FOSAN-MMBT2222A

安徽富信半导体科技有限公司  

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD  

MMBT2222A  

■

FEATURES

特點  

NPN Switching

 

Transistor  

■

MAXIMUM RATINGS

最大額定值  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Unit  

單位  

MMBT2222 MMBT2222A  

Collector-Emitter Voltage  

集電極

–

發射極電壓  

V

CEO  

V

CBO  

V

EBO  

Ic  

30  

60  

40  

75  

Vdc  

Vdc  

Collector-Base Voltage  

集電極

–

基極電壓  

Emitter-Base Voltage  

Vdc  

5.0  

6.0  

600  

發射極

–

基極電壓  

Collector Current-Continuous  

集電極電流

–

連續  

600  

mAdc  

■

THERMAL CHARACTERISTICS

熱特性  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Max  

最大值  

Unit  

單位  

Total Device Dissipation

總耗散功率  

FR-5 Board(1)  

225  

mW  

P

D

A

1.8  

mW/

℃  

Derate above25

℃ 超過

 

25

℃遞減  

Total Device Dissipation

總耗散功率  

300  

mW  

P

D

A

Derate above25

℃ 超過

25

℃遞減  

2.4  

mW/

℃  

℃

/W  

R

Θ  

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻  

JA  

417  

T/t  

T

J

,

T

stg  

260/10  

℃/S  

Solder Temperature/Solder Time

焊接溫度

/

焊接時間  

Junction & Storage Temperature

結溫和儲存溫度  

-55to+150

℃  

■

DEVICE MARKING

 

打標  

MMBT2222A

=1P  

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MMBT2222A  

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性  

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如無特殊說明，溫度爲

25

℃

)  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

Max  

最小值 最大值

 

單位  

Unit  

—

—

—

Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)  

集電極

–

發射極擊穿電壓

(Ic=10mAdc,I

B

=0)  

Collector-Base Breakdown Voltage  

V

(BR)CEO

MMBT2222  

MMBT2222A  

30  

40  

Vdc  

Vdc  

V

(BR)CBO

MMBT2222  

MMBT2222A  

60  

75  

集電極

–

基極擊穿電壓

(Ic=10

μ

Adc,I

E

=0)  

V

(BR)EBO

MMBT2222  

MMBT2222A  

Emitter-Base Breakdown Voltage  

5.0  

6.0  

—

10  

Vdc  

發射極

–

基極擊穿電壓

(I

E

=10

μ

Adc,Ic=0)  

Collector Cutoff Current

集電極截止電流  

(V

CE

=60Vdc, V

EB

(Off)

=3.0Vdc)  

I

MMBT2222A  

—

nAdc  

CEX  

I

Collector Cutoff Current

集電極截止電流  

CBO  

MMBT2222  

—

—

—

—

0.01  

0.01  

10.0  

10.0  

(V

CB

=50Vdc,I =0)  

E

(V

CB

=60Vdc,I =0)  

E

MMBT2222A  

MMBT2222  

MMBT2222A  

(V

CB

=50Vdc,I =0,T =125

℃

)  

E

A

μ

(V

CB

=60Vdc,I =0,T =125

℃

)  

E

A

Adc  

I

I

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流  

(V

EB

=3.0Vdc, I

C

=0)  

EBO  

—

—

100  

20  

nAdc  

MMBT2222A  

MMBT2222A  

Base Cutoff Current

基極截止電流  

(V

CE

=60Vdc, V

EB

(Off)

=3.0Vdc)  

DC Current Gain

直流電流增益  

BL  

nAdc  

—

H

FE  

(I =0.1mAdc,V

 

=10.0Vdc)  

c

CE  

35  

50  

—

—

(I =1.0mAdc,V

 

=10.0Vdc)  

c

CE  

(I =10mAdc,V

 

=10.0Vdc)  

c

CE  

75  

—

(I =10mAdc,V

 

=10.0Vdc,T

A

=-55

℃

)  

MMBT2222A  

35  

—

c

CE  

(I =150mAdc,V

 

