FOSAN-2SA812
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安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
2SA812
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Emitter Voltage
集電極
–
發射極電壓
V
CEO
-50
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極
–
基極電壓
V
CBO
V
EBO
-60
Vdc
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極
–
基極電壓
-5.0
Collector Current—Continuous
集電極電流
–
連續
Ic
-100
mAdc
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Total Device Dissipation
總耗散功率
FR-5 Board(1)
225
mW
P
D
T
=
25
℃環境溫度爲
25
℃
A
1.8
mW/
℃
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減
Total Device Dissipation
總耗散功率
300
mW
P
D
Alumina Substrate
氧化鋁襯底
,(2)T
=
25
℃
A
2.4
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減
mW/
℃
℃
/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
R
Θ
417
JA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
T
J
,
T
stg
-55to+150
℃
■
DEVICE MARKING
打標
2SA812=M4-M7
H
FE
:90-180=M4 135-270=M5 200-400=M6 300-600=M7
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2SA812
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25
℃
)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Type
典型值 最大值 單位
Max
Unit
■
OFF CHARACTERISTICS
截止電特性
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
(V
EB
=-5.0v,I
C
=0)
I
—
—
—
—
—
-0.1
-0.1
-0.3
μ
A
μ
A
Vdc
Vdc
EBO
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
(V
CB
=-60v,I
E
=0)
I
CBO
Collector Saturation Voltage
集電極飽和壓降
(Ic=-100mAdc,I
B
=-10mA)
V
CE(sat)
-0.18
Base to Emitter Voltage
基極
–
發射極電壓
(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
V
-0.62
200
-0.68
600
-0.58
90
BE
DC Current Gain
直流電流增益
(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
H
FE
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積
(V
CE
=-6.0v,I
C
=-1.0mA)
-180
4.5
—
—
f
—
—
MHz
pF
T
Output Capacitance
輸出電容
(V
CB
=-10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
C
ob
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
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2SA812
■
DIMENSION
外形封裝尺寸
單位
(UNIT)
:
mm
