Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF10N65CFJ
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士兰微电子
SVF10N65CFJ
说明书
10A
、
650V N
沟道增强型场效应管
描述
2
SVF10N65CFJ N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶体管采用士
兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造
。
先
进的工艺及元胞
结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击
穿耐量。
1
3
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
特点
10A
，
650V
，
R
DS(on)(
典型值
=0.80
@V
GS
=10V
)
1
2
3
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
TO-220FJ-3L
提升了
dv/dt
能力
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
环保等级
包装方式
SVF10N65CFJ
TO-220FJ-3L
10N65CFJ
无卤
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
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士兰微电子
SVF10N65CFJ
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
符号
参数范围
650
单位
V
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
±30
V
T
C
= 25°C
10.0
漏极电流
I
D
A
T
C
= 100°C
6.3
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
40
A
W
50
耗散功率（
T
C
=25
C
）
–
大于
25
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注
1
）
0.4
W/
C
mJ
E
AS
dv/dt
dv/dt
T
J
618
反向二极管
dv/dt
（注
2
）
MOS
管
dv/dt
耐用性（注
3
）
工作结温范围
4.5
V/ns
V/ns
C
50
-55
～
+150
-55
～
+150
贮存温度范围
T
stg
C
热阻特性
参数
芯片对管壳热阻
符号
R
θJC
R
θJA
参数范围
2.5
单位
C/W
C/W
芯片对环境的热阻
62.5
电性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
g
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=650V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=5.0A
f=1.0MHz
最小值
典型值
—
最大值
—
单位
V
650
—
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
—
1.0
±100
4.0
1.0
—
µA
nA
V
—
—
2.0
—
—
0.8
5.0
1100
130
13
栅极电阻
—
输入电容
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
输出电容
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
f=1.0MHz
—
—
pF
ns
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
—
—
—
21
—
—
41
—
V
DD
=325V
，
R
G
=25
Ω
，
I
D
=10A
(
注
4
，
5)
t
d(off)
t
f
—
82
—
—
43
—
Q
g
—
29
—
V
DS
=520V
，
I
D
=10A
，
V
GS
=10V
(
注
4
，
5)
Q
gs
—
6.2
13
—
nC
Q
gd
—
—
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士兰微电子
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说明书
源
–
漏二极管特性参数
参数
源极电流
符号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
10
单位
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
T
rr
—
40
I
S
=10A
，
V
GS
=0V
—
1.3
—
V
I
S
=10A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µs
（注
4
）
561
4.3
ns
µC
Q
rr
—
注：
1. L=30mH
，
I
AS
=6.0A
，
V
DD
=100V
，
R
G
=25
，开始温度
T
J
=25
C
；
2. V
DS
=0~400V
，
I
SD
<=10A
，
T
J
=25
C
；
3. V
DS
=0~480V
；
4.
脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
5.
基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
10
1
100
变量
V
GS
=4.5V
-55°C
25°C
V
GS
=5V
150°C
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
10
V
GS
=7V
V
GS
=8V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
1
注：
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
漏源电压 –
V
DS
(V)
栅源电压–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流和栅极电压
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
-55°C
25°C
990
V
GS
=10V
V
GS
=20V
970
950
930
910
890
870
850
830
150°C
10
1
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
源漏电压 –
V
SD
(V)
漏极电流 –
I
D
(A)
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说明书
典型特性曲线（续）
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
12
2500
2000
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
10
8
1500
1000
C
iss
C
oss
C
rss
6
4
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
500
0
2
0
注：
I
D
=10.0A
0.1
1
10
100
20
30
0
10
漏源电压 –
V
DS
(V)
总栅极电荷 –
Q
g
(nC)
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
1.2
1.1
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=5.0A
-100 -50
0
50
100 150 200
-100 -50
0
50
100 150 200
结温 –
T
J
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图
9.
最大安全工作区域
图
10.
最大漏电流
vs.
壳温
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
12
10
8
100µs
1ms
10ms
6
DC
此区域工作受限于
R
DS(ON)
4
注：
2
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
0
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温 –
T
C
(°C)
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说明书
典型测试电路
与待测器件
参数一致
V
GS
10V
Qg
V
DS
V
GS
Qgs
Qgd
待测
器件
Vgs(th)
Ig
Qg(th)
Charge
栅极电荷量测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
待测
R
G
V
DD
10%
器件
V
GS
V
GS
td
(off)
td
(on)
tr
t
on
t
f
t
off
开关时间测试电路及波形图
BV
DSS
BV
DSS
L
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
V
DS
I
D
V
DD
BV
DSS
I
AS
待测
R
G
V
DD
器件
I
D(t)
V
DS(t)
V
GS
V
DD
tp
Time
tp
E
AS
测试电路及波形图
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士兰微电子
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说明书
封装外形图
单位
: mm
TO-220FJ-3L
A
E
A1
MILLIMETER
SYMBOL
P
MIN
NOM
MAX
A
4.42
4.70
5.02
Q
A1
A3
b
2.30
2.50
0.55
2.54
2.76
0.70
2.80
3.10
0.85
1.29
H1
b2
D
c
D
0.35
0.50
0.65
D1
15.25 15.87 16.25
13.97 14.47
14.97
10.58 11.08 11.58
D1
D2
E
9.73
10.16 10.36
2.54BSC
L1
e
b2
H1
L
6.40
6.68
7.00
L
12.48 12.98 13.48
2.00
D2
L1
P
3.00
3.05
3.18
3.30
3.40
3.55
Q
e
b
A3
c
重要注意事项：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新
和完整。
我司产品属于消费类和
/
或民用类电子产品。
在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有
一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并
采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。
转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.5
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说明书
产品名称：
SVF10N65CFJ
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.5
修改记录：
1.
删除命名规则
2.
修改声明
本：
1.4
修改记录：
版
1.
修改产品规格分类
2.
增加
dv/dt
，
RG
3.
更新典型测试电路图
4.
更新声明部分
版
本：
修改记录：
1.
修改典型特性曲线
本：
1.2
修改记录：
1.
修改
TO-220F-3
L
封装信息
本：
1.1
修改记录：
1.
修改特性曲线
本：
1.0
修改记录：
1.3
版
版
版
1.
正式发布版本
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.5
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7
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