FOSAN-BC847C

安徽富信半導體科技有限公司  

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  

BC846/847/848  

■

MAXIMUM RATINGS

最大額定值  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Unit  

單位  

(BC846A,B) (BC847A,B,C) (BC848A,B,C)  

Collector-Emitter Voltage  

集電極發射極電壓  

V

CEO  

V

CBO  

V

EBO  

65  

80  

45  

50  

30  

30  

Vdc  

Vdc  

Vdc  

Collector-Base Voltage  

集電極基極電壓  

Emitter-Base Voltage  

發射極基極電壓  

6.0  

6.0  

5.0  

Collector Current Continuous  

Ic  

100  

100  

100  

mAdc  

集電極電流  

■

THERMAL CHARACTERISTICS

熱特性  

Characteristic

特性參數  

Symbol

符號

Max

最大值  

Unit

單位  

P

D

Total Device Dissipation

 

總耗散功率  

FR-5 Board(1)  

225  

mW  

T

=

25

℃溫度爲

25

℃  

A

1.8  

mW/

℃  

Derate above25

℃  

超過

25

℃遞減  

P

D

Total Device Dissipation

總耗散功率  

300  

mW  

Alumina Substrate

氧化鋁襯底

,(2)T

=

25

℃  

A

2.4  

Derate above25

℃ 超過

25

℃遞減  

mW/

℃  

℃

/W  

R

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻  

417  

Junction and Storage Temperature  

結溫和儲存溫度  

T

J

,

T

stg  

-55to+150

℃  

■

DEVICE MARKING

 

打標  

BC846A=1A BC846B=1B  

BC847A=1E BC847B=1F

 

BC847C=1G  

BC848A=1J BC848B=1K

 

BC848C=1L  

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BC846/847/848  

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

最小值  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

■

OFF CHARACTERISTICS

截止電特性  

V

(BR)CEO  

Collector-Emitter Breakdown Voltage  

集電極發射極擊穿電壓  

(Ic=10mAdc,I

B

=0)  

846A,B  

847A,B,C  

848A,B,C  

65  

45  

30  

—

—

Vdc  

Vdc  

V

(BR)CBO  

Collector-Base Breakdown Voltage  

集電極基極擊穿電壓

(Ic=10

μ  

Adc,I

E

=0)  

846A,B  

847A,B,C  

848A,B,C  

80  

50  

30  

V

(BR)EBO  

Emitter-Base Breakdown Voltage  

發射極基極擊穿電壓

(I

E

=10

μ  

Adc,Ic=0)  

846A,B  

847A,B,C  

848A,B,C  

6.0  

6.0  

5.0  

—

1.5  

5.0  

Vdc  

nA  

uA  

Collector Cutoff Current(V

CB

=30v)  

集電極截止電流

(V

cB

=30Vdc,T

A

=150

℃

)  

■

ON CHARCTERISTICS

導通電特性  

I

CBO  

—

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

H

FE  

Min  

Typ  

最小值 典型值 最大值  

Max  

Unit  

單位  

—

DC Current Gain

直流電流增益  

(I =10uAdc,V

 

=5.0Vdc)  

846A, 847A, 848A  

846B, 847B, 848B  

847C, 848C  

90  

c

CE  

150  

270  

180  

290  

520  

—

(I =2.0mAdc,V

 

=5.0Vdc)  

846A, 847A, 848A  

846B, 847B, 848B  

847C, 848C  

110  

200  

420  

220  

450  

800  

c

CE  

Collector-Emitter Saturation Voltage  

V

集電極發射極飽和壓降  

(I =10mAdc, I

 

=0.5mAdc)  

CE(sat)  

—

—

0.25  

0.6  

c

B

(I =100mAdc, I

 

=5.0mAdc)  

Vdc  

Vdc  

mV  

c

B

Base-Emitter Saturation Voltage  

基極發射極飽和壓降  

V

BE(sat)  

0.7  

0.9  

(I =10mAdc, I

 

=0.5mAdc)  

c

B

(I =100mAdc, I

 

=5.0mAdc)  

c

B

Base-Emitter Voltage  

基極發射極電壓  

V

BE(on)  

(I =2.0mAdc, V

 

=5.0Vdc)  

580  

—

660  

—

700  

770  

c

CE  

(I =10mAdc, V

 

=5.0Vdc)  

c

CE  

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■

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

小信號特性  

Symbol  

符號  

Min  

Typ  

Max  

最小值 典型值 最大值  

Unit  

單位  

Characteristic

特性參數  

Current-Gain-Bandwidth Product  

電流增益帶寬乘積  

(I

c

=10mAdc,V

CE

=5.0Vdc,f=100MHz)  

f

T  

100  

—

—

—

MHz  

pF  

Output Capacitance

輸出電容  

C

obo  

4.5  

(V =10Vdc,

 

I =0,

 

f=1.0MHz)  

CB  

E

NF  

Noise Figure

噪声係數  

(V =5.0Vdc,

 

I =200

μ

Adc,  

R =2.0k

Ω

f=1.0KHz BW=200Hz)  

s

846A, 847A, 848A  

846B, 847B, 848B  

847C, 848C  

10  

10  

CE  

C

4.0  

—

—

dB  

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■

DIMENSION

外形封裝尺寸  

單位

(UNIT)

：

mm