FOSAN-2SC2412L

Part #FOSAN-2SC2412L
Download 
FOSAN-2SC2412L
安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  
■
FEATURES
特點  
NPN General Purpose Transistor  
■
MAXIMUM RATINGS (T

a

=25
℃
)
最大額定值  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
特性參數  
符號  
額定值  
單位  
Collector-Base Voltage  
集電極
–
基極電壓  
Collector-Emitter Voltage  
集電極
–
發射極電壓  
Emitter-Base Voltage  
發射極
–
基極電壓  
Collector Current-Continuous  
集電極電流
–
連續  
Collector Power Dissipation  
集電極耗散功率  
V

CBO  

60  
50  
V
V
V

CEO  

V

EBO  

Ic  
7
V
150  
225  
mA  
P

C  

mW  
Junction Temperature  
結溫  
℃
T

j  

150  
Storage Temperature Range  
℃
T

stg  

-55
〜
150  
儲存溫度  
■
DEVICE MARKING
打標  
2SC2412  
Q
R
S
MARK  
H

FE  

BQ  
BR  
BS  
120~270  
180~390  
270~560  

安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性  
(T

A

=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明
,
溫度爲
25
℃
)  
Characteristic  
Symbol Test
 
Condition Min  
Typ  
Max  
Unit  
特性參數  
符號  
測試條件  
最小值 典型值 最大值
 
單位  
Collector Cutoff Current  
集電極截止電流  
V

CB

=60
V
,  
I

E

=0  
μ
A
I

CBO  

—
—
60  
—
—
—
0.1  
0.1  
—
Emitter Cutoff Current  
發射極截止電流  
V

EB

=7
V
,  
I

C

=0  
μ
A
I

EBO  

Collector-Base Breakdown Voltage  
集電極
–
基極擊穿電壓  
I

C

=50
μ
A  
V

(BR)CBO  

V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V

(BR)CEO  

V

(BR)EBO  

H

FE  

I

C

=1.0mA  
50  
7
—
—
—
—
—
集電極
–
發射極擊穿電壓  
Emitter-Base Breakdown Votlage  
I

E

=50
μ
A  
V
發射極
–
基極擊穿電壓  
DC Current Gain  
V

CE

=6
V
,  
I

C

=1mA  
120  
560  
—
直流電流增益  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
集電極
–
發射極飽和壓降  
I

C

=50mA,  
I

B

=5mA  
V

CE(sat)  

—
—
—
—
0.4  
1.0  
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage  
基極
–
發射極飽和壓降  
I

C

=100mA,  
I

B

=10mA  
V

BE(sat)  

V

CE

=12V,  
I

C

=2mA,  
f=100MHz  
Transition Frequency  
f

T  

—
—
180  
2.0  
—
MHz  
pF  
特徵頻率  
V

CB

=12
V
,  
I

E

=0A,  
f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
C

ob  

3.5  
輸出電容  

安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  
■
DIMENSION
外形封裝尺寸  
單位
(UNIT)
:
mm  

安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD