Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF4N65M
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士兰微电子
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
说明书
4A
、
650V N
沟道增强型场效应管
描述
2
3
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N
沟道增强型高压功率
MOS
场效
应晶体管采用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术
制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的
导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换
器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
1
2
3
TO-251J-3L
1
1
2
3
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
TO-251D-3L
1
2
3
1
2
3
特点
TO-252-2L
TO-262-3L
TO-251-3L
∗
∗
∗
∗
∗
4A
，
650V
，
R
DS(on)
（典型值）
=2.3
Ω
@V
GS
=10V
低栅极电荷量
1
2
3
低反向传输电容
TO-220-3L
TO-220F-3L
开关速度快
提升了
dv/dt
能力
命名规则
X N E X X X
S V F
封装外形标识。例如：
T:TO-220;
士兰
F-Cell
工艺
VDMOS
产品标识
F:TO-220F;M:TO-251,TO-251D;
MJ:TO-251J; D:TO-252;K:TO-262
额定电流标识
,
采用
1-2
位数字；
例如
:4
代表
4A,10
代表
10A,
08
代表
0.8A
额定耐压值，采用
2
位数字
例如：
60
表示
600V,65
表示
650V
特殊功能、规格标识，通常省略
例如：
E
表示内置了
ESD
保护结构
沟道极性标识，
N
代表
N
沟道
产品规格分类
产 品 名 称
SVF4N65T
封装形式
打印名称
SVF4N65T
SVF4N65F
SVF4N65MJ
SVF4N65M
SVF4N65M
SVF4N65D
SVF4N65D
SVF4N65K
材料
无卤
无铅
无铅
无卤
无铅
无卤
无卤
无卤
包装形式
料管
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-251J-3L
TO-251D-3L
TO-251-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-262-3L
料管
SVF4N65F
SVF4N65MJ
SVF4N65M
SVF4N65M
SVF4N65D
SVF4N65DTR
SVF4N65K
料管
料管
料管
料管
编带
料管
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士兰微电子
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参数范围
参数名称
符号
单位
SVF4N
65T
SVF4N
65F
SVF4N
65M/D
SVF4N
65MJ
SVF4N
65K
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
650
±30
V
V
T
C
=25°C
4.0
漏极电流
I
D
A
T
C
=100°C
2.8
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
16
A
W
耗散功率（
T
C
=25
°
C
）
–
大于
25
°
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注
1
）
工作结温范围
100
33
77
79
95
0.80
0.26
0.62
0.63
0.76
W/
°
C
mJ
°
C
E
AS
T
J
202
-55
～
+150
-55
～
+150
贮存温度范围
T
stg
°
C
热阻特性
参数范围
参数名称
符号
单位
SVF4N
65T
SVF4N
65F
SVF4N
65M/D
SVF4N
65MJ
SVF4N
65K
芯片对管壳热阻
R
θJC
R
θJA
1.25
62.5
3.79
62.5
1.62
62.0
1.58
62.0
1.32
62.5
°
C/W
°
C/W
芯片对环境的热阻
电气参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参数名称
漏源击穿电压
符号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=650V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=2A
最小值
典型值
—
最大值
单位
V
650
—
—
1.0
±100
4.0
2.7
669.07
—
漏源漏电流
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
2.3
Ω
输入电容
395.9
—
514.67
55.83
2.46
13.80
26.60
34.00
27.87
11.94
3.23
4.99
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
pF
ns
f=1.0MHZ
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
—
—
—
V
DD
=325V
，
I
D
=4.0A
，
R
G
=25
Ω
—
—
t
d(off)
t
f
—
—
(
注
2
，
3)
V
DS
=520V
，
I
D
=4.0A
，
GS
=10V
—
—
Q
g
—
—
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
Q
gs
V
—
—
nC
(
注
2
，
3)
Q
gd
—
—
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说明书
参数名称
符号
测试条件
V
DS
=25V
，
I
D
=2A
最小值
典型值
最大值
单位
跨导
G
fs
1.1
2.3
3.3
S
源
–
漏二极管特性参数
参数名称
源极电流
符 号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的
反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
4.0
16
单位
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
I
SM
V
SD
T
rr
—
I
S
=4.0A
，
V
GS
=0V
I
S
=4.0A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µs
—
1.4
—
V
431.00
2.09
ns
µC
Q
rr
—
1. L=30mH
，
I
AS
=3.36A
，
V
DD
=100V
，
R
G
=25
Ω
，开始温度
T
J
=25
°
C
；
2.
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
3.
基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
10
1
10
变量
-55°C
25°C
V
GS
=4.5V
GS
=5V
GS
=5.5V
GS
=6V
GS
=7V
GS
=8V
V
V
V
V
V
150°C
1
V
V
GS
=10V
GS
=15V
注：
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压
–
V
DS
(V)
栅源电压
–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-55°C
25°C
V
GS
=10V
V
GS
=20V
150°C
10
1
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
0
2
4
6
8
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源漏电压
–
V
SD
(V)
漏极电流
–
I
D
(A)
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典型特性曲线（续）
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
12
C
C
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
oss
=C
ds
+C
gd
rss
=C
gd
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
10
8
6
4
C
C
iss
oss
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
C
rss
2
0
注：
I
D
=4.0A
6
10
12
0.1
1
10
100
0
2
4
8
14
漏源电压
–
V
DS
(V)
总栅极电荷
–
Q
g
(nC)
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
1.2
1.1
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.0A
-100 -50
0
50
100 150 200
-100 -50
0
50
100 150 200
结温
–
T
J
(°C)
结温
–
T
J
(°C)
图
9-1.
最大安全工作区域
(SVF4N65T)
图
9-2.
