FOSAN-S9014

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安徽富信半导体科技有限公司

ANHUI FOSA

N

S

EMICONDUCTOR TECHNOLOG

Y

C

O.

,

L

T

D

S9014

■

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

)

最大額定值

a

CHARACTERISTIC

特性參數

Symbol

符號

Rating

額定值

Unit

單位

Collector-Base Voltage

集電極

–

基極電壓

V

CBO

50

45

Vdc

Vdc

Collector-Emitter Voltage

集電極

–

發射極電壓

V

CEO

V

EBO

Ic

Emitter-Base Voltage

發射極

–

基極電壓

5.0

150

30

Vdc

Collector Current-Continuous

集電極電流

–

連續

mAdc

mAdc

Base Current

基極電流

I

B

Collector Power Dissipation

集電極耗散功率

P

C

T

j

225

150

mW

℃

Junction Temperature

結溫

Storage Temperature Range

儲存溫度

T

stg

-55

～

150

℃

■

DEVICE MARKING

打標

S9014=J6

1

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ANHUI FOSA

N

S

EMICONDUCTOR TECHNOLOG

Y

C

O.

,

L

T

D

S9014

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性

(T

A

=25

℃

unless otherwise noted

如無特殊說明，溫度爲

25

℃

)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

測試條件

最小值典型值最大值單位

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

—

—

—

I

CBO

V

CB

=50V,I

E

=0

V

EB

=5V,I

C

=0

I

C

=100

μ

A

—

—

50

0.1

0.1

—

μ

A

μ

A

V

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

I

EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

V

(BR)CBO

集電極

–

基極擊穿電壓

Collector-Emitter Breakdown Voltage

—

—

V

(BR)CEO

I

C

=1.0mA

45

V

集電極

–

發射極擊穿電壓

Emitter-Base Breakdown Voltage

—

—

—

—

V

(BR)EBO

I

E

=100

μ

A

5

V

—

V

發射極

–

基極擊穿電壓

DC Current Gain

直流電流增益

h

FE

V

CE

=6V,I

C

=2mA

200

—

700

0.3

Collector-Emitter Saturation Voltage

V

CE(sat)

I

C

=100mA, I

B

=5mA

集電極

–

發射極飽和壓降

Base-Emitter Voltage

基極

–

發射極電壓

V

BE

V

CE

=5.0V,I

C

=10mA

V

CE

=5.0V,I

C

=10mA

—

100

—

—

0.82

—

V

Transition Frequency

特徵頻率

f

T

180

4.0

MHz

pF

Collector Output Capacitance

輸出電容

V

CB

=10V,I

E

=0,

f=1MHz

C

ob

7.0

2

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O.

,

L

T

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■

DIMENSION

外形封裝尺寸

3