Foshan-Blue-Rocket-Elec-SI2302

SI2302  

Rev.F Apr.-2017  

DATA SHEET  

描述

/ Descriptions  

SOT-23 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。

N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.  

特征

/ Features  

芯片采用超高密度圆胞设计技术，R

DS(ON)

导通电阻小，SOT-23 封装。  

Super high dense cell design for low R

DS(ON)

,SOT-23 package.  

用途

/ Applications  

电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。  

Battery management,High speed switch,low power DC to DC converter.  

内部等效电路

/ Equivalent

 

Circuit  

引脚排列

/ Pinning  

3

1

2

PIN1

：

G  

PIN 2

：

S  

PIN 3

：

D  

印章代码

/ Marking  

Marking  

A2H  

1

/

6  

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DATA SHEET  

极限参数

/ Absolute

 

Maximum Ratings(Ta=25

℃

)  

参数  

Parameter  

符号  

Symbol  

V

DSS  

数值  

Rating  

20  

单位  

Unit  

V

Drain-Source Voltage  

Gate-Source Voltage  

V

GSS  

I

D  

I

DM  

I

S  

±8  

3.0  

V

A

Drain Current – Continuous  

Pulsed Drain Current  

10  

A

Continuous Source Current  

Power Dissipation  

0.95  

0.9  

A

P

D  

T

stg  

W

℃

Storage Temperature Range  

-55

～

150  

电性能参数

/ Electrical

 

Characteristics(Ta=25

℃

)  

参数  

符号  

测试条件  

最小值 典型值 最大值 单位  

Parameter  

Symbol  

T

e

st Conditions  

Min  

Typ  

Max Unit  

Drain–Source Breakdown Voltage

 

V

(BR)DSS

V

GS

=0  

I

D

=10

μ

A  

V

DS

=20V  

V

DS

=0V  

I

D

=3.6A  

I

D

=3.1A  

I

D

=3.6A  

20  

V

Zero Gate Voltage Drain Current  

Gate–Body Leakage.  

I

DSS  

I

GSS  

V

GS

=0  

1.0  

±100  

60  

μ

A  

nA  

m

Ω  

m

Ω  

S

V

GS

=±8V  

R

DS(on)1

V

GS

=4.5V  

R

DS(on)2

V

GS

=2.5V  

Static Drain–Source  

On–Resistance  

115  

Forward Transconductance  

g

FS  

V

DS

=5V  

V

GS

=0V  

8

Drain–Source Diode Forward  

Voltage  

V

SD  

I

D

=1.25A  

0.75  

1.2  

1.0  

V

Gate Threshold Voltage  

State Drain Current  

Turn–On Delay Time  

Turn–On Rise Time  

Turn–Off Delay Time  

Turn–Off Fall Time  

V

GS(th)  

I

D(on)  

t

d(on)  

t

r  

V

DS

=V

GS  

V

DS

=5V  

I

D

=50

μ

A  

0.50  

4

V

A

V

GS

=2.5V  

7

V

DD

=10V  

V

GEN

=4.5V  

R

GEN

=6

Ω  

I

D

=3.6A  

55  

15  

10  

ns  

t

d(off)  

t

f  

R

L

=2.8

Ω  

2

/

6  

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电参数曲线图

/ Electrical

 

Characteristic Curve  

3

/

6  

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外形尺寸图

/ Package

 

Dimensions  

4

/

6  

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印章说明

/ Marking

 

Instructions  

A2H  

说明：  

A2:  

H:  

为型号代码  

为公司代码  

Note:  

A2

：  

H:  

Product Type Code  

Company Code.  

5

/

6  

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回流焊温度曲线图

(

无铅

) /

Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)  

说明：  

Note:  

1

、预热温度

25

～

150

℃，时间

60

～

90sec;  

2

、峰值温度

245

±

5

℃，时间持续为

5

±

0.5sec;  

3

、焊接制程冷却速度为

2

～

10

℃

/sec.  

1.Preheating:25~150

℃

, Time:60~90sec.  

2.Peak

T

e

mp.:245

±

5

℃

, Duration:5

±

0.5sec.  

3. Cooling Speed: 2~10

℃

/sec.  

耐焊接热试验条件

/ Resistance

 

to Soldering Heat Test Conditions  

温度：

260

±

5

℃  

时间：

10

±

1 sec.  

T

e

mp.:260

±

5

℃  

Time:10

±

1 sec  

包装规格

/ Packaging

 

SPEC.  

卷盘包装

/ REEL  

Package Type  

Units

包装数量  

Dimension

包装尺寸

(unit

：

mm

3

)  

Units/Reel  

Reels/Inner Box  

Units/Inner Box  

Inner Boxes/Outer Box  

Units/Outer Box  

封装形式  

Reel  

Inner Box

盒  

Outer Box

箱  

只

/

卷盘  

卷盘

/

盒  

只

/

盒  

盒

/

箱  

只

/

箱  

SOT-23  

3,000  

10  

30,000  

6

180,000  

7

〞

×8  

180×120×180  

390×385×205  

使用说明

/ Notices  

6

/

6