Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF14N65CFJ
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SVF14N65CFJ
说明书
14A
、
650V N
沟道增强型场效应管
描述
SVF14N65CFJ N
沟道增强型高压功
率
MOS
场效应晶体管采用士兰
微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的工艺及原胞
结构使得该产品具有较低的导通电阻
、
优
越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用
于
AC-DC
开关电源
，
DC-DC
电源转换器
，
高
压
H
桥
PWM
马达驱动。
特点
14A
，
650V
，
R
DS(on)
（典型值）
=0.6
@V
GS
=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升
了
dv/dt
能力
命名规则
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
环保等级
包装
无卤
料管
SVF14N65CFJ
TO-220FJ-3L
14N65CFJ
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
1.0
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SVF14N65CFJ
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参 数 名 称
符号
参数范围
单位
V
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
650
±30
V
T
C
=25°C
14
漏极电流
I
D
A
T
C
=100°C
8.9
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
56
A
W
耗散功率（
T
C
=25
C
）
45
–
大
于
25
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注
1
）
0.36
W/
C
mJ
C
E
AS
T
J
820
工作结温范围
贮存温度范围
-55
～
+150
-55
～
+150
T
stg
C
热阻特性
参 数 名 称
符 号
R
θJC
单 位
C/W
C/W
参数范围
2.78
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
R
θJA
62.5
电气参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参 数 名 称
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=650V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=7.0A
最小值
典型值
—
最大值
—
单位
V
650
—
漏源漏电流
—
1.0
±100
4.0
0.70
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
0.60
1670
169
6.2
输入电容
—
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
pF
ns
f=1.0MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
—
V
DD
=325V
，
I
D
=14A
，
R
G
=24
—
25.80
44.60
88.53
44.40
32.5
11.6
12.3
—
—
—
t
d(off)
t
f
—
—
(
注
2
，
3)
(
注
2
，
3)
—
—
V
DS
=520V
，
I
D
=14A
，
Q
g
—
—
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
Q
gs
V
GS
=10V
—
—
nC
Q
gd
—
—
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说明书
源
–
漏二极管特性参数
参 数 名 称
源极电流
符号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
14
单位
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
I
SM
V
SD
T
rr
—
56
I
S
=14A
，
V
GS
=0V
—
1.3
—
V
I
S
=14A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µS (
注
2)
570
6.01
ns
µC
Q
rr
—
1. L=30mH
，
I
AS
=6.66A
，
V
DD
=100V
，
R
G
=25
，开始温度
T
J
=25
C
；
2.
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
3.
基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
V
GS
Qg
参数一致
10V
50KΩ
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
V
GS
10V
td(on)
tr
t
on
td(off)
t
f
t
off
E
AS
测试电路及波形图
BV
DSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
BV
DSS
V
DD
V
DS
BV
DSS
I
AS
I
D
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
Time
V
DD
tp
tp
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封装外形图
单位
: mm
TO-220FJ-3L
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能
，
买
方有责任在使用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
杭州士兰微电子股份有限公司
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说明书
产品名称：
SVF14N65CFJ
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.0
修改记录：
1. 正式发布版本
杭州士兰微电子股份有限公司
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