FOSAN-2SA812

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FOSAN-2SA812
安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  
2SA812  
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值  
Characteristic
特性參數  
Symbol
符號  
Rating
額定值  
Unit
單位  
Collector-Emitter Voltage  
集電極
–
發射極電壓  
V

CEO  

-50  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
集電極
–
基極電壓  
V

CBO  

V

EBO  

-60  
Vdc  
Vdc  
Emitter-Base Voltage  
發射極
–
基極電壓  
-5.0  
Collector Current—Continuous  
集電極電流
–
連續  
Ic  
-100  
mAdc  
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Total Device Dissipation
總耗散功率  
FR-5 Board(1)  
225  
mW  
P
D
T
=
25
℃環境溫度爲
25
℃  
A
1.8  
mW/
℃  
Derate above25
℃ 超過
 
25
℃遞減  
Total Device Dissipation
總耗散功率  
300  
mW  
P
D

Alumina Substrate

氧化鋁襯底

,(2)T

=

25

℃  

A
2.4  
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減  
mW/
℃  
℃
/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
熱阻  
R

Θ  

417  
JA  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲存溫度  
T

J

,
T

stg  

-55to+150
℃  
■
DEVICE MARKING
 
打標  
2SA812=M4-M7  
H

FE

:90-180=M4 135-270=M5 200-400=M6 300-600=M7  

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■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性  
(T

A

=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25
℃
)  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Min  
最小值  
Type  
典型值 最大值 單位  
Max  
Unit  
■
OFF CHARACTERISTICS
截止電特性  
Emitter Cutoff Current  
發射極截止電流
(V

EB

=-5.0v,I

C

=0)  
I
—
—
—
—
—
-0.1  
-0.1  
-0.3  
μ
A  
μ
A  
Vdc  
Vdc  
EBO  
Collector Cutoff Current  
集電極截止電流
(V

CB

=-60v,I

E

=0)  
I
CBO  
Collector Saturation Voltage  
集電極飽和壓降
(Ic=-100mAdc,I

B

=-10mA)  
V

CE(sat)  

-0.18  
Base to Emitter Voltage  
基極
–
發射極電壓
(V

CE

=-6.0v,I

C

=-1.0mA)  
V
-0.62  
200  
-0.68  
600  
-0.58  
90  
BE  
DC Current Gain
直流電流增益  
(V

CE

=-6.0v,I

C

=-1.0mA)  
H

FE  

Gain Bandwidth Product  
增益帶寬乘積
(V

CE

=-6.0v,I

C

=-1.0mA)  
-180  
4.5  
—
—
f
—
—
MHz  
pF  
T
Output Capacitance  
輸出電容
(V

CB

=-10v,I

E

=0,f=1.0MHz)  
C
ob  
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

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2SA812  
■
DIMENSION
外形封裝尺寸  
單位
(UNIT)
:
mm