Hangzhou-Silan-Microelectronics-SGM75HF12A1TFD1
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
75A
，
1200V IGBT
模块
描述
SGM75HF12A1TFD
模块性能优良
，
适
用于不间断电源
，
交
流变频驱
动器、电焊机等。
主要特点
75A
，
1200V
，
V
CE(sat)(
)
=2.2V@I
C
=75A
典型值
V
CE(sat)
带正温度系数
A1
高抗短路能力
低开关损耗
绝缘铜底板，采用
DBC
技术
命名规则
S G M 7 5 H F 1 2 A 1 T F D
特征及产品等级：
TF
表示短开关时间 ，
D
表示工业级
IGBT
模块系列
封装形式：
铜底板
, DBC,
额定电流：如
75=75A
电路配置
:
半桥
94mm×34mm×30mm
电压：如
12=1200V
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
包装方式
纸箱
SGM75HF12A1TFD
A1
SGM75HF12A1TFD
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
集电极
–
发射极电压
栅极
–
发射极电压
符号
V
CE
V
GE
I
C
参数范围
单位
V
1200
±20
V
集电极电流
集电极重复脉冲电流
工作结温范围
储存温度范围
隔离电压
T
C
=80°C
T
C
=80°C
75
A
I
CRM
T
J
150
A
-40
～
+125
-40
～
+125
2500
C
C
V
T
stg
V
iso
Ms
Mt
散热器
M6
接线端
M5
重量
3~5
Nm
Nm
g
2.5~5
160
W
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.6
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
热阻特性
参数
结
–
壳热阻
(
单个
IGBT)
结
–
壳热阻
(
单个
FRD)
结
–
环境热阻
符号
R
θJC
R
θJC
R
θ
CS
参数范围
0.33
单位
C/W
C/W
C/W
0.56
0.03
IGBT
电气特性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
符号
V
CEsat
V
GEth
测试条件
I
C
=75A
，
V
GE
=15V
，
=
25°C
最小值
典型值
2.2
最大值
2.8
—
单位
—
—
—
4.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
T
j
V
集电极
–
发射极饱和电压
I
C
=75A
，
V
GE
=15V
，
=1
25°C
2.4
T
j
I
C
=75A
，
V
GE
=15V
，
=1
50°C
2.5
—
T
j
V
mA
nA
Ω
栅极阈值电压
集电极
–
发射极截止电流
栅极
–
发射极漏电流
内部栅极电阻
输入电容
I
C
=
，
V
CE
=V
GE
，
=
25°C
T
j
5.0
6.7
1
250μA
I
V
CE
=1200V
，
V
GE
=0V
，
=
25°C
—
T
j
CES
I
V
CE
=0V
，
V
GE
=20V
，
=
25°C
—
500
—
T
j
GES
R
Gint
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
=
25°C
T
j
4.8
4.79
0.72
0.25
0.53
0.11
0.12
0.12
0.09
0.95
0.10
0.50
0.52
0.54
0.18
0.27
0.29
11
—
f
=1MHz
，
=25°C
，
T
j
输出电容
—
nF
µC
µs
V
CE
=25V
，
V
GE
=0V
反向传输电容
栅极电荷
—
V
GE
=-15V—+15V
—
=
25°C
—
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
T
j
=1
25°C
=1
50°C
开通延迟时间
t
d(on)
—
—
=
25°C
—
t
r
=1
25°C
=1
50°C
上升时间
—
µs
µs
µs
mJ
mJ
—
=
25°C
—
=1
25°C
=1
50°C
关断延迟时间
t
d(off)
—
I
C
=75A
，
V
CE
=600V
—
V
GE
=±15V
，
R =35
Ω
，
G
=
25°C
—
感性负载
=1
25°C
=1
50°C
下降时间
t
f
—
—
=
25°C
—
E
on
=1
25°C
=1
50°C
开通损耗能量
(
每脉冲
)
关断损耗能量
(
每脉冲）
14
—
16
—
=
25°C
4.2
—
E
off
=1
25°C
=1
50°C
4.8
—
5.2
—
V
GE
=15V
，
V
CC
=600V
，
≤
t
P
10µs
，
I
短路数据
—
—
420
—
—
A
SC
=
T
j
25°C
结－外壳热阻
R
θJC
每个
IGBT
0.35
C/W
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
在开关状态下温度
T
j
op
—
-40
—
125
°C
FRD
电气特性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
符号
测试条件
=0V
最小值
典型值
最大值
单位
V
V
V
T
C
=25
C
IF=75A
，
IF=75A
，
IF=75A
，
，
—
—
2.1
1.7
—
—
GE
V
GE
=0V
，
T
V
F
C
=125
C
C
=150
C
正向电压
GE
=0V
，
T
—
1.7
—
T
T
T
T
T
T
T
T
T
—
62
—
C
=25
C
I
RM
反向恢复峰值电流
恢复电荷
—
88
—
A
C
=125
C
C
=150
C
C
=25
C
—
109
4.3
—
—
—
I
f
=75A
，
di/dt=710
A/μs
，
Q
r
—
9.9
—
μC
mJ
C
=125
C
C
=150
C
C
=25
C
V
GE
=-15V
V
R
=600V
，
—
12.6
0.38
1.40
1.76
0.69
—
—
—
—
反向恢复损耗（每
脉冲）
E
rec
—
—
C
=125
C
C
=150
C
—
—
结－外壳热阻
R
θJC
每个二极管
—
—
K/W
°C
T
C
在开关状态下温度
—
-40
125
op
IGBT
模块
(
最大额定值
) (
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
符号
V
ISOL
—
测试条件
RMS
，
f
=50Hz
，
t=1
min