=10.0Vdc)(3)  

100  

300  

c

CE  

(I =150mAdc,V

 

=1.0Vdc)(3)  

50  

30  

40  

—

—

—

—

—

0.6  

—

—

—

—

—

c

CE  

MMBT2222  

MMBT2222A  

MMBT2222  

(I =500mAdc,V

 

=10.0Vdc)(3)  

c

CE  

Collector-Emitter Saturation Voltage  

V

CE(sat)  

0.4  

0.3  

1.6  

1.0  

1.3  

1.2  

2.6  

2.0  

MMBT2222A  

MMBT2222  

集電極發射極飽和壓降  

(I =150mAdc, I

 

=15mAdc)  

Vdc  

Vdc  

c

B

MMBT2222A  

(I =500mAdc, I

 

=50mAdc)  

c

B

Base-Emitter Saturation Voltage  

V

BE(sat)  

MMBT2222  

MMBT2222A  

MMBT2222  

基極發射極飽和壓降  

(I =150mAdc, I

 

=15mAdc)  

c

B

(I =500mAdc, I

 

=50mAdc)  

MMBT2222A  

c

B

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MMBT2222A  

■

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

小信號特性  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

Max  

最小值 最大值

 

單位  

Unit  

f

T

MMBT2222  

MMBT2222A  

250  

300  

—

—

Current-Gain-Bandwidth Product

電流增益

–

帶寬乘積  

(I =20mAdc,V

 

=20Vdc,f=100MHz)  

MHz  

pF  

c

CE  

Output Capacitance

 

輸出電容  

(V =10.0Vdc,

 

I =0,

 

f=1.0MHz)  

C

obo  

—

80  

CB  

E

C

ibo

MMBT2222  

MMBT2222A  

Intput Capacitance

 

輸入電容  

(V =0.5Vdc,

 

I =0,

 

f=1.0MHz)  

—

—

30  

25  

EB  

C

pF  

hie  

Intput Impedance

 

輸入阻抗  

(I =1.0mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

2.0  

8.0  

MMBT2222A  

(I =10mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

c

CE  

0.25  

1.25  

kQ  

hre  

Voltage Feedback Radio

電壓反饋係數  

(I =1.0mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

—

—

8.0  

4.0  

-4  

(I =10mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

×

10  

Small-Signal Current Gain

小信號電流增益  

hfe  

MMBT2222A  

(I =1.0mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

50  

75  

300  

375  

c

CE  

MMBT2222A  

(I =10mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

c

CE  

—

hoe  

Output Admittance

輸出導納  

(I =1.0mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

5.0  

25  

35  

200  

μ

mhos  

(I =10mAdc,V

 

=10Vdc,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

rb,Cc  

Collector-Base Time Constant

集電極基極時間  

(I =20mAdc,V

 

=20Vdc,f=31.8MHz)  

MMBT2222A  

E

CB  

—

—

150  

4.0  

ps  

NF  

Noise Figure

雜訊係數  

(I =100

u

Adc,V =10Vdc,Rs=1.0kQ,f=1.0kHz)  

MMBT2222A  

c

CE  

dB  

■

SWITCHING CHARACTERISTICS

開關特性  

Characteristic  

特性參數  

Symbol  

符號  

Min  

Max  

最小值 最大值 單位  

Unit  

Delay Time

延遲時間  

t

d

—

—

—

—

10  

25  

(Vcc=30Vdc,V

BE(off)

=-0.5Vdc  

Ic=150mAdc,I

B1

=15mAdc)  

ns  

ns  

Rise Time

上升時間  

t

t

t

r

Storage Time

儲存時間  

s

225  

60  

(Vcc=30Vdc,Ic=150mAdc,  

I

B1

=I

B2

=15mAdc)  

Fall Time

下降時間  

f

1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.  

2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.  

3. Pulse

 

Width<300us;Duty Cycle<2.0%.  

4.

f

T

is defined as the frequency at which (h

fe

) extrapolates to unity.  

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■

DIMENSION

外形封裝尺寸  

單位

(UNIT)

：

mm