Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SB772T-P

2SB772T  

Rev.E Mar.-2016  

DATA SHEET  

描述

/ Descriptions  

SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管。

Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package.  



特征

/ Features  

饱和压降 V

CE(sat)

小,线性极好,h

FE

高。  

Low saturation voltage, excellent h

FE

linearity and high h

FE

.  



用途

/ Applications  

用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱动。  

Output stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.  



内部等效电路

/ Equivalent

 

Circuit  

引脚排列

/ Pinning  

1

2

3

PIN1

：

Base  

PIN 2

：

Collector  

PIN 3

：

Emitter  

印章代码

/ Marking  

h

FE

Classifications  

Symbol  

R

Q

P

E

60

～

120  

H72R  

100

～

200  

H72Q  

160

～

320  

H72P  

200

～

400  

H72E  

h

FE

Range  

Marking  

1

/

6  

2SB772T  

Rev.E Mar.-2016  

DATA SHEET  

极限参数

/ Absolute

 

Maximum Ratings(Ta=25

℃

)  

参数  

符号  

数值  

单位  

Parameter  

Symbol  

Rating  

Unit  

Collector to Base Voltage  

Collector to Emitter Voltage  

Emitter to Base Voltage  

V

CBO  

V

CEO  

V

EBO  

I

C  

-40  

-30  

V

V

-5.0  

V

Collector Current-Continuous  

Collector Power Dissipation  

Junction Temperature  

-3.0  

A

P

C  

T

j  

500  

mW  

℃

℃

150  

T

stg  

Storage Temperature Range  

-55

～

150  

电性能参数

/ Electrical

 

Characteristics(Ta=25

℃

)  

参数  

符号  

测试条件  

最小值 典型值 最大值

 

单位  

Parameter  

Collector to Base Breakdown  

Voltage  

Symbol  

T

e

st Conditions  

Min  

Typ  

Max  

Unit  

V

CBO

I

C

=-100

μ

A I

E

=0  

-40  

V

Collector to Emitter Breakdown  

Voltage  

V

CEO

I

C

=-1mA  

I

B

=0  

-30  

V

Collector Cut-Off Current  

I

CBO  

I

EBO  

V

CB

=-30V  

V

EB

=-3.0V  

I

E

=0  

I

C

=0  

-1.0  

-1.0  

400  

μ

A  

μ

A  

Emitter Base Cut-Off Current  

h

FE(1)

V

CE

=-2.0V I

C

=-1.0A  

h

FE(2)

V

CE

=-2.0V I

C

=-20mA  

60  

30  

160  

220  

DC Current Gain  

Collector to Emitter Saturation  

Voltage  

V

CE(sat)

I

C

=-2.0A  

V

BE(sat)

I

C

=-2.0A  

I

B

=-0.2A  

I

B

=-0.2A  

-0.3  

-0.5  

-2.0  

V

Base to Emitter Saturation Voltage  

Transition Frequency  

-1.0  

80  

V

f

T  

V

CE

=-5.0V I

C

=-0.1A  

MHz  

V

CB

=-10V  

f=1.0MHz  

I

E

=0  

Collector Output Capacitance  

C

ob  

55  

pF  

2

/

6  

2SB772T  

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电参数曲线图

/ Electrical

 

Characteristic Curve  

3

/

6  

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外形尺寸图

/ Package

 

Dimensions  

4

/

6  

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印章说明

/ Marking

 

Instructions  

H72R  

说明：  

H：   

72：   

R：   

**：   

Note:  

H:  

为公司代码  

为型号代码  

为 h

FE

分档代码  

为生产批号代码，随生产批号变化。  

Company Code.  

72:  

Product Type.  

R

：   

**:  

h

FE

Classifications Symbol  

Lot No. Code, code change with Lot No.  

5

/

6  

2SB772T  

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回流焊温度曲线图

(

无铅

) /

Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)  

说明：  

Note:  

1

、预热温度

25

～

150

℃，时间

60

～

90sec;  

2

、峰值温度

245

±

5

℃，时间持续为

5

±

0.5sec;  

3

、焊接制程冷却速度为

2

～

10

℃

/sec.  

1.Preheating:25~150

℃

, Time:60~90sec.  

2.Peak

T

e

mp.:245

±

5

℃

, Duration:5

±

0.5sec.  

3. Cooling Speed: 2~10

℃

/sec.  

耐焊接热试验条件

/ Resistance

 

to Soldering Heat Test Conditions  

温度：

260

±

5

℃  

时间：

10

±

1 sec.  

T

e

mp.:260±5

℃

 

Time:10±1 sec  

包装规格

/ Packaging

 

SPEC.  

卷盘包装

/ REEL  

Package Type  

Units

包装数量  

Dimension

包装尺寸

(unit

：

mm

3

)  

Units/Reel  

Reels/Inner Box  

Units/Inner Box  

Inner Boxes/Outer Box  

Units/Outer Box  

封装形式  

Reel  

Inner Box

盒  

Outer Box

箱  

只

/

卷盘  

卷盘

/

盒  

只

/

盒  

盒

/

箱  

只

/

箱  

SOT-89  

1,000  

7

7,000  

8

56,000  

7

〞

×12  

180×120×180  

385×257×392  

使用说明

/ Notices  

6

/

6