Hangzhou-Silan-Microelectronics-SGT40T120FD1P7
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SGT40T120FD1P7
说明书
40A
、
1200V
绝缘栅双极型晶体管
描述
SGT40T120FD1P7
绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止
（
Trench Field Stop
）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温
度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热，
UPS
，
SMPS
以及
PFC
等领域。
特点
40A
，
1200V
，
V
CE
典型值
=2.1V@I =40A
(sat)(
)
C
低导通损耗
超快开关速度
高击穿电压
命名规则
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
环保等级
包装
无铅
料管
SGT40T120FD1P7
TO-247-3L
40T120FD1
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参
集电极
–
射极电压
栅极
–
射极电压
数
符 号
V
CE
参数范围
1200
±20
单位
V
V
V
GE
T
C
=25°C
80
A
集电极电流
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
C
=100°C
40
A
集电极脉冲电流
120
A
360
W
耗散功率（
T
C
=25
°
C
）
–
大于
25
°
C
每摄氏度减少
2.88
W/
°
C
°
C
工作结温
-55
～
+150
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.0
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页
士兰微电子
SGT40T120FD1P7
说明书
参
数
符 号
参数范围
单位
贮存温度
T
stg
-55
～
+150
°
C
热阻特性
参
数
符
号
参数范围
单位
芯片对管壳热阻（
IGBT
）
芯片对管壳热阻（
FRD
）
芯片对环境的热阻
R
θJC
0.26
°
C/W
R
θJC
R
θJA
1.3
40
°
C/W
°
C/W
IGBT
电性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参
数
符 号
测试条件
V
GE
=0V
，
I
C
=1mA
最小值
典型值
最大值
单位
集射击穿电压
集射漏电流
栅射漏电流
栅极开启电压
BV
CE
1200
—
—
V
I
CES
I
GES
V
CE
=1200V
，
V
GE
=0V
V
GE
=20V
，
V
CE
=0V
—
—
—
—
500
±400
7.5
2.5
—
μ
A
nA
V
V
GE(th)
I
C
=4.0mA
，
V
CE
=V
GE
I
C
=40A
，
V
GE
=15V
3.5
—
6.0
2.1
2.4
5400
V
饱和压降
V
CE(sat)
I
C
=40A
，
V
GE
=15V
，
T
C
=125
°
C
—
V
输入电容
C
ies
C
oes
C
res
T
d(on)
T
r
—
—
V
CE
=30V
GE
=0V
输出电容
V
pF
ns
—
126
—
f=1MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通损耗
—
—
93
42
—
—
—
—
54
290
160
2.8
1.9
4.7
222
2.9
130
—
—
V
CE
=600V
I
C
=40A
T
d(off)
T
f
R
g
=10Ω
—
—
—
—
V
GE
=15V
E
on
E
off
E
st
感性负载
关断损耗
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mJ
nC
开关损耗
栅电荷
Q
g
V
CE
= 600V
，
I
C
=40A
，
发射极栅电荷
集电极栅电荷
Q
ge
Q
gc
V
GE
= 15V
FRD
电性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参
数
符 号
测试条件
I
F
= 25A
，
T
C
=25
°
C
最小值
典型值
最大值
单位
—
2.3
3.1
二极管正向压降
V
fm
V
I
F
= 25A
，
T
C
=125
°
C
—
—
—
2.1
130
0.92
—
—
—
二极管反向恢复时间
二极管反向恢复电荷
T
rr
I
ES
=25A
，
dI
ES
/dt = 200A/μs
I
ES
=25A
，
dI
ES
/dt = 200A/μs
ns
Q
rr
μ
C
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士兰微电子
SGT40T120FD1P7
说明书
典型特性曲线
图
1.
典型输出特性
图
2.
典型输出特性
180
150
120
90
180
V
GE
=20V
V
GE
=20V
V
GE
=15V
V
GE
=12V
V
GE
=10V
V
GE
=15V
V
GE
=12V
V
GE
=10V
150
120
90
60
30
0
V
GE
=8V
V
GE
=8V
60
共射极
T
C
=25°C
30
共射极
T
C
=125°C
0
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
集电极
–
发射极电压
–
V
CE
(V)
集电极
–
发射极电压
–
V
CE
(V)
图
3.
