FOSAN-MMBT3904
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
MMBT3904
■
MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
V
40
40
Vdc
Vdc
CEO
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
V
CBO
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
V
6.0
Vdc
EBO
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
200
mAdc
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Total Device Dissipation
總耗散功率
225
1.8
mW
P
D
FR-5 Board(1)
T
=
25
℃環境溫度爲
25
℃
A
mW/
℃
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減
Total Device Dissipation
總耗散功率
Alumina Substrate,
氧化鋁襯底
(2)
300
2.4
mW
P
D
T
=
25
℃環境溫度爲
25
℃
A
mW/
℃
Derate above25
℃ 超過
25
℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
417
℃
/W
R
Θ
JA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
T
J
,
T
150
℃
,
-55to+150
℃
stg
■
DEVICE MARKING
打標
MMBT3904=1AM
H
FE
100~200, 100~300
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MMBT3904
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
=
25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25
℃
)
A
■
OFF CHARACTERISTICS
截止電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極
–
發射極擊穿電壓
(Ic=1.0mAdc,I
B
=0)
V
40
40
6.0
—
—
—
—
—
50
50
Vdc
Vdc
(BR)CEO
(BR)CBO
(BR)EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極
–
基極擊穿電壓
(Ic=10
μ
Adc,I
E
=0)
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極
–
基極擊穿電壓
(I
E
=10
μ
Adc,Ic=0)
Base Cutoff Current
Vdc
I
nAdc
nAdc
BEX
CEX
基極截止電流
(V
CE
=30Vdc, V
EB
=3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
(V
CE
=30Vdc, V
EB
=3.0Vdc)
I
■
ON CHARCTERISTICS(2)
導通電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
h
FE
—
DC Current Gain
直流電流增益
40
70
—
—
(I =0.1mAdc,V
=1.0Vdc)
c
CE
(I =1.0mAdc,V
=1.0Vdc)
c
CE
100
60
300
—
(I =10mAdc,V
=1.0Vdc)
c
CE
(I =50mAdc,V
=1.0Vdc)
c
CE
30
—
(I =100mAdc,V
=1.0Vdc)
c
CE
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
V
Vdc
Vdc
CE(sat)
(I =10mAdc,
I =1.0mAdc)
—
—
0.25
0.4
c
B
(I =50mAdc,
I =5.0mAdc)
c
B
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極飽和壓降
V
BE(sat)
(I =10mAdc, I
=1.0mAdc)
c
B
0.65
—
0.85
0.95
(I =50mAdc, I
=5.0mAdc)
c
B
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■
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
小信號特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積
(I =10mAdc,V
=-20Vdc,f=100MHz)
f
T
300
—
—
4.0
8.0
MHz
pF
c
CE
Output Capacitance
輸出電容
C
obo
(V =5.0Vdc,
I =0,
f=1.0MHz)
CB
E
Input Capacitance
輸入電容
C
ibo
(V =0.5Vdc,
I =0,
f=1.0MHz)
—
pF
EB
C
Input Impedance
輸入阻抗
(V =10Vdc,
I =1.0mAdc,
f=1.0KHz)
h
ie
h
re
h
fe
CE
C
1.0
0.5
100
10
8.0
400
k
Ω
Voltage Feedback Ratio
電壓反饋係數
-4
(V =10Vdc,
I =1.0mAdc,
f=1.0KHz)
×10
CE
C
Small-Signal Current Gain
小信號電流增益
(V =10Vdc,
I =1.0mAdc,
f=1.0KHz)
—
CE
C
Output Admittance
輸出導納
(V =10Vdc,
I =1.0mAdc,
f=1.0KHz)
h
oe
CE
C
μ
mhos
1.0
—
40
Noise Figure
噪声係數
(V
CE
=5.0Vdc, I
C
=100
μ
Adc,Rs=1.0 k
Ω
f=1.0KHz)
NF
5.0
dB
■
SWITCHING CHARACTERISTICS
開關特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Delay Time
延遲時間
t
d
t
r
t
s
t
f
—
—
—
—
35
35
(V
CC
=3.0Vdc,V
BE
=0.5Vdc,
I
C
=10mAdc, I
B1
=1.0mAdc)
ns
ns
Rise Time
上升時間
Storage Time
儲存時間
225
75
(V
CC
=3.0Vdc,I
C
=10mAdc,
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
Fall Time
下降時間
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse
Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
4.
Pulse Test: Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
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■
DIMENSION
外形封裝尺寸
單位
(UNIT)
：
mm
