Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SB649AD-C
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2SB649AD
Rev.A May.-2016
D
A
TA SHEET
描述
/ Descriptions
TO-252 塑封封装 PNP 半导体三极管。
Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.
特征
/ Features
与 2SD669AD 互补。
Complementary pair with 2SD669AD.
用途
/ Applications
用于低频功率放大。
Low frequency power amplifier.
内部等效电路
/ Equivalent
Circuit
引脚排列
/ Pinning
4
2
1
3
PIN1
：
Base
PIN 2,4
：
Collector
PIN 3
：
Emitter
放大及印章代码
/ h
FE
Classifications & Marking
h
FE
Classifications
B
C
D
Symbol
h
FE
Range
60
～
120
100
～
200
160
～
320
1
/
6
2SB649AD
Rev.A May.-2016
D
A
TA SHEET
极限参数
/ Absolute
Maximum Ratings(Ta=25
℃
)
参数
Parameter
符号
Symbol
数值
Rating
-180
单位
Unit
V
Collector to Base Voltage
V
CBO
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
V
CEO
V
EBO
I
C
-160
-5.0
V
V
Collector Current – Continuous
Peak Collector Current
-1.5
A
I
CP
-3.0
A
Collector Power Dissipation
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
P
C
1.0
W
W
℃
℃
P
C
(
T
c
=25
℃
)
20
T
j
150
T
stg
Storage Temperature Range
-55
～
150
电性能参数
/ Electrical
Characteristics(Ta=25
℃
)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
Parameter
Collector to Base
Breakdown Voltage
Collector to Emitter
Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown
Voltage
Symbol
T
e
st Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
=-1.0mA I
E
=0
-180
V
I
C
=-10mA
I
E
=-1.0mA
R
BE
=
∞
-160
-5.0
V
I
C
=0
V
Collector Cut-Off Current
I
CBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CB
=-160V I
E
=0
-10
μ
A
V
CE
=-5.0V I
C
=-150mA
V
CE
=-5.0V I
C
=-500mA
60
30
320
DC Current Gain
Collector to Emitter
Saturation Voltage
Base to Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
I
C
=-500mA I
B
=-50mA
-1.0
-1.5
V
V
CE
=-5.0V I
C
=-150mA
V
CE
=-5.0V I
C
=-150mA
V
V
BE(sat)
f
T
Transition Frequency
140
27
MHz
pF
Collector Output
Capacitance
V
CB
=-10V
f=1.0MHz
I
E
=0
C
ob
2
/
6
2SB649AD
Rev.A May.-2016
D
A
TA SHEET
电参数曲线图
/ Electrical
Characteristic Curve
3
/
6
2SB649AD
Rev.A May.-2016
D
A
TA SHEET
印章说明
/ Marking
Instructions
BR
B649AD
B
****
说明：
BR：
为公司代码
B649AD：
为型号代码
B:
为 h
FE
分档代码
****：
Note:
为生产批号代码，随生产批号变化。
BR:
Company Code
B649AD:
Product Type.
B:
h
FE
Classifications Symbol
Lot No. Code, code change with Lot No.
****:
5
/
6
2SB649AD
Rev.A May.-2016
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A
TA SHEET
波峰焊温度曲线图
(
无铅
) / Temperature
Profile for Dip Soldering(Pb-Free)
说明：
Note:
1
、预热温度
25
～
150
℃，时间
60
～
90sec;
2
、峰值温度
245
±
5
℃，时间持续为
5
±
0.5sec;
3
、焊接制程冷却速度为
2
～
10
℃
/sec.
1.Preheating:25~150
℃
, Time:60~90sec.
2.Peak
T
e
mp.:245
±
5
℃
, Duration:5
±
0.5sec.
3. Cooling Speed: 2~10
℃
/sec.
耐焊接热试验条件
/ Resistance
to Soldering Heat Test Conditions
温度：
260
±
5
℃
时间：
10
±
1 sec.
T
e
mp.:260±5
℃
Time:10±1 sec
包装规格
/ Packaging
SPEC.
卷盘包装
/ REEL
Package Type
Units
包装数量
Dimension
包装尺寸
(unit
：
mm
3
)
Units/Reel
Reels/Inner Box
Units/Inner Box
Inner Boxes/Outer Box
Units/Outer Box
封装形式
Reel
Inner Box
盒
Outer Box
箱
只
/
卷盘
卷盘
/
盒
只
/
盒
盒
/
箱
只
/
箱
TO-252
2,500
2
5,000
5
25,000
13
〞
×16
360×360×50
385×257×392
套管包装
/ TUBE
Units
包装数量
Dimension
包装尺寸
(unit
：
mm
3
)
Package Type
Units/Tube
封装形式
Tubes/Inner Box
套管
/
盒
Units/Inner Box
Inner Boxes/Outer Box
Units/Outer Box
Tube
套管
Inner Box
盒
Outer Box
箱
只
/
套管
只
/
盒
盒
/
箱
只
/
箱
TO-251/252
75
48
3,600
5
18,000
526×20.5×5.25 555×164×50
575×290×180
使用说明
/ Notices
6
/
6