数值
2.5
单位
kV
—
绝缘测试电压
模块基板材料
内部绝缘
—
Cu
—
Al
O
3
2
—
基本绝缘
(class1
，
IEC61140)
—
端子
–
散热片
端子
–
端子
端子
–
散热片
端子
–
端子
—
17
20
mm
爬电距离
—
—
17
mm
—
电气间隙
—
9.5
相对电痕指数
CTI
>200
IGBT
模块
(
电参数
) (
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
杂散电感，模块
符号
测试条件
最小值
—
典型值
30
最大值
—
单位
nH
mΩ
°C
L
—
sCE
R
CC’+EE’
模块引线电阻，端子
–
芯片
储存温度
T
C
=25°C
，每个开关
—
0.65
—
—
T
stg
M
—
-40
3.0
2.5
—
125
5.0
5.0
—
Nm
Nm
g
模块安装的安装扭距
端子联接扭距
重量
螺丝
M6
螺丝
M5
—
M
—
G
—
160
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
典型特性曲线
图
1.
典型输出特性
,
逆变器
图
2.
典型输出特性
,
逆变器
(150°C)
150
120
90
60
30
0
150
9V
25°C
125°C
150°C
11V
13V
15V
120
17V
19V
90
60
30
0
5
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
1
2
3
4
集电极
–
发射极电压 –
V
CE
(V)
集电极
–
发射极电压 –
V
CE
(V)
图
3.
传输特性
图
4.
开关损耗
vs.
集电极电流
150
120
90
60
30
0
24
20
16
12
8
Eon_125°C
Eoff_125°C
Eon_150°C
Eoff_150°C
25°C
125°C
150°C
4
0
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
30
60
90
120
150
栅极
–
发射极电压 –
V
GE
(V)
集电极电流
– I
C
(A)
图
6.
瞬态热阻抗
图
5.
开关损耗
vs.
栅极电阻
1
20
16
12
8
Eon_125°C
Eoff_125°C
Eon_150°C
Eoff_150°C
Zthjh:IGBT
0.1
4
i
R(K/W) 0.136 0.031
0.021 0.027
T(s) 0.005
0.477 0.044
0.002
1
2
3
4
0
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
时间
(ts)
栅极电阻
– R
g
(
Ω
)
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
典型特性曲线（续）
图
7.
二极管正向特性
,
逆变器
图
8.
二极管开关损耗
vs.
集电极电流
150
120
90
60
30
0
2.5
25°C
125°C
150°C
2.0
1.5
1.0
0.5
0
150°C
125°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
30
60
90
120
150
电压
– VF(V)
集电极电流
– I
C
(A)
图
9.
二极管开关损耗
vs.
电阻
图
10.
二极管瞬态热阻抗
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
Zthjh:FRD
150°C
125°C
i
1
2
3
4
R(K/W) 0.319 0.076
0.030 0.087
T(S) 0.056
0.400 0.001
0.057
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
2
4
6
8 10
12 14 16 18 20 22
时间
(ts)
栅极电阻
– R
g
(
Ω
)
电路图
6
7
1
2
3
5
4
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士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
封装外形图
A1
单位
:
毫米
2.8
M5
4
.
6
–
2
23
23
80±0.2
94±0.2
重要注意事项：
1.
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。
2.
客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包
括其中的电路操作注意事项。
3.
我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。
4.
在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有
一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并
采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
5.
购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。
6.
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.6
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页
士兰微电子
SGM75HF12A1TFD
说明书
产品名称：
SGM75HF12A1TFD
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.6
修改记录：
1.
修改说明书模板（曲线模板，封装外形图，声明部分）
本：
1.5
修改记录：
版
1.
更新电参数和全部曲线曲线
2.
修改封装外形图
版
本：
1.4
修改记录：
1.
更新电参数、描述、主要特点和曲线
2.
修改命名规则：删除
T
F
解释中的槽栅
版
本：
修改记录：
1.
更新电参数
本：
1.2
修改记录：
1.
更新电参数
本：
1.1
修改记录：
1.3
版
版
1.
修改
FRD
电气特性参数
2.
修改产品规格分类
版
本：
1.0
修改记录：
1.
正式发布版本
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.6
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7
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