FOSAN-2SC3356

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FOSAN-2SC3356
安徽富信半導體科技有限公司  
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  
2SC3356  
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Rating  
額定值  
Unit  
單位  
Collector-Emitter Voltage  
集電極發射極電壓  
V

CEO  

V

CBO  

12  
20  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
集電極基極電壓  
Emitter-Base Voltage  
發射極基極電壓  
V

EBO  

Vdc  
3.0  
Collector Current-Continuous  
集電極電流
–
連續  
Ic  
100  
mAdc  
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Max  
最大值  
Unit
單位  
P
D
Total Device Dissipation
總耗散功率  
FR-5 Board(1)  
225  
mW  
T
=
25
℃ 環 境 溫 度 爲
25
℃  
A
1.8  
mW/
℃  
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減  
P
D
Total Device Dissipation
總耗散功率  
300  
mW  

Alumina Substrate

氧化鋁襯底

,(2)T

=

25

℃  

A
2.4  
Derate above25
℃超過
25
℃遞減  
mW/
℃  
℃
/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
熱阻  
R

Θ  

417  
JA  
Junction and Storage Temperature  
結溫和儲存溫度  
T

J

,
T

stg  

-55to+150
℃  
■
DEVICE MARKING
 
打標  
2SC3356=R25  
H

FE:

125-250  

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2SC3356  
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性  
(T

A

=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25
℃
)  
Characteristic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Min  
最小值  
Typ  
典型值  
Max  
最大值  
Unit  
單位  
Emitter Cutoff Current  
發射極截止電流
(V

EB

=1.0v,I

C

=0)  
I
—
—
20  
12  
3
—
—
1.0  
1.0  
—
μ
A  
μ
A  
V
EBO  
Collector Cutoff Current  
集電極截止電流
(V

CB

=10v,I

E

=0)  
I
CBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
集電極基極擊穿電壓
(Ic=10uA)  
—
V
(BR)CBO  
V
(BR)CEO  
V
(BR)EBO  
H

FE  

Collector-Emitter Breakdown Voltage  
集電極發射極擊穿電壓
(Ic=1mA)  
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
發射極基極擊穿電壓
(I

E

=10uA)  
—
—
V
DC Current Gain
直流電流增益  
(V

CE

=10v,I

C

=20mA)  
50  
—
—
—
300  
—
Gain Bandwidth Product  
增益帶寬乘積
(V

CE

=10v,I

C

=20mA)  
7000  
—
f
T
MHz  
dB  
Noise Figure
噪声係數  
(V

CE

=10V,Ic=7mA,f=1.0GHz)  
2.0  
NF  
Feed-Back Capacitance
反馈電容  
(V

CB

=10v,I

E

=0,f=1.0MHz)  
C
—
0.55  
1.0  
pF  
re  
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

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DIMENSION
外形封裝尺寸