Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF2N60RDTR
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士兰微电子
SVF2N60RD/M/MJ
说明书
2A
、
600V N
沟道增强型场效应管
描述
2
SVF2N60RD/M/MJ N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶体管采
用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的工
艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很
高的雪崩击穿耐量。
1
1
3
3
TO-252-2L
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换器，高
压
H
桥
PWM
马达驱动。
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
特点
2A
，
600V
，
R
DS(on)(
典型值
=3.7
@V
GS
=10V
)
1
1
2
3
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
2
3
TO-251D-3L
TO-251J-3L
提升了
dv/dt
能力
命名规则
X N X X R X
S V F
封装外形标识
例如：
FJH:TO-220FJH;
F:TO-220F
士兰
F-Cell
工艺
VDMOS
产品
标识
版本
额定电流标识
,
采用
1-2
位数字；
例如
:4
代表
4A
额定耐压值，采用
2
位数字
例如：
60
表示
600V
沟道极性标识，
N
代表
N
沟道
产品规格分类
产品名称
SVF2N60RDTR
SVF2N60RM
封装形式
TO-252-2L
TO-251D-3L
TO-251J-3L
打印名称
2N60RD
2N60RM
2N60RMJ
环保等级
无卤
包装形式
编带
无卤
料管
无卤
料管
SVF2N60RMJ
杭州士兰微电子股份有限公司
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士兰微电子
SVF2N60RD/M/MJ
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数范围
参 数 名 称
符号
单位
SVF2N60RM/D/MJ
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
600
±30
V
V
2.0
T
C
=25
C
T
C
=100
C
漏极电流
I
D
A
1.3
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
8.0
A
W
34
耗散功率
(T
C
=25
C)
大于
25
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量
(
注
1)
体二极管（注
2
）
0.27
115
W/
C
mJ
E
AS
dv/dt
dv/dt
T
J
4.5
V/ns
V/ns
C
MOS
管
dv/dt
耐用性（注
3
）
工作结温范围
50
-55
～
+150
-55
～
+150
贮存温度范围
T
stg
C
热阻特性
参数范围
参
数
名
称
符
号
单位
SVF2N60RM/D/MJ
芯片对管壳热阻
R
θJC
R
θJA
3.7
C/W
C/W
芯片对环境的热阻
62.0
电气参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参
数
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
R
g
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=600V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=1.0A
f=1.0MHz
最小值
典型值
最大值
—
单位
V
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
600
—
—
—
1.0
±100
4.0
4.2
—
µA
nA
V
—
—
2.0
—
—
3.7
3.1
250
30
栅极电阻
—
输入电容
C
iss
—
—
输出电容
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
f=1.0MHz
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
pF
ns
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
—
2.7
8.04
22.7
17.1
23.6
8.92
2.48
4.42
—
—
—
V
DD
=300V
，
I
D
=2.0A
，
R
G
=25
(
注
4
，
5)
—
—
t
d(off)
t
f
—
—
—
—
Q
g
—
—
V
DS
=480V
，
I
D
=2.0A
，
V
GS
=10V
(
注
4
，
5)
Q
gs
—
—
nC
Q
gd
—
—
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SVF2N60RD/M/MJ
说明书
源
–
漏二极管特性参数
参
数
符号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
2.0
8.0
1.4
—
单位
源极电流
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
T
rr
—
I
S
=2.0A
，
V
GS
=0V
—
V
I
S
=2.0A
，
V
GS
=0V
，
330
0.87
ns
µC
dI
F
/dt=100A/µS
(
注
4)
Q
rr
—
注：
1.
2.
3.
4.
5.
L=30mH
，
I
AS
=6.6A
，
V
DD
=100V
，
R
G
=25
，开始温度
T
J
=25
C;
V
DS
=0~400V
，
I
SD
<=12A
，
T
J
=25
C;
V
DS
=0~480V;
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
10
1
10
1
V
GS
=4.5V
-55°C
25°C
V
GS
=5V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
V
GS
=7V
V
GS
=8V
150°C
V
GS
=10V
V
GS
=15V
0.1
0.1
0.01
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
漏源电压 –
V
DS
（
V
）
栅源电压 –
V
GS
（
V
）
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流和栅极电压
图
4.
体二极管正向压降
vs.
漏极电流、温度
4.20
4.00
3.80
3.60
3.40
3.20
100
10
1
-55°C
25°C
V
GS
=10V
V
GS
=20V
150°C
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源漏电压 –
V
SD
（
V
）
漏极电流 –
I
D
（
A
）
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说明书
典型特性曲线（续）
图
6.
电荷量特性
图
5.
电容特性
12
450
400
350
300
250
200
150
100
50
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=120V
V
DS
=300V
10
V
DS
=480V
8
C
iss
C
oss
C
rss
6
4
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
2
注：
I
D
=2.0A
0
0
0.1
0
2
4
6
8
10
1
10
100
漏源电压 –
V
DS
（
V
）
总栅极电荷 –
Q
g
(nC)
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
1.2
1.1
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=1.0A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
结温 –
T
J
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图
9.
最大安全工作区域
(SVF2N60RD/M/MJ)
图
10.
最大漏电流
vs.
壳温
10
1
2.0
1.5
100us
10
0
1ms
10ms
DC
1.0
0.5
此区域工作受限于
R
DS(ON)
10
-1
注：
1.
最大结温：
150°C
2.
最大参考温度：
25°C
10
-2
0
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温–
T
C
(°C)
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说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
10V
Qg
50K
Ω
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
V
GS
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
off
t
on
E
AS
测试电路及波形图
BV
DSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
BV
DSS
V
DD
V
DS
BV
DSS
I
AS
I
D
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
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士兰微电子
SVF2N60RD/M/MJ
说明书
封装外形图
TO-251D-3L
单位：毫米
E
SYMBOL
MIN
2.20
0.66
NOM
MAX
2.40
0.86
A
b
2.30
—
0.90
5.46
b2
b3
0.72
—
5.10
0.46
6.00
5.33
c2
D
0.60
6.20
—
6.10
6.50
6.60
6.70
E
e
2.286
2.386
11.00
2.186
10.40
H
10.70
3.50 REF
L1
L2
0.508 BSC
TO-251J-3L
单位：毫米
SYMBOL
MIN
NOM
2.30
1.00
MAX
4
A
2.18
0.89
0.56
4.95
—
2.39
1.14
0.89
5.46
1.05
0.61
A1
b
—
5.33
—
b4
b5
c
0.46
—
D
E
5.97
6.35
6.10
6.60
6.27
6.73
e
2.29 BCS
9.30
L
8.89
0.95
0.89
9.65
1.50
1.27
L1
L2
—
—
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士兰微电子
SVF2N60RD/M/MJ
说明书
封装外形图（续）
TO-252-2L
单位：毫米
SYMBOL
MIN
2.10
0
NOM
2.30
—
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
A
A1
b
0.66
5.10
0.45
0.45
0.76
5.33
—
b3
c
c2
—
D
E
5.80
6.30
6.10
6.60
6.40
6.90
e
2.30TYP
10.10
1.50
Eject pin
（
note1
）
H
9.60
1.40
10.60
1.70
L
L1
2.90REF
0.80
L4
0.60
1.00
NOTE1
：
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能
，
买
方有责任在使用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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说明书
产品名称：
SVF2N60RD/M/MJ
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
1.2
修改记录：
1.
添加
dv/dt
，
Rg
参数
2.
更新
SOA
曲线
本：
1.1
修改记录：
1.
更正
TO-251D-3L
封装外形图
本：
1.0
修改记录：
版
版
1.
正式版本发布
杭州士兰微电子股份有限公司
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