FOSAN-BSS84

BSS84  

SOT-23

場效應晶體管

(SOT-23 Field Effect Transistors)  

P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  

P

溝道增強型

MOS

場效應管  

■

MAXIMUM RATINGS

最大額定值  

Characteristic

特性參數  

Symbol

符號  

BV

DSS  

V

GS  

Rat

額定值  

-50  

Unit

單位  

Drain-Source

V

o

ltage  

漏極-源極電壓  

V

V

Gate- Source

V

o

ltage  

栅極-源極電壓  

+20  

Drain Current (continuous)  

漏極電流-連續  

I

DR  

mA  

mA  

-130  

Drain Current (pulsed)  

漏極電流-脉冲  

I

DRM  

-520  

■

THERMAL CHARACTERISTICS

熱特性  

Characteristic

特性  

Symbol  

符號  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

P

D

Total Device Dissipation

總耗散功率  

200  

mW  

A

Derate above25

℃ 超過

 

25

℃遞減  

1.8  

mW/

℃  

℃

/W  

R

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻  

350  

Junction and Storage Temperature  

結溫和儲存溫度  

T

J

,

T

stg  

150

℃

,

-55to+150

℃  

BSS84  

■

DEVICE MARKING

 

打標  

BSS84=PD  

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性  

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如無特殊說明，溫度爲

25

℃

)  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

Typ  

最小值

典型值

最大值  

Max  

Unit  

單位  

Drain-Source Breakdown

V

o

ltage  

漏極-源極擊穿電壓

(I

D

=-250uA,V =0V)  

—

—

—

BV  

-50  

V

V

DSS  

GS  

Gate Threshold

V

o

ltage  

-2.5  

V

-1.0  

GS(th)  

栅極開启電壓

(I

D

=-250uA,V =

 

V )  

GS  

DS  

Diode Forward

V

o

ltage Drop  

—

—

-1.5  

内

附

二

極

管

正

向

壓

降

V

—

—

V

SD  

(I

SD

=-200mA,V =0V)  

GS  

Zero Gate

V

o

ltage Drain Current  

零栅壓漏極電流

(V =0

V

,

 

V =

 

–

50V)  

(V =0

V

,

 

V

=-50

V

, T

 

=

125

℃

)  

I

I

-15  

-60  

u

A  

GS  

DS  

DSS  

GS  

DS  

A

Gate Body Leakage  

栅極漏電流

(V =+20

V

,

 

V

=

0V)  

—

—

—

—

+10  

10  

n

A  

GSS  

GS  

DS  

Static Drain-Source On-State Resistance  

静态漏源導通電阻

(I

D

=-100mA,V =-5V)  

R

DS(ON)  

Ω

GS  

Input Capacitance

輸入電容  

C

—

—

—

—

73  

10  

—

—

—

—

5

pF  

pF  

ns  

ns  

ISS  

(V =0

V

,

 

V

=

-25

V

,

f=1MHz)  

GS  

DS  

Common Source Output Capacitance  

共源輸出電容

(V

GS

=0

V

,

V

DS

=-25

V

,

f=1MHz)  

C

OSS  

(on)  

Turn-ON Time

开启時間  

t

(V =-30

V

,

 

I

=

-270mA,

 

R  

=6

Ω

)  

=6

Ω

)  

DS  

D

GEN  

Turn-OFF Time

关断時間  

(V =-30

V

,

 

I

=

-270mA,

 

R  

t

20  

(off)  

DS  

D

GEN  

Reverse Recovery Time

反向恢复時間  

(I =-100mA,

 

V =0V)  

t

—

10  

—

ns  

rr  

SD  

GS  

1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  

2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

3.

Pulse Width<300

μ

s; Duty Cycle<2.0%.  

BSS84  

■

TYPICAL CHARACTERISTIC CURVE

典型特性