FOSAN-2SC3356
| Part # | FOSAN-2SC3356 |
| Download | FOSAN-2SC3356 |
安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
2SC3356
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Emitter Voltage
集電極發射極電壓
V
CEO
V
CBO
12
20
Vdc
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極基極電壓
V
EBO
Vdc
3.0
Collector Current-Continuous
集電極電流
–
連續
Ic
100
mAdc
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
P
D
Total Device Dissipation
總耗散功率
FR-5 Board(1)
225
mW
T
=
25
℃ 環 境 溫 度 爲
25
℃
A
1.8
mW/
℃
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減
P
D
Total Device Dissipation
總耗散功率
300
mW
Alumina Substrate
氧化鋁襯底
,(2)T
=
25
℃
A
2.4
Derate above25
℃超過
25
℃遞減
mW/
℃
℃
/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
R
Θ
417
JA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
T
J
,
T
stg
-55to+150
℃
■
DEVICE MARKING
打標
2SC3356=R25
H
FE:
125-250
安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
2SC3356
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25
℃
)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
(V
EB
=1.0v,I
C
=0)
I
—
—
20
12
3
—
—
1.0
1.0
—
μ
A
μ
A
V
EBO
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
(V
CB
=10v,I
E
=0)
I
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓
(Ic=10uA)
—
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
H
FE
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極發射極擊穿電壓
(Ic=1mA)
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓
(I
E
=10uA)
—
—
V
DC Current Gain
直流電流增益
(V
CE
=10v,I
C
=20mA)
50
—
—
—
300
—
Gain Bandwidth Product
增益帶寬乘積
(V
CE
=10v,I
C
=20mA)
7000
—
f
T
MHz
dB
Noise Figure
噪声係數
(V
CE
=10V,Ic=7mA,f=1.0GHz)
2.0
NF
Feed-Back Capacitance
反馈電容
(V
CB
=10v,I
E
=0,f=1.0MHz)
C
—
0.55
1.0
pF
re
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
2SC3356
■
DIMENSION
外形封裝尺寸
