-DIOTEC-DI050N06D1
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DI050N06D1
DI050N06D1
I
D25°C
= 50 A
R
DS(on)
< 11 mΩ
V
DSS
= 65 V
P
D
= 42 W
E
AS
= 36 mJ
N-Channel Power MOSFET
N-Kanal Leistungs-MOSFET
T
jmax
= 150°C
Version 2023-08-23
TO-252AA
Typical Applications
DC/DC Converters
Power Supplies
Typische Anwendungen
Gleichstrom-Wandler
D-PAK
Stromversorgungen
DC Drives
Gleichstrom-Antriebe
Synchronous Rectifiers
Commercial / industrial grade
Synchron-Gleichrichter
Standardausführung
1
2
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert
1
)
3
Features
Besonderheiten
Advanced Trench Technologie
Logic Level Gate-Ansteuerung
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltzeiten
4
Advanced Trench Technology
Logic Level Gate Drive
Low on state resistance
Fast switching times
Low gate charge
SPICE
Model &
STEP
File
1
)
Halogen
Niedrige Gate-Ladung
Avalanche-Charakteristik
FREE
Avalanche rated
S
Compliant to RoHS (exemp. 7a),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Konform zu RoHS (Ausn. 7a)
REACH, Konfliktmineralien
1
)
E
V
Mechanical Data
1
)
Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled
2500 / 13“
0.32 g
Gegurtet auf Rolle
Marking Code
6N110
Weight approx.
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL 1
Gehäusematerial
Type/Typ
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
HS Code
85412900
Grenzwerte
2
)
DI050N06D1/-Q/-AQ
Drain-Source voltage
Drain-Source-Spannung
V
GS
= 0 V (short)
V
DSS
V
GSS
P
tot
65 V
± 20 V
42 W
Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd
Power dissipation
Verlustleistung
T
C
= 25°C
)
Drain current continous
T
C
= 25°C
3
)
I
D
50 A
Drainstrom dauernd
Drain current continous
T
C
= 100°C
3
)
I
D
I
DM
I
S
30 A
160 A
20 A
Drainstrom dauernd
)
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
Source current continous
Sourcestrom dauernd
T
C
= 25°C
3
)
Peak Source current – Source-Spitzenstrom
V
GS
= 0 V, t
p
= 10 s
I
SM
E
AS
30 A
Single pulse avalanche energy
(Fig. 1)
V
DD
= 30 V, V
G
= 10 V
L = 0.5 mH, R
G
= 25 Ω
36 mJ
Einzelpuls Avalanche-Energie
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55…+150°C
-55…+150°C
1
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
1
2
3
Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm
© Diotec Semiconductor AG
1
DI050N06D1
Characteristics (static)
Kennwerte (statisch)
T
j
= 25°C
V
(BR)DSS
I
DSS
Min.
65 V
–
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchdivnung
I
D
= 250 µA
V
GS
= 0 V (short)
–
–
–
–
–
Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom
V
DS
= 52 V
V
GS
= 0 V (short)
1 µA
Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom
V
GS
= ±20 V
V
DS
= 0 V (short)
I
GSS
–
± 100 nA
2.5 V
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwelldivnung
V
GS
= V
DS
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
D
= 250 µA
V
GS(th)
1.2 V
–
–
8.5 mΩ
–
11 mΩ
16 mΩ
R
DS(on)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8
A
Characteristics (dynamic)
Kennwerte (dynamisch)
T
j
= 25°C
g
FS
Min.
13 S
–
Typ.
Max.
Forward Transconductance – Übertragungssteilheit
V
DS
= 5 V
Input Capacitance – Eingangskapazität
V
DS
= 30 V
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
Output Capacitance – Ausgangskapazität
V
DS
= 30 V
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
V
DS
= 30 V
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit
I
D
= 5 A
–
–
–
–
–
C
iss
825 pF
290 pF
15 pF
C
oss
–
C
rss
–
t
d(on)
t
r
10 ns
16 ns
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V
R
G
= 4.7 Ω
(Fig. 1)
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7 Ω
(Fig. 1)
–
–
–
–
t
d(off)
t
f
9 ns
2 ns
Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung
V
DD
= 30 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
Gi
–
–
–
–
14 nC
2.6 nC
2.8 nC
–
–
–
f = 1 Mhz
D open
2 Ω
R
–
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig. 1
V
DS
R
G
V
DD
T
e
st circuit for switching
times (R) and avalanche
energy (L)
(“rise“ and “fall“ refer to I
D
)
T
e
staufbau für Schaltzeiten (R)
und Avalanche-Energie (L)
(“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I
D
)
I
D
90%
10%
V
GS
V
DS
L
V
GS
2
© Diotec Semiconductor AG
DI050N06D1
Characteristics (diode)
Kennwerte (Diode)
T
j
= 25°C
Min.
