Foshan-Blue-Rocket-Elec-8550M
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8550M
Rev.G Jan.-2022
DATA SHEET
描述
/ Descriptions
SOT-23
塑封封装
PNP
半导体三极管。
Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征
/ Features
与
8050M
互补。
Complementary pair with 8050M.
用途
/ Applications
用于功率放大电路。
Power amplifier applications.
内部等效电路
/ Equivalent
Circuit
引脚排列
/ Pinning
3
1
2
PIN1
：
Base
PIN 2
：
Emitter
PIN 3
：
Collector
放大及印章代码
/ h
FE
Classifications & Marking
h
FE
Classifications
Symbol
B
C
D
h
FE
Range
85
～
160
120
～
200
160
～
300
Marking
HY2B
HY2C
HY2D
1
/
6
8550M
Rev.G Jan.-2022
DATA SHEET
极限参数
/ Absolute
Maximum Ratings(Ta=25
℃
)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
CBO
数值
Rating
-40
单位
Unit
V
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
V
CEO
V
EBO
I
C
-25
-6.0
V
V
-1.5
A
Base Current
I
B
-0.5
A
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
P
C
T
j
300
mW
℃
℃
150
T
stg
-55
～
150
电性能参数
/ Electrical
Characteristics(Ta=25
℃
)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
Parameter
Collector to Base Breakdown
Voltage
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
Symbol
T
e
st Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
=-0.1mA I
E
=0
-40
V
I
C
=-2.0mA I
B
=0
-25
V
V
Emitter to Base Breakdown
Voltage
I
E
=-0.1mA
I
C
=0
-6.0
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
I
CBO
I
EBO
V
CB
=-35V
V
EB
=-6.0V
I
E
=0
I
C
=0
-0.1
-0.1
300
μA
μA
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE
=-1.0V I
C
=-100mA
V
CE
=-1.0V I
C
=-800mA
V
CE
=-1.0V I
C
=-5.0mA
85
40
45
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
I
C
=-800mA I
B
=-80mA
V
BE(sat)
I
C
=-800mA I
B
=-80mA
-0.28
-0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
-0.98
-0.66
200
-1.2
-1.0
V
V
V
BE
f
T
V
CE
=-1.0V I
C
=-10mA
Transition Frequency
V
CE
=-10V
I
C
=-50mA
I
E
=0
100
MHz
V
CB
=-10V
f=1.0MHz
Collector Output Capacitance
C
ob
15
pF
2
/
6
8550M
Rev.G Jan.-2022
DATA SHEET
印章说明
/ Marking
Instructions
HY2B
说明：
H
：
Y2
：
B
：
为公司代码
为型号代码
为
h
FE
档次代码
Note:
H
：
Y2
：
B
：
Company Code
Product Type Code
h
FE
Classifications Symbol Code
5
/
6
8550M
Rev.G Jan.-2022
DATA SHEET
回流焊温度曲线图
(
无铅
) /
Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)
350
300
245±5℃
5±0.5 sec
250
200
150
60~90 sec
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240
260 280
Time(sec)
说明：
Note:
1
、预热温度
150
～
180
℃，时间
60
～
90sec;
2
、峰值温度
245
±
5
℃，时间持续为
5
±
0.5sec;
3
、焊接制程冷却速度为
2
～
10
℃
/sec.
1.Preheating:150~180
℃
, Time:60~90sec.
2.Peak
T
e
mp.:245
±
5
℃
, Duration:5
±
0.5sec.
3. Cooling Speed: 2~10
℃
/sec.
耐焊接热试验条件
/ Resistance
to Soldering Heat Test Conditions
温度：
260
±
5
℃
时间：
10
±
1 sec.
T
e
mp.:260
±
5
℃
Time:10
±
1 sec
包装规格
/ Packaging
SPEC.
卷盘包装
/ REEL
Package Type
Units
包装数量
Dimension
包装尺寸
(unit
：
mm
3
)
Units/Reel
Reels/Inner Box
Units/Inner Box
Inner Boxes/Outer Box
Units/Outer Box
封装形式
Reel
7
〞
×8
Inner Box
盒
Outer Box
箱
只
/
卷盘
卷盘
/
盒
只
/
盒
盒
/
箱
只
/
箱
SOT-23
3,000
10
30,000
6
180,000
180×120×180
390×385×205
使用说明
/ Notices
6
/
6