典型饱和电压特性
共射极
V
GE
=15V
图
4.
传输特性
180
150
120
90
100
80
共射极
V
GE
=15V
60
40
60
20
0
30
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
0
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
集电极
–
发射极电压
–
V
CE
(V)
栅极
–
发射极电压
–
V
GE
(V)
图
5.
饱和电压
vs.
栅极
–
发射极电压
图
6.
饱和电压
vs.
栅极
–
发射极电压
30
25
20
15
10
5
30
25
20
15
10
5
I
C
=20A_25°C
I
C
=40A_25°C
I
C
=80A_25°C
I
C
=20A_125°C
I
C
=40A_125°C
I
C
=80A_125°C
0
0
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
6
8
10 12 14 16 18 20
栅极
–
发射极电压
–
V
GE
(V)
栅极
–
发射极电压
–
V
GE
(V)
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士兰微电子
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说明书
典型特性曲线（续）
图
7.
电容特性
图
8.
栅极电荷特性
15
10000
8000
6000
4000
2000
0
共射极
T
C
=25°C
12
9
6
Cies(pF)
Coes(pF)
Cres(pF)
V
C
=200V
3
V
C
=400V
V
C
=600V
0
10
100
0
50
100
150
200
250
300
1
集电极
–
发射极电压
–
V
CE
(V)
栅极电荷
–
Qg(nC)
图
10.
关断特性
vs.
栅极电阻
图
9.
开
启特性
vs.
栅极电阻
10000
1000
100
10000
1000
100
共射极
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
共射极
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
I
C
=40A,T
C
=25°C
I
C
=40A,T
C
=25°C
Tdon (nS)
Tf (ns)
Tdoff (nS)
Tf (ns)
10
10
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
栅极电阻
– Rg(
Ω
)
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
栅极电阻
– Rg(
Ω
)
图
11.
开关损耗
vs
栅极电阻
图
12.
开启特性
vs
集电极电流
1000
1000
共射极
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
R
G
=10
Ω
,T
C
=25°C
100
100
共射极
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
I
C
=40A,T
C
=25°C
Eon
Eoff
Tdon
Tr
10
10
10
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
20
30
40
50
60
栅极电阻
– Rg(
Ω
)
集电极电流
– I
C
(A)
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说明书
典型特性曲线（续）
图
13.
关断特性
vs
集电极电流
图
14.
关断损耗
vs
集电极电流
1000
1000
100
100
共射极
共射极
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
V
CC
=600V,V
GE
=15V,
R
G
=10
Ω
,T
C
=25°C
R
G
=10
Ω
,T
C
=25°C
Tdoff
Tr
Eon
Eoff
10
10
10
10
20
30
40
50
60
20
30
40
50
60
集电极电流
– I
C
(A)
图
15.
正向特性
集电极电流
– I
C
(A)
图
16.
反向恢复时间
vs
正向电流
140
130
120
110
100
90
100
10
di/dt=200V/us
di/dt=100V/us
T
C
=25°C
T
C
=125°C
1
10
20
30
40
0
1
2
3
4
正向电流
– I
F
(A)
正向电压
– V
F
(V)
图
17.
反向恢复电荷
vs
正向电流
900
800
700
600
500
400
300
di/dt=200V/us
di/dt=100V/us
10
20
30
40
正向电流
– I
F
(A)
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士兰微电子
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说明书
封装外形图
单位：
mm
TO-247-3L
5.0
±
0.1
2.0
±
0.1
15.8
±
0.2
2.5
±
0.1
2.5±
0.1
6.2
±
0.2
0.59
～
0.66
2.41
±
0.1
1.96
～
2.06
1.16
～
1.26
2.96
～
3.06
5.44BSC
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能
，
买
方有责任在使用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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说明书
产品名称：
SGT40T120FD1P7
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.0
作
者：
张科锋
修改记录：
1.
正式版本发布
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.0
共
7
页 第
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