FH–Guangdong-Fenghua-Advanced-Tech-FHS3906-ME
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FHS3906-ME
PNP Transistor
描述 DESCRIPTIONS
SOT-23 塑封封装 PNP 三极管。PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
应用 APPLICATIONS
常规应用、开关电路。General purpose application,switching.
引脚说明 PIN ASSIGNMENT
1
2
3
BASE
EMITTER
COLLECTOR
内部等效电路 Equivalent
Circuit
型号构成 Name rule
基本名称
Name
辅助识别代码
Additional code
第一部分
Part 1
品牌
第二部分
Part 2
第三部分
Part 3
第四部分
Part 4
分档
第五部分
第六部分
Part 6
第七部分
Part 7
Part 5
分隔号
产品类别
Type
产品型号
Model
封装代码
Package
附加码（备用）
Extra-code
E：ROHS
Brand
Value
Separatrix
“—”
M: SOT-23
G: 绿色封装
Green Package
FH
S
：
开
关三极管
3906
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版本：1
FHS3906-ME
PNP Transistor
额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC=25°C unless otherwise noted)
特性参数
符号
额定值
单位
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
集电极-基极电压
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
-40
-40
V
V
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
-5
V
Emitter-Base Voltage
集电极电流
-200
-800
225
mA
mA
mW
℃
Collector Current
集电极电流-峰值
I
CM
Collector Current – Peak
集电极耗散功率
P
C
Collector Power Dissipation
结温
Tj
150
Junction
T
e
mperature
储存温度
Tstg
﹣55~150
℃
Storage
T
e
mperature
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版本：1
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PNP Transistor
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25℃ unless
otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)
特性参数
CHARACTERISTIC
符号
测试条件
最小值
MIN.
典型值
TY
P
.
最大值
MAX.
单位
SYMBOL
TEST CONDITIONS
UNIT
集电极-基极反向击穿电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极反向击穿电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极反向击穿电压
Emitter-Base Breakdown Voltage
基极截止电流
BVCBO
BVCEO
BVEBO
I
BL
Ic= -0.01mA，IE=0
Ic= -1mA，IB=0
-40
-40
-5
V
V
IE= -0.01mA，Ic=0
V
CE
= -30V，V
EB
=-3V
V
CE
= -30V，V
EB
=-3V
V
-0.05
-0.05
μA
μA
Base Cut-off Current
集电极截止电流
I
CEX
Collector Cut-off Current
IC = -0.1 mA, VCE = -1.0 V
IC = -1.0 mA, VCE = -1.0 V
IC = -10 mA, VCE = -1.0 V
IC = -50 mA, VCE = -1.0 V
IC = -100 mA, VCE = -1.0 V
60
80
直流电流增益
H
FE
100
60
300
DC Current Gain（Note *）
30
集电极-发射极饱和压降
Collector-Emitter Saturation
Voltage（Note *）
基极-发射极饱和压降
Base-Emitter Saturation Voltage
（Note *）
Ic= -10mA，IB= -1mA
Ic= -50mA，IB=- 5mA
Ic= -10mA，IB= -1mA
Ic= -50mA，IB=- 5mA
-0.25
-0.4
VCE(sat)
VBE(sat)
V
V
-0.65
250
-0.85
-0.95
电流增益-带宽乘积
Gain Bandwidth Product
共基极输出电容
Collector Output Capacitance
噪声系数
fT
Cob
NF
td
Ic= -10mA，VCE= -20V
MHz
PF
VCB= -5
V
,
I
E=0,
f = 1MHz
4.5
4
VCE=-5
V
,IC=-0.1mA,
f=15.7KHz, Rg=1KΩ
dB
Noise factor
延迟时间
VCC =- 3.0 V,
VBE = -0.5
V
,
IC = -10 mA,
IB1 = -1.0 mA
35
35
225
75
Delay Time
上升时间
tr
Rise Time
ns
存储时间
VCC = -3.0 V,
IC = -10 mA,
IB1 = IB2 = -1.0 mA
ts
Storage Time
下降时间
tf
Fall Time
Note *: Pulse
T
e
st: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
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版本：1
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PNP Transistor
典型特性 TYPICAL CHARACTERISTICS
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PNP Transistor
外形尺寸 DIMENSION
A
B
C
D
2.40±0.10
1.30±0.10
0.55±0.10
0.40±0.05
E
F
1.90 REF
2.90±0.10
1.00±0.10
0.40
-0.05
I
5°
M
N
O
0-0.1
J
K
L
0.10
+0.05
0.2 MIN
0.08±0.02
7°
7°
G
H
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PNP Transistor
打标 DEVICE MARKING
TYPE NAME
DATE CODE
FHS3906-ME
100~300
2A
TYPE
h
FE
MARK
包装信息 PACKAGE INFORMATION
材料名称
Material Name
卷盘
颜色
Color
蓝色
尺寸
Size
数量
备注
Quantity
Note
7＂*8mm
3K/Reel
Reel
Blue
内盒
黄色
30K/盒（10 盘/盒）
30K/Case（10 Reel/ Case）
180K/箱（6 盒/箱）
185*185*140mm
460*400*210mm
OHO2
OXO2
Inner Case
外箱
Yellow
黄色
Outer Box
Yellow
180K/Box（6 Case/Box）
贴卷盘、内盒、外箱
Label on reel、inner case、
outer box
标签
白色
68*40mm
——
Label
White
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版本：1
