FOSAN-2SC2712

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FOSAN-2SC2712
安徽富信半导体科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.  
2SC2712  
■
MAXIMUM RATINGS
最大额定值  
Characteristic
特性参数  
Symbol
符号  
Rating
额定值  
Unit
单位  
Collector-Emitter Voltage  
集电极
–
发射极电压  
V

CEO  

50  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
集电极
–
基极电压  
V

CBO  

V

EBO  

Vdc  
Vdc  
60  
Emitter-Base Voltage  
发射极
–
基极电压  
5.0  
Collector Current-Continuous  
集电极电流
–
连续  
Ic  
150  
mAdc  
■
THERMAL CHARACTERISTICS
热特性  
Characteristic  
特性参数  
Symbol  
符号  
Max  
最大值  
Unit  
单位  
Total Device Dissipation
总耗散功率  
FR-5 Board(1)  
225  
mW  
P
D
T
=
25
℃环境温度为
25
℃  
A
1.8  
mW/
℃  
Derate above25
℃ 超过
 
25
℃递减  
Total Device Dissipation
总耗散功率  
300  
mW  
P
D
Alumina Substrate
氧化铝衬底
,(2)T
=
25
℃  
A
2.4  
Derate above25
℃ 超过
25
℃递减  
mW/
℃  
℃
/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
热阻  
R

Θ  

417  
JA  
Junction and Storage Temperature  
结温和储存温度  
T

J

,
T

stg  

-55to+150
℃  
■
DEVICE MARKING
 
打标  
2SC2712  
H

FE

:70-140=LO; 120-240=LY; 200-400=LG; 350-700=LL  

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■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电特性  
(T

A

=25
℃
unless otherwise noted
如无特殊说明,温度为
25
℃
)  
Characteristic  
特性参数  
Symbol  
符号  
Min  
Type  
Max  
Unit  
最小值 典型值 最大值 单位  
■
OFF CHARACTERISTICS
截止电特性  
Emitter Cutoff Current  
I
—
—
—
—
—
0.1  
—
0.1  
0.1  
EBO  
发射极截止电流
(V =5.0v,I

C

=0)  
μ
A  
EB  
Collector Cutoff Current  
I
集电极截止电流
(V =60v,I

E

=0)  
CBO  
CB  
μ
A  
Collector Saturation Voltage  
集电极饱和压降
(Ic=100mAdc,I =10mA)  
V

CE(sat)  

0.25  
700  
Vdc  
B
DC Current Gain  
H

FE  

70  
80  
—
—
直流电流增益
(V =6.0v,I

C

=2.0mA)  
CE  
Gain Bandwidth Product  
f
MHz  
dB  
—
1.0  
2.0  
—
10  
T
增益带宽乘积
(V =6.0v,I

C

=1.0mA)  
CE  
Noise Figure
噪声系数  
NF  
(V =6V,Ic=0.1mA,f=1kHz,Rg=10k
Ω
)  
CE  
Output Capacitance
输出电容  
C
3.5  
pF  
ob  
(V =6v,I

E

=0,f=1.0MHz)  
CB  
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

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DIMENSION
外形封装尺寸