FOSAN-2SC2412L
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安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
■
FEATURES
特點
NPN General Purpose Transistor
■
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25
℃
)
最大額定值
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
特性參數
符號
額定值
單位
Collector-Base Voltage
集電極
–
基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極
–
發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極
–
基極電壓
Collector Current-Continuous
集電極電流
–
連續
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
V
CBO
60
50
V
V
V
CEO
V
EBO
Ic
7
V
150
225
mA
P
C
mW
Junction Temperature
結溫
℃
T
j
150
Storage Temperature Range
℃
T
stg
-55
〜
150
儲存溫度
■
DEVICE MARKING
打標
2SC2412
Q
R
S
MARK
H
FE
BQ
BR
BS
120~270
180~390
270~560
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■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明
,
溫度爲
25
℃
)
Characteristic
Symbol Test
Condition Min
Typ
Max
Unit
特性參數
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
V
CB
=60
V
,
I
E
=0
μ
A
I
CBO
—
—
60
—
—
—
0.1
0.1
—
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
V
EB
=7
V
,
I
C
=0
μ
A
I
EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極
–
基極擊穿電壓
I
C
=50
μ
A
V
(BR)CBO
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
H
FE
I
C
=1.0mA
50
7
—
—
—
—
—
集電極
–
發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Votlage
I
E
=50
μ
A
V
發射極
–
基極擊穿電壓
DC Current Gain
V
CE
=6
V
,
I
C
=1mA
120
560
—
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極
–
發射極飽和壓降
I
C
=50mA,
I
B
=5mA
V
CE(sat)
—
—
—
—
0.4
1.0
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage
基極
–
發射極飽和壓降
I
C
=100mA,
I
B
=10mA
V
BE(sat)
V
CE
=12V,
I
C
=2mA,
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
—
—
180
2.0
—
MHz
pF
特徵頻率
V
CB
=12
V
,
I
E
=0A,
f=1MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
3.5
輸出電容
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■
DIMENSION
外形封裝尺寸
單位
(UNIT)
:
mm
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