FOSAN-FSS2300

安徽富信半導體科技有限公司  

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  

FSS2300  

SOT-23-3L

場效應晶體管

(SOT-23-3L Field Effect Transistors)  

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs  

N

沟道增强型

MOS

场效应管  

■

MAXIMUM RATINGS

最大額定值  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

Drain-Source Voltage  

漏極-源極電壓  

20  

V

V

BV

DSS  

V

GS  

I

D  

Gate- Source Voltage  

栅極-源極電壓  

+12  

Drain Current (continuous)  

漏極電流-連續  

5

A

A

Drain Current (pulsed)  

漏極電流-脉冲  

16  

I

DM  

Total Device Dissipation  

總耗散功率  

P

D

1400  

mW  

T

=

25

℃環境溫度爲

25

℃  

A

℃

℃

150  

Junction

結溫  

T

J  

-55to+150  

Storage Temperature

 

儲存溫度  

■

DEVICE MARKING

 

打標  

T

stg  

FSS2300=2300.  

1

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■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性  

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如無特殊說明，溫度爲

25

℃

)  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

最小值  

Typ  

典型值  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

Drain-Source Breakdown Voltage  

22  

—

—

—

1.2  

1.5  

20  

0.4  

—

V

V

V

BV  

DSS  

漏極-源極擊穿電壓

(I  

D

= 250uA,V

GS

=0V)  

Gate Threshold Voltage  

栅極開启電壓

(I

D

=250uA,V

GS

= V

DS

)  

V

GS(th)  

Diode Forward Voltage Drop  

内附二極管正向壓降

(I

S

=0.75A,V

GS

=0V)  

V

SD  

Zero Gate Voltage Drain Current  

零栅壓漏極電流

(V

GS

=0V, V

DS

= 16V)  

I

—

—

1

10  

u

A  

DSS  

GSS  

(V

GS

=0V, V

DS

= 16V, T

 

=

55

℃

)  

A

Gate Body Leakage  

栅極漏電流

(V

GS

=+8V, V

DS

=0V)  

—

—

—

—

—

—

—

28  

+100  

35  

n

A  

mΩ  

mΩ  

mΩ  

pF  

pF  

I

Static Drain-Source On-State Resistance  

静态漏源導通電阻

(I

D

= 5A,V

GS

= 4.5V)  

R

DS(ON)  

R

DS(ON)  

R

DS(ON)  

Static Drain-Source On-State Resistance  

静态漏源導通電阻

(I

D

= 2A,V

GS

= 2.5V)  

35  

40  

Static Drain-Source On-State Resistance  

静态漏源導通電阻

(I

D

= 1A,V

GS

= 1.8V)  

45  

55  

Input Capacitance

輸入電容  

(V

GS

=0V, V

DS

= 10V,f=1MHz)  

C

650  

120  

—

ISS  

Output Capacitance

輸出電容  

(V

GS

=0V, V

DS

= 10V,f=1MHz)  

—

C

OSS  

Turn-ON Time

开启時間

(V

DS

=  

10V, I

D

= 3A, R

GEN

=6

Ω

)  

t

—

—

20  

60  

—

—

ns  

ns  

(on)  

Turn-OFF Time

关断時間  

(V

DS

= 10V, I

D

= 3A, R

GEN

=6

Ω

)  

t

(off)  

Pulse Width<300

μ

s; Duty Cycle<2.0%  

2

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■

DIMENSION

外形封裝尺寸  

單位

(UNIT)

：

mm  

代码  

A

范围

(

单位

: mm)  

1.050

～

1.250  

0.000

～

0.100  

1.050

～

1.150  

0.300

～

0.500  

0.100

～

0.200  

2.820

～

3.020  

1.500

～

1.700  

2.650

～

2.950  

0.950(BSC)  

1.800

～

2.00  

0.300

～

0.600  

0.600REF.  

A1  

A2  

b

c

D

E1  

E

e

e 1  

L

L1  

θ

0°

～

8°  

3