Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SC1815M-Y

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

描述

/ Descriptions  

SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.  



特征

/ Features  

耐压高,电流大,有极好的 h

FE

特性,低噪声系数。  

High voltage and high current, excellent h

FE

linearity ,low noise.  



用途

/ Applications  

用于普通低频放大,激励级放大。  

Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications.  



内部等效电路

/ Equivalent

 

Circuit  

引脚排列

/ Pinning  

3

1

2

PIN1

：

Base  

PIN 2

：

Emitter  

PIN 3

：

Collector  

放大及印章代码

/ h

FE

Classifications & Marking  

h

O

Y

GR  

BL  

Symbol  

h

FE

Range  

70

～

140  

120

～

240  

200

～

400  

350

～

700  

Marking  

HHFO  

HHFY  

HHFG  

HHFB  

1

/

6  

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

极限参数

/ Absolute

 

Maximum Ratings(Ta=25

℃

)  

参数  

Parameter  

符号  

Symbol  

V

CBO  

数值  

Rating  

60  

单位  

Unit  

V

Collector to Base Voltage  

Collector to Emitter Voltage  

Emitter to Base Voltage  

Collector Current  

V

CEO  

V

EBO  

I

C  

50  

5.0  

V

V

150  

mA  

mA  

mW  

℃

Base Current  

I

B  

50  

Collector Power Dissipation  

Junction Temperature  

Storage Temperature Range  

P

C  

300  

T

j  

150  

T

stg  

-55

～

150  

℃

电性能参数

/ Electrical

 

Characteristics(Ta=25

℃

)  

参数  

Parameter  

符号  

Symbol  

I

CBO  

测试条件  

T

e

st Conditions  

最小值 典型值 最大值 单位  

Min  

Typ  

Max  

Unit  

Collector Cut-Off Current  

V

CB

=60V  

I

E

=0  

0.1  

μ

A  

Emitter Base Cut-Off Current  

I

EBO  

h

FE(1)  

h

FE(2)  

V

EB

=5.0V  

V

CE

=6.0V  

V

CE

=6.0V  

I

C

=0  

0.1  

μ

A  

I

C

=2.0mA  

I

C

=150mA  

70  

25  

700  

DC Current Gain  

100  

0.1  

Collector to Emitter Saturation  

Voltage  

V

CE(sat)

I

C

=100mA  

I

B

=10mA  

I

B

=10mA  

0.25  

1.0  

V

Base to Emitter Saturation Voltage

 

V

BE(sat)

I

C

=100mA  

V

Transition Frequency  

f

T  

V

CE

=10V  

I

C

=1.0mA  

I

E

=0  

80  

MHz  

V

CB

=10V  

f=1.0MHz  

V

CB

=10V  

f=30MHz  

V

CE

=6.0V  

R

g

=10K

Ω  

Collector Output Capacitance  

C

ob  

2.0  

50  

3.5  

10  

pF  

Ω

I

C

=1.0mA  

Base Intrinsic Resistance  

Noise Figure  

r

bb

’  

NF  

I

C

=0.1mA  

f=1.0KHz  

1.0  

dB  

2

/

6  

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

电参数曲线图

/ Electrical

 

Characteristic Curve  

3

/

6  

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

外形尺寸图

/ Package

 

Dimensions  

4

/

6  

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

印章说明

/ Marking

 

Instructions  

HHFO  

说明：  

H：   

HF：  

O: 

 

  

Note:  

H:  

为公司代码  

为型号代码  

为

h

FE

档次代码  

Company Code  

HF:  

Product Type Code  

O:  

h

FE

Classifications Symbol Code  

5

/

6  

2SC1815M  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

回流焊温度曲线图

(

无铅

) /

Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)  

说明：  

Note:  

1

、预热温度

25

～

150

℃，时间

60

～

90sec;  

2

、峰值温度

245

±

5

℃，时间持续为

5

±

0.5sec;  

3

、焊接制程冷却速度为

2

～

10

℃

/sec.  

1.Preheating:25~150

℃

, Time:60~90sec.  

2.Peak

T

e

mp.:245

±

5

℃

, Duration:5

±

0.5sec.  

3. Cooling Speed: 2~10

℃

/sec.  

耐焊接热试验条件

/ Resistance

 

to Soldering Heat Test Conditions  

温度：

260

±

5

℃  

时间：

10

±

1 sec.  

T

e

mp.:260

±

5

℃  

Time:10

±

1 sec  

包装规格

/ Packaging

 

SPEC.  

卷盘包装

/ REEL  

Package Type  

Units

包装数量  

Dimension

包装尺寸

(unit

：

mm

3

)  

Units/Reel  

Reels/Inner Box  

Units/Inner Box  

Inner Boxes/Outer Box  

Units/Outer Box  

封装形式  

Reel  

Inner Box

盒  

Outer Box

箱  

只

/

卷盘  

卷盘

/

盒  

只

/

盒  

盒

/

箱  

只

/

箱  

SOT-23  

3,000  

10  

30,000  

6

180,000  

7

〞

×8  

180×120×180  

390×385×205  

使用说明

/ Notices  

6

/

6