Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF12N65CKL
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SVF12N65CF/K/S/KL/FQ
说明书
12A
、
650V N
沟道增强型场效应管
描述
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶
体管采用士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造
。
先
进的
工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很
高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
特点
12A
，
650V
，
R
DS(on)
（典型值）
=0.64
Ω
@V
GS
=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
能力
产品命名规则
产品规格分类
产品名称
SVF12N65CF
SVF12N65CK
SVF12N65CS
SVF12N65CSTR
SVF12N65CKL
SVF12N65CFQ
封装形式
TO-220F-3L
TO-262-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-262L-3L
TO-220FQ-3L
打印名称
SVF12N65CF
SVF12N65CK
12N65CS
环保等级
无卤
包装
料管
料管
料管
编带
料管
料管
无卤
无卤
无卤
12N65CS
无卤
12N65CKL
12N65CFQ
无卤
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.6
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士兰微电子
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参数范围
参
数
符 号
单位
SVF12N65CF/FQ
SVF12N65CK/KL
SVF12N65CS
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
V
V
650
±30
12
T
C
=25°C
漏极电流
I
D
A
T
C
=100°C
7.6
漏极脉冲电流
耗散功率（
T
C
=25
°
C
）
–
大于
25
°
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注
1
）
I
DM
A
W
48
51
209
1.67
790
210
P
D
W/
°
C
mJ
°
C
0.41
1.68
E
AS
T
J
工作结温范围
贮存温度范围
-55
～
+150
-55
～
+150
T
stg
°
C
热阻特性
参数范围
SVF12N65CK/KL
0.6
参
数
符
号
单位
SVF12N65CF/FQ
SVF12N65CS
0.60
芯片对管壳热阻
R
θJC
R
θJA
°
C/W
°
C/W
2.44
62.5
芯片对环境的热阻
62.5
62.5
电气参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参
数
符 号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
漏源击穿电压
B
VDSS
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
650
—
—
V
漏源漏电流
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
V
DS
=650V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=6.0A
—
—
—
1.0
±100
4.0
0.8
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
0.64
1390
156
15.2
25.80
46.40
82.26
42.13
32.5
7.37
14.2
Ω
输入电容
—
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
—
—
pF
ns
f=1.0MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
—
—
—
V
DD
=325V
，
I
D
=12A
，
GS
=10V
，
R
G
=24
Ω
—
—
V
t
d(off)
t
f
—
—
(
注
2
，
3)
—
—
—
—
—
Q
g
—
V
DS
=520V
，
I
D
=12A
，
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
Q
gs
V
GS
=10V
—
nC
(
注
2
，
3)
Q
gd
—
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士兰微电子
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说明书
源
–
漏二极管特性参数
参
数
符号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
12
单位
源极电流
源极脉冲电流
—
—
—
—
—
A
I
SM
V
SD
T
rr
—
48
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=12A
，
V
GS
=0V
—
1.4
—
V
I
S
=12A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µS
（注
2
）
562
5.12
ns
µC
Q
rr
—
注：
1. L=30mH
，
I
AS
=6.0A
，
V
DD
=100V
，
R
G
=25
Ω
，开始温度
T
J
=25
°
C
；
2.
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
3.
基本上不受工作温度的影响。
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士兰微电子
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说明书
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
100
10
-55°C
25°C
V
GS
=4.5V
V
GS
=5V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
V
GS
=7V
V
GS
=8V
150°C
10
V
GS
=10V
V
GS
=15V
1
1
注：
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压
–
V
DS
(V)
栅源电压
–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
1.00
0.75
0.50
-55°C
25°C
V
GS
=10V
V
GS
=20V
150°C
10
1
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
0
5
10
15
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
源漏电压
–
V
SD
(V)
漏极电流
–
I
D
(A)
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
3000
2500
2000
1500
1000
500
12
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
10
8
C
iss
6
4
C
oss
C
rss
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
2
0
注：
I
D
=12A
25 30
总栅极电荷
–
Q
g
(nC)
0
0.1
1
10
100
0
10
5
15
20
35
漏源电压
–
V
DS
(V)
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说明书
典型特性曲线（续）
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
1.2
2.5
2.0
1.5
1.0
1.1
1.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=6.0A
0.5
0.0
-100 -50
0
50
100 150 200
-100 -50
0
50
100 150 200
结温
–
T
J
(°C)
结温
–
T
J
(°C)
图
9-1.