最大安全工作区域
(SVF4N65F)
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
此区域工作受限于
R
DS(ON)
100µs
1ms
100µs
1ms
10ms
DC
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
– V
DS
(V)
漏源电压
– V
DS
(V)
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典型特性曲线（续）
图
9-4.
最大安全工作区域
(SVF4N65MJ)
图
9-3.
最大安全工作区域
(SVF4N65M/D)
10
2
10
2
10
1
10
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
此区域工作受限于
R
DS(ON)
10
1
10
0
100µs
100µs
1ms
1ms
10ms
DC
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
1
10
2
10
3
漏源电压
– V
DS
(V)
漏源电压
– V
DS
(V)
图
9-5.
最大安全工作区域
(SVF4N65K)
图
10.
最大漏极电流
vs.
壳温
10
2
10
1
10
0
5
4
3
2
1
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
100µs
1ms
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温
–
T
C
(°C)
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
Qg
10V
50K
Ω
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
GS
V
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
on
t
off
E
AS
测试电路及波形图
B
VDSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
V
DD
B
VDSS
V
DS
B
VDSS
I
D
I
AS
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
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说明书
封装外形图
单位:
mm
TO-220F-3L(1)
1
4.42
4.70
5.02
2.30
2.50
2.54
2.76
0.80
2.80
3.10
0.70
0.90
1.47
1
0.35
0.50
0.65
15.25
15.87
16.25
15.30
9.30
15.75
9.80
16.30
10.30
9.73
10.16
10.36
2.54BCS
6.68
6.40
7.00
12.48
12.98
13.48
/
/
3.50
3.40
3.00
3.18
3.05
3.30
3.55
3
单位:
mm
TO-220F-3L(2)
1
4.20
4.50
4.80
2.40
2.30
2.70
2.60
3.00
2.90
1
0.50
0.45
0.65
0.60
0.80
0.75
14.50
15.00
15.50
14.90
9.10
15.40
9.60
15.90
10.10
9.50
10.00
10.50
2.54BCS
6.90
6.60
7.20
12.50
13.00
13.50
2.90
2.90
3.40
3.20
3.90
3.50
2.70
3.00
3.30
3
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说明书
封装外形
图
（
续）
单位
:mm
TO-262-3L
10.16±0.2
4.4~4.7
1.22~1.32
1.23~1.36
2.69±0.10
0.77~0.89
0.34~0.47
2.54TYP
5.08TYP
单位:
mm
TO-220-3L
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
4.50
1.30
2.40
0.80
4.70
1.50
2.80
1.00
1.60
0.30
0.70
16.10
10.00
15.10
15.70
9.20
8.10
9.60
9.90
10.40
2.54BSC
6.50
6.10
7.00
13.60
12.60
13.08
3.95
3.90
3.20
3.40
2.60
3.70
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说明书
封装外形
图
（
续）
单位：
mm
TO-252-2L
SYMBOL
MIN
2.10
0
NOM
2.30
—
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
A
A1
b
0.66
5.10
0.45
0.45
0.76
5.33
—
b3
c
c2
—
D
E
5.80
6.30
6.10
6.60
6.40
6.90
e
2.30TYP
10.10
1.50
Eject pin
（
note1
）
H
9.60
1.40
10.60
1.70
L
L1
2.90REF
0.80
L4
0.60
1.00
NOTE1
：
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
单位
:mm
TO-251J-3L
6.35
～
6.73
4.95
～
5.46
2.18
～
2.39
0.46
～
0.89
2.29TYP
0.46
～
0.61
0.56
～
0.89
0.89
～
1.14
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.9
2016.01.05
共
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9
页
士兰微电子
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
说明书
封装外形
图
（
续）
单位
:mm
TO-251D-3L
6.60±0.10
2.30±0.10
5.10
～
5.46
0.46
～
0.60
0.72~0.90
0.508BSC
0.76±0.10
2.286±0.10
单位
:mm
TO-251-3L
6.5±0.3
5.3±0.2
2.4±0.2
0.5±0.2
0.8±0.2
2.30TYP
0.5±0.2
0.5±0.2
1.4
～
2.0
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.9
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士兰微电子
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说明书
声明：
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完
整和最新。
•
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用
Silan
产品进行系统
设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情
况的发生！
•
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
附：
修改记录：
日 期
2011.01.18
2011.08.19
2012.06.04
2012.06.15
2012.08.23
2012.11.08
2012.12.17
2013.03.13
2013.08.21
2013.09.06
2013.11.13
2014.04.17
2014.04.23
2014.05.19
2014.09.26
2014.10.22
2014.10.23
2015.02.12
版本号
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
描
述
页码
原版
增加
TO-252-2L
和
TO-251D-3L
封装
修改
T
rr
和
Q
rr
的值
修改
R
DS(on)
典型值；删除
TO-251-3L
封装，增加
TO-251J-3L
封装
增加
TO-262-3L
封装
增加
SVF4N65MJ
的无卤信息
修改“封装外形图”
修改“产品规格分类”
修改“封装外形图”
更新
TO-251D-3L
尺寸图
修改
MOS
管符号的示意图
修改关键特性参数及曲线；增加
TO-251-3L
封装
修改产品规格分类
修改
TO-251J-3L
尺寸图
修改“产品规格分类”
增加
C
iss
上下限值
修改“产品规格分类”
修改热阻特性
修改
TO-220F-3L
封装信息；修改
TO-252-2L
封装信息；修改
TO-
220-3L
封装信息；修改电气参数
修改电气参数，
G
fs
；修改产品规格分类
2015.12.24
2016.01.05
2.8
2.9
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.9
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