NTE54003
NTE54004
DC Holding Current
I
H
Initial On
−
State Current = 400mA,
Gate Open
60
mA
DC Gate Trigger Current
DC Gate Trigger Voltage
I
V =
12V, R
= 30
Ω
5
−
−
40
mA
V
GT
D
L
V
V =
12V, R
= 30
Ω
, T
= +25
°
C,
−
1.5
GT
D
L
C
Note 1
Gate Controlled Turn
−
On Time
t
I
= 150mA, Min. Width = 15
μ
s,
−
−
−
−
2.5
35
μ
s
μ
s
gt
GT
Rise Time
≤
0.1
μ
s
Circuit Commutated Turn
−
Off Time
t
I =
2A, I
= 200mA at Turn
−
On,
q
T
GT
Pulse Duration = 50
μ
s, dv/dt = 20V/
μ
s,
di/dt =
−
30A/
μ
s
Critical Rate of Rise of Off
−
State Voltage
Max Rate of Rise of On
−
State Current
dv/dt
di/dt
T =
+100
°
C
500
−
−
−
V/
μ
s
C
I
= 150mA, Rise Time
≤
0.1
μ
s
−
175 A/
μ
s
GT
Note 1.
Minimum non
−
trigger V
GT
at +125
°
C is 0.2
V
.
.420 (10.67)
Max
.110 (2.79)
T
a
b
.147 (3.75)
Dia Max
.500
(12.7)
Max
.250
(6.35)
Max
.500
(12.7)
Min
.070 (1.78) Max
Cathode
Gate
Anode/
T
a
b
.100 (2.54)
