Foshan-Blue-Rocket-Elec-BR2N7002AK2
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BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
描述
/ Descriptions
SOT-23
塑封封装
N
沟道
MOS
场效应管。
N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.
特征
/ Features
灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流。静电保护达
2KV
，无卤产品。
Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2K
V
,
H
F Product.
用途
/ Applications
用作一般的开关和相位控制。
Intended for use in general purpose switching and phase control applications.
内部等效电路
/ Equivalent
Circuit
引脚排列
/ Pinning
3
1
2
PIN1
：
G
PIN 2
：
S
PIN 3
：
D
印章代码
/ Marking
Marking
702K2
1
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
极限参数
/ Absolute
Maximum Ratings(Ta=25
℃
)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
DSS
数值
Rating
60
单位
Unit
V
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
V
DGR
60
300
V
I
D
（
T
a
=25
℃）
Drain Current – Continuous
mA
210
I
D
（
T
a
=85
℃）
Drain Current – Pulsed(Note 1)
Gate-Source Voltage – Continuous
Power Dissipation
I
DM
1200
±20
mA
V
V
GSS
P
D
350
mW
℃
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
T
j
150
T
stg
℃
-55
～
150
300
R
θ
JA(Steady State)
R
θ
JA(t
≤
5s)
Maximum Junction-to-Ambient(Note 2)
℃
/W
92
Note 1) Pulse Width10us, Duty Cycle 1%
Note 2)Surface
−
mounted on FR4 board using 1 sq in pad size with 1 oz Cu
电性能参数
/ Electrical
Characteristics(Ta=25
℃
)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
DSS
测试条件
最小值 典型值
最大值 单位
T
e
st Conditions
Min
60
Typ
Max
Unit
V
Drain–Source Breakdown Voltage
V
GS
=0
I
D
=250μA
V
DS
=60V
V
GS
=±20V
I
D
=0.5A
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage current
I
DSS
I
GSS
V
GS
=0
1.0
±10
2.3
2.7
μA
μA
Ω
V
DS
=0V
R
DS(on)(1)
V
GS
=10V
R
DS(on)(2)
V
GS
=5V
Static Drain-Source On-Resistance
I
D
=0.05A
1.7
1.5
Ω
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
=0V
I
S
=250mA
1.5
2.5
V
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Input Capacitance
V
GS(th)
Y
fs
V
DS
=V
GS
V
DS
=10V
I
D
=250uA
I
D
=0.2A
1.0
80
V
mS
Ciss
50
25
5
VGS=0V, f=1MHz,
VDS=20V
Output Capacitance
Coss
Crss
Q
G(TOT)
Q
G(TH)
Q
GS
pF
nC
Reverse Transfer Capacitance
T
o
tal Gate Charge
0.7
0.1
0.3
0.1
Threshold Gate Charge
Gate
−
to
−
Source Charge
Gate
−
to
−
Drain Charge
VGS=4.5V, VDS=10V;
ID=200 mA
Q
GD
2
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
电性能参数
/ Electrical
Characteristics(Ta=25
℃
)
参数
Parameter
符号
Symbol
t
d(ON)
测试条件
最小值 典型值
最大值 单位
T
e
st Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Turn
−
On Delay Time
30.5
Rise Time
t
r
t
d(OFF)
t
f
22.5
252
131
VGS =10V,
VDD=25V,
ID=500mA, RG=25
Ω
ns
Turn
−
Off Delay Time
Fall Time
3
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
电参数曲线图
/ Electrical
Characteristic Curve
4
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
电参数曲线图
/ Electrical
Characteristic Curve
10us
R
DS(ON)
limited
100us
1ms
10ms
DC
100ms
1s
T
J(Max)
=150
℃
T
A
=25
℃
Single Pulse
5
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
印章说明
/ Marking
Instructions
702K2
说明：
702K2
： 为型号代码
Note:
702K2: Product
Type
7
/
8
BR2N7002AK2
Rev.B Apr.-2022
DATA SHEET
回流焊温度曲线图
(
无铅
) /
Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)
350
300
245±5℃
5±0.5 sec
250
200
150
60~90 sec
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240
260 280
Time(sec)
说明：
Note:
1
、预热温度
150
～
180
℃，时间
60
～
90sec;
2
、峰值温度
245
±
5
℃，时间持续为
5
±
0.5sec;
3
、焊接制程冷却速度为
2
～
10
℃
/sec.
1.Preheating:150~180
℃
, Time:60~90sec.
2.Peak
T
e
mp.:245
±
5
℃
, Duration:5
±
0.5sec.
3. Cooling Speed: 2~10
℃
/sec.
耐焊接热试验条件
/ Resistance
to Soldering Heat Test Conditions
温度：
260
±
5
℃
时间：
10
±
1 sec.
T
e
mp.:260±5
℃
Time:10±1 sec
包装规格
/ Packaging
SPEC.
卷盘包装
/ REEL
Package Type
Units
包装数量
Dimension
包装尺寸
(unit
：
mm
3
)
Units/Reel
Reels/Inner Box
Units/Inner Box
Inner Boxes/Outer Box
Units/Outer Box
封装形式
Reel
7
〞
×8
Inner Box
盒
Outer Box
箱
只
/
卷盘
卷盘
/
盒
只
/
盒
盒
/
箱
只
/
箱
SOT-23
3,000
10
30,000
6
180,000
180×120×180
390×385×205
使用说明
/ Notices
8
/
8
