FOSAN-2SC2712
| Part # | FOSAN-2SC2712 |
| Download | FOSAN-2SC2712 |
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.
2SC2712
■
MAXIMUM RATINGS
最大额定值
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Rating
额定值
Unit
单位
Collector-Emitter Voltage
集电极
–
发射极电压
V
CEO
50
Vdc
Collector-Base Voltage
集电极
–
基极电压
V
CBO
V
EBO
Vdc
Vdc
60
Emitter-Base Voltage
发射极
–
基极电压
5.0
Collector Current-Continuous
集电极电流
–
连续
Ic
150
mAdc
■
THERMAL CHARACTERISTICS
热特性
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Max
最大值
Unit
单位
Total Device Dissipation
总耗散功率
FR-5 Board(1)
225
mW
P
D
T
=
25
℃环境温度为
25
℃
A
1.8
mW/
℃
Derate above25
℃ 超过
25
℃递减
Total Device Dissipation
总耗散功率
300
mW
P
D
Alumina Substrate
氧化铝衬底
,(2)T
=
25
℃
A
2.4
Derate above25
℃ 超过
25
℃递减
mW/
℃
℃
/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
热阻
R
Θ
417
JA
Junction and Storage Temperature
结温和储存温度
T
J
,
T
stg
-55to+150
℃
■
DEVICE MARKING
打标
2SC2712
H
FE
:70-140=LO; 120-240=LY; 200-400=LG; 350-700=LL
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.
2SC2712
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电特性
(T
A
=25
℃
unless otherwise noted
如无特殊说明,温度为
25
℃
)
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Min
Type
Max
Unit
最小值 典型值 最大值 单位
■
OFF CHARACTERISTICS
截止电特性
Emitter Cutoff Current
I
—
—
—
—
—
0.1
—
0.1
0.1
EBO
发射极截止电流
(V =5.0v,I
C
=0)
μ
A
EB
Collector Cutoff Current
I
集电极截止电流
(V =60v,I
E
=0)
CBO
CB
μ
A
Collector Saturation Voltage
集电极饱和压降
(Ic=100mAdc,I =10mA)
V
CE(sat)
0.25
700
Vdc
B
DC Current Gain
H
FE
70
80
—
—
直流电流增益
(V =6.0v,I
C
=2.0mA)
CE
Gain Bandwidth Product
f
MHz
dB
—
1.0
2.0
—
10
T
增益带宽乘积
(V =6.0v,I
C
=1.0mA)
CE
Noise Figure
噪声系数
NF
(V =6V,Ic=0.1mA,f=1kHz,Rg=10k
Ω
)
CE
Output Capacitance
输出电容
C
3.5
pF
ob
(V =6v,I
E
=0,f=1.0MHz)
CB
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.
2SC2712
■
DIMENSION
外形封装尺寸