Typ.
Max.
1.2 V
–
Forward voltage – Durchlass-Spannung
V
GS
= 0 V
Reverse recovery time – Sperrverzugszeit
I
S
= 10 A,
di/dt = -100 A/µs
Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung
I
S
= 10 A,
di/dt = -100 A/µs
I
S
= 1 A
V
SD
–
–
–
–
t
rr
17 ns
6.5 nC
Q
rr
–
Characteristics (thermal)
Kennwerte (thermisch)
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
R
thC
R
thA
–
–
3 K/W
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
–
–
Dimensions – Maße [mm]
1
Mounted on P.C. board with 6.45 cm
2
copper pad per terminal
Montage auf Leiterplatte mit 6,45 cm
2
Kupferbelag je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
3
DI050N06D1
60
60
200
[A]
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
[A]
V
DS
= 5V
[A]
50
40
50
40
30
20
160
120
80
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
30
20
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
T
j
=
1
25°C
40
10
I
D
T
j
=
2
5°C
10
I
D
I
D
0
0
0
1.0 V
GS
2.0
3.0
4.0 [V]
5.0
0
1
2
3
[V]
4
V
DS
0
T
C
50
100
150
[°C]
T
y
pical transfer characteristics
T
y
pische Übertragungskennlinien
Typical output characteristics
Typische Ausgangskennlinien
Drain current versus case temperature
Drain-Strom in Abh. von d. Gehäusetemp.
10
2
[A]
I
D
= 250µA
2.0
1.8
1.6
1.4
T
j
=
1
25°C
1.0
0.9
0.8
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
10
1
V
GS
= 4.5V
I
D
= 8A
0.7
a
1.2
a
T
j
=
2
5°C
I
SD
1
1.0
0.6
-25 T
j
25 50 75 100
Normalized On Resistance (a) vs Tj
Normierter Einschaltwiderstand (a) über Tj
[°C] 175
-25 T
j
25 50 75 100
[°C] 175
0.4 V
SD
0.8 1.0 1.2
1.4 [V]
1.8
Normalized Gate Threshold Voltage (a) vs Tj
Normierter Gate-Schwelldivnung (a) über Tj
Typical Source-Drain diode characteristics
Typische Kennlinien der Source-Drain Diode
1
t
p
=
10µs
10
2
0.5
0.3
R
D
S
(on)
lim it
[A]
10
100µs
0.1
10
-1
0.05
0.02
1m s
D=t
p
/T
10m s
1
Z
thC
D
0
0
t
p
1
0
-1
T
DC
10
-2
T
j
=
150°C
25°C
10
-5
[s]
10
-4
1
0
-3
10
-2
[t
p
]
1
I
D
T
C
=
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
0.1
10
2
0.1
V
DS
10
1
[V]
Safe operating area for single pulses
Sicherer Arbeitsbereich für Einzelpulse
4
© Diotec Semiconductor AG
All rights reserved
Alle Rechte vorbehalten
The information presented in our data sheets and other docu-
ments is to the best of our knowledge true and accurate. It de-
scribes the type of component or application and shall not be
considered as assured characteristics. No warranty or guaran-
tee, expressed or implied is made regarding the capacity, deliv-
ery, performance or suitability of any product or circuit etc, nei-
ther does it convey any license under the patent rights of oth-
ers. Diotec reserves the right to make changes without further
notice. However, regular updating of all product information is
provided on our website
1
). All Diotec products are sold and
shipped subject to our “Standard Terms and Conditions of Busi-
Die Angaben in unseren Datenblättern und sonstigen Dokumen-
ten sind nach bestem Wissen gemacht. Sie dienen jedoch allein
der Beschreibung und sind nicht als zugesagte Eigenschaften im
Rechts-Sinne zu verstehen. Es wird keine Gewähr bezüglich Lie-
fermöglichkeit, Ausführung oder Einsatzmöglichkeit der Bauele-
mente übernommen, noch dass die angegebenen Bauelemente,
Baugruppen, Schaltungen etc. frei von Schutzrechten sind.
Wir behalten uns Änderungen der aufgeführten Daten ohne vor-
herige Ankündigung vor. Alle Änderungen werden jedoch regel-
Lieferung von Diotec-Produkten erfolgt gemäß unseren “Allge-
kumente ist nur mit schriftlicher Genehmigung des Vorstandes
der Diotec Semiconductor AG gestattet.
2
ness” ).
The reproduction of all documents is prohibited with-
out the expressed written permission of Diotec Semiconductor
AG’s Managing Board.
Disclaimer
Haftungsausschluss
1.
All products described or contained are designed and intend-
ed for use in standard applications, so called commercial/indus-
trial grade, requiring an ordinary level of reliability.
1.
Alle beschriebenen oder enthaltenen Produkte sind für den
Gebrauch in Standardanwendungen mit einem gewöhnlichen
Zuverlässigkeitsniveau entworfen und bestimmt, bekannt als
kommerziell/industrielle Anwendungen.
2.
Some products are available with the special grades “AEC-
Q101 compliant” respectively “AEC-Q101 qualified”. These are
intended for applications up to ASIL B, but not for ASIL C or D
3
).
2.
Einige Produkte sind mit den speziellen Qualifikationen „AEC-
Q101 konform“ oder „AEC-Q101 qualifiziert“ erhältlich. Diese
sind für Anwendungen bis maximal ASIL B bestimmt, nicht aber
3.
Customers using these parts in applications requiring a spe-
cial or specific grade of quality or reliability, such as (but not
limited to) life supporting medical, defence, aerospace, sub-
marines, nuclear power etc, are obliged to validate whether the
use in such cases is appropriate. Usage in medical devices is
limited to applications with maximum class I according to Regu-
lation (EU) 2017/745.
3.
Falls diese Produkte in Anwendungen verwendet werden sol-
len, die einen besonderen Grad der Qualität oder Zuverlässig-
keit erfordern, z. B. (aber nicht begrenzt auf) lebenserhaltende
Medizintechnik, Verteidigung, Luft- und Raumfahrt, Unterwas-
serfahrzeuge, Nukleartechnik etc. ist der Anwender verpflichtet
sicherzustellen, dass der beabsichtigte Gebrauch des vorgese-
henen Produktes unbedenklich ist. Die Anwendung in Medizin-
produkten ist für Anwendungen mit höchstens Klasse I gemäß
Verordnung (EU) 2017/745 zulässig.
Usage in all such cases is on the own and sole risk of the cus-
tomer.
Der Gebrauch für alle solche Anwendungen erfolgt auf eigenes
und ausschließliches Risiko des Anwenders.
4.
If these products are to be used in applications requiring a
special or specific grade of quality or reliability (refer to item
3.), in which failure or malfunction of the product may directly
affect human life or health, user shall contact in advance Diotec
Semiconductor AG’s Managing Board (Heitersheim, Germany) to
confirm that the intended use of the product is appropriate.
4.
Falls diese Produkte in Anwendungen verwendet werden sol-
len, die einen besonderen Grad der Qualität oder Zuverlässig-
keit erfordern (siehe Punkt 3.), insbesondere wenn durch Aus-
fall oder eine Störung des Produktes menschliches Leben oder
Gesundheit direkt beeinflusst werden kann, muss im Voraus der
Vorstand der Diotec Semiconductor AG (Heitersheim, Deutsch-
land) bestätigen, dass der beabsichtigte Gebrauch des vorgese-
henen Produktes unbedenklich ist.
5.
Although Diotec continuously enhances the quality and relia-
bility of its products, customers must incorporate sufficient safe-
ty measures in their designs, such as redundancy, fire contain-
ment, and anti-failure, so that personal injury, fire or environ-
mental damage can be prevented. Diotec excludes explicitly ev-
ery implied warranty or liability regarding the fitness of the
products to any other than standard applications.
5.
Obwohl Diotec die Qualität und die Zuverlässigkeit seiner
Produkte beständig erhöht, müssen Kunden ausreichende Si-
cherheitsvorkehrungen in ihren Designs vornehmen – wie Red-
undanz, Feuereindämmung und Ausfallschutz – damit Perso-
nenschäden, Feuer oder Umweltschädigung verhindert werden
können. Diotec schließt ausdrücklich jede implizierte Garantie
oder Verbindlichkeit aus, welche die Eignung der Produkte zu ir-
gendwelchen anderen als Standardanwendungen betrifft.
6.
Alle Informationen, die hier beschrieben oder enthalten sind,
können jederzeit ohne jede Benachrichtigung geändert werden.
Vor Einsatz eines Diotec Produktes in irgendeiner Anwendung
sind bei Diotec die neuesten Informationen einzuholen.
7.
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est information before incorporating Diotec products into any
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mation must not be used for any other purpose.
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In the event that any product described or contained herein
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Bundesamt für Wirtschaft und Ausfuhrkontrolle, Germany, this
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cense from the Bundesministerium für Wirtschaft und Technolo-
gie, Germany in accordance with the valid laws.
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Beschränkungen fallen, die durch das deutsche Bundesamt für
Wirtschaft und Ausfuhrkontrolle geregelt werden, darf dieses
Produkt in Übereinstimmung mit den gültigen Gesetzen nicht
ohne Exportgenehmigung vom deutschen Bundesministerium
für Wirtschaft und Technologie exportiert werden.
1
2
3
Refer data book or http://diotec.com/ “Company”
–
Siehe Datenbuch oder http://diotec.com/ „Unternehmen“
© Diotec Semiconductor AG
Disclaimer
