amsem-MMBT5401

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MMBT5401
TRANSISTOR(PNP)  
SOT-23
贴片塑封三极管  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors  
SOT-23  
特
征
Features  
与
MMBT5551
配对
; Complementary to MMBT5551  
最大功率耗
散
300mW; Power Dissipation of 300mW  
高稳定性和可靠性。
High Stability and High Reliability  
机械数
据
Mechanical Data  
封装
: SOT-23
封
装
SOT-23 Small Outline Plastic Package  
环氧树
脂
UL
易燃等
级
Epoxy UL: 94V-0  
Marking: 2L  
安装位置
:
任
意
Mounting Position: Any  
极限值和温度特性
(
TA = 25
℃
除非另有规定
)  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(
Ratings at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified.)  
参数
Parameters  
符
号
Symbol  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I
C  
数
值
Value  
-160  
单
位
Unit  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter -Base Voltage  
-150  
-5  
V
Collector Current-Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction
T
e
mperature  
-600  
mA  
mW  
℃
P
C  
300  
T
j  
150  
Storage
T
e
mperature  
T
s
tg  
-55-+150  
416  
℃
Thermal resistance From junction to ambient  
R
θJA  
℃
/W  
电特性
(
TA = 25
℃
除非另有规定
)  
Electrical Characteristics
(
Ratings at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified).  
界
限
Limits  
参数  
Parameter  
符号  
Symbols  
测试条件  
Test Condition  
单位  
Unit  
Min  
-160  
-150  
-5  
Max  
V
(BR)CBO  
V
(BR)CEO *  
V
(BR)EBO  
I
CBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
I
C
=-100uA, I
E
=0  
I
C
=-1mA, I
B
=0  
I
E
=-10uA, I
C
=0  
V
CB
=-120V, I
E
=0  
V
V
V
nA  
nA  
-100  
-100  
I
EBO  
Emitter cut-off current  
V
EB
=-4V, I
C
=0  
h
FE(1)
*  
h
FE(2)
*  
h
FE(3)
*  
V
CE(sat)1 *  
V
CE(sat)2 *  
V
BE(sat)1 *  
V
BE(sat)2 *  
f
T  
V
CE
=-5V, I
C
=-1mA  
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA  
V
CE
=-5V, I
C
=-50mA  
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA  
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA  
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA  
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA  
V
CE
=-5V, I
C
=10mA,f=30MHz  
80  
100  
30  
DC current gain  
300  
-0.2  
-0.5  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
-1.00  
-1.00  
V
V
MHz  
Base -emitter saturation voltage  
Transition frequency  
100  
*Pulse test: pulse width
≤
300us, duty cycle
≤2.0%  
CLASSIFICATION OF h
FE(2)  
HFE  
RANK  
RANGE  
100-300  
L
H
100-200  
200-300  
Document Number:804051  
Revision:18-Oct-19  
安徽安
美
半
导
体
有限公司  
A n
 
h
ui A
 
nm ei
 
Sem
i
c
o
ndu
c
t
o
r
 
C o
.
,
L
t
d
.  
1

MMBT5401  
Typical characteristics  
Document Number:804051  
Revision:18-Oct-19  
安徽安
美
半
导
体
有限公司  
A n
 
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C o
.
,
L
t
d
.  
2

MMBT5401  
SOT-23 PACKAGE OUTLINE
Plastic surface mounted package  
焊盘设计参考
Precautions: PCB Design  
Recommended land dimensions for SOT-23 diode. Electrode patterns for PCBs  
Document Number:804051  
Revision:18-Oct-19  
安徽安
美
半
导
体
有限公司  
A n
 
h
ui A
 
nm ei
 
Sem
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c
o
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r
 
C o
.
,
L
t
d
.  
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