FOSAN-FS3404
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安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
FS3404
SOT-23-3L
場效應晶體管
(SOT-23-3L Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N
沟道增强型
MOS
场效应管
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV
DSS
V
GS
30
V
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
+20
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
A
5.8
I
D
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
I
DM
20
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
P
D
1500
mW
T
=
25
℃環境溫度爲
25
℃
A
Junction
結溫
℃
℃
T
J
150
Storage Temperature
儲存溫度
T
stg
-55to+150
■
DEVICE MARKING
打標
FS3404=A4LA
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FS3404
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度爲
25
℃
)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓
(I
D
=250uA,V
GS
=0V)
32
—
—
3
30
1
V
V
V
BV
DSS
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
栅極開启電壓
(I =
250uA,V
GS
= V
DS
)
D
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降
(I
S
= 1A,V
GS
=0V)
V
SD
0.7
1
—
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流
(V
GS
=0V, V
DS
= 30V)
I
I
—
—
—
—
—
24
1
u
A
n
A
mΩ
DSS
GSS
Gate Body Leakage
栅極漏電流
(V
GS
=+20V, V
DS
=0V)
+100
28
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻
(I
D
= 5A,V
GS
=10V)
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻
(I
D
= 3A,V
GS
=4.5V)
mΩ
pF
pF
ns
R
DS(ON)
—
—
—
—
—
38
540
60
45
—
—
—
—
Input Capacitance
輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
= 15V,f=1MHz)
C
ISS
Output Capacitance
輸出電容
(V
GS
=0V, V
DS
= 15V,f=1MHz)
C
OSS
(on)
Turn-ON Time
开启時間
(V
DS
= 15V, V
GS
= 10V, R
GEN
=6
Ω
)
t
9.5
36
Turn-OFF Time
关断時間
(V
DS
= 15V, V
GS
= 10V, R
GEN
=6
Ω
)
t
ns
(off)
Pulse Width<300
μ
s; Duty Cycle<2.0%
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FS3404M
■
DIMENSION
外形封裝尺寸
單位
(UNIT)
:
mm
代码
A
范围
(
单位
: mm)
1.050
~
1.250
0.000
~
0.100
1.050
~
1.150
0.300
~
0.500
0.100
~
0.200
2.820
~
3.020
1.500
~
1.700
2.650
~
2.950
0.950(BSC)
1.800
~
2.00
0.300
~
0.600
0.600REF.
0°
~
8°
A1
A2
b
c
D
E1
E
e
e 1
L
L1
θ