最大安全工作区域
图
9-2.
最大安全工作区域
(SVF12N65CF/FQ)
(SVF12N65CK/KL)
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
100µs
100µs
1ms
10ms
1ms
10ms
DC
DC
此区域工作受限于
R
DS(ON)
此区域工作受限于
R
DS(ON)
10
-1
10
-2
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.R
DS(ON)
[MAX]=0.8
Ω
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.R
DS(ON)
[MAX]=0.8
Ω
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
1
10
2
10
3
漏源电压
– V
DS
(V)
漏源电压
– V
DS
(V)
图
9-3.
最大安全工作区域
(SVF12N65CS)
图
10.
最大漏极电流
vs.
壳温
10
2
10
1
10
0
14
12
10
8
100µs
1ms
10ms
DC
此区域工作受限于
R
DS(ON)
6
4
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.R
DS(ON)
[MAX]=0.8
Ω
2
0
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温
–
T
C
(°C)
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士兰微电子
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说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
Qg
10V
50K
Ω
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
GS
V
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
on
t
off
E
AS
测试电路及波形图
B
VDSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
V
DD
B
VDSS
V
DS
B
VDSS
AS
I
D
I
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
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士兰微电子
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说明书
封装外形图
TO-220F-3L
单位：毫米
1
4.42
4.70
5.02
2.30
2.50
2.54
2.76
0.80
2.80
3.10
0.70
0.90
1.47
1
0.35
0.50
0.65
15.25
15.87
16.25
15.30
9.30
15.75
9.80
16.30
10.30
9.73
10.16
10.36
2.54BCS
6.68
6.40
7.00
12.48
12.98
13.48
/
/
3.50
3.40
3.00
3.18
3.05
3.30
3.55
3
TO-262-3L
单位：毫米
A
E
SYMBOL
MIN
NOM
4.50
—
MAX
c2
A
4.30
2.20
0.71
1.20
0.34
1.22
8.38
9.80
4.70
2.92
0.97
1.50
0.76
1.35
9.30
10.54
A1
b
0.80
—
b2
c
—
c2
1.30
D
E
e
L
—
10.16
2.54 BSC
12.80
2.80
14.10
4.06
—
L1
L2
3.30
b2
—
1.12
1.42
A1
b
c
e
e
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士兰微电子
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ
说明书
封装外形图（续）
TO-263-2L
单位：毫米
A
E
c2
SYMBOL
MIN
4.30
0
NOM
4.57
MAX
4.72
0.25
A
0.10
A1
b
0.71
0.81
0.91
0.30
1.17
—
1.27
—
0.60
1.37
c
c2
D
E
e
8.50
9.80
9.35
—
10.45
2.54BSC
—
14.70
15.75
c
H
L
A1
2.00
1.12
—
2.74
1.42
2.30
1.27
L1
L2
—
1.75
b1
b
e
e
TO-262L-3L
单位：毫米
A
E
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
c2
A
4.30
2.20
0.71
1.20
0.34
1.22
8.38
9.80
4.50
4.70
2.92
0.97
1.50
0.76
1.35
9.30
10.54
A1
—
0.80
—
b
b2
c
—
c2
1.30
D
E
e
L
—
10.16
2.54 BSC
12.80
1.23
14.10
1.31
—
L1
L2
1.28
b2
—
1.12
1.42
A1
b
c
e
e
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士兰微电子
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说明书
封装外形图（续）
TO-220FQ-3L
单位：毫米
1
D
D
D
1
2
3
3
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能
，
买
方有责任在使用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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说明书
产品名称：
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.6
作
作
者：
者：
殷资
殷资
修改记录：
1.
修改典型特性曲线
本：
1.5
修改记录：
版
1.
增加
TO-262L-3L
封装
2.
增加
TO-220FQ-3L
封装
3.
修改
TO-262-3L
和
TO-263-2L
封装尺寸图
版
本：
修改记录：
1.
修改
TO-220F-3L
封装信息
本：
1.3
修改记录：
1.4
作
作
者：
者：
殷资
殷资
版
1.
修改封装立体图
2.
增加
TO-263-2L
封装及相关信息
版
本：
修改记录：
1.
增加
TO-262-3L
封装
本：
1.1
修改记录：
1.
修改热阻特性
本：
1.0
修改记录：
1.2
作
作
作
者：
者：
者：
殷资
殷资
殷资
版
版
1.
正式发布版本
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1.6
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