Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF4N90F
| Part # | Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF4N90F |
Download  | Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF4N90F |
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
4A
、
900V N
沟道增强型场效应管
2
描述
SVF4N90F/MJ/T/
D
是
N
沟道增强型高压功
率
MO
S
场效应晶体管，
采用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的
工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻
、
优
越的开关性能及很
高的雪崩击穿耐量。
1
3
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换器，高
压
H
桥
PWM
马达驱动。
1
1
3
2
3
特点
TO-220-3L
TO-252-2L
4A
，
900V
，
R
DS(on)(
典型值
=2.7
@V
GS
=10V
)
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
1
2
1
3
2
3
TO-220F-3L
TO-251J-3L
提升了
dv/dt
能力
命名规则
X N E X X X
S V F
封装外形标识
例如：
F: TO-220F;
士兰
F-Cell
工艺
VDMOS
产品标识
MJ:TO-251J;T:TO-220;D:TO-252
额定电流标识
,
采用
1-2
位数字；
例如
:4
代表
4A,20
代表
20A,
08
代表
0.8A
额定耐压值，采用
2
位数字
例如：
50
表示
500V,65
表示
650V
特殊功能、规格标识，通常省略
例如：
E
表示内置了
ESD
保护结构
沟道极性标识，
N
代表
N
沟道
产品规格分类
产 品 名 称
SVF4N90F
封装形式
打印名称
环保等级
包装
TO-220F-3L
SVF4N90F
无铅
料管
料管
料管
编带
SVF4N90MJ
SVF4N90T
TO-251J-3L
TO-220-3L
TO-252-2L
SVF4N90
SVF4N90T
SVF4N90D
无卤
无铅
无卤
SVF4N90DTR
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
1
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参数范围
参 数 名称
符号
单位
SVF4N90F
SVF4N90MJ/D
SVF4N90T
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
900
±30
V
V
T
C
=25
C
T
C
=100
C
4
漏极电流
I
D
A
2.5
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
16
A
W
耗散功率（
T
C
=25
C
）
44
132
150
–
大于
25
C
每摄氏度减少
0.35
1.06
1.20
W/
C
mJ
mJ
C
单脉冲雪崩能量
（注
1
）
L=30mH
L=10mH
344
E
AS
84
工作结温范围
贮存温度范围
-55
～
+150
-55
～
+150
T
J
T
stg
C
热阻特性
参数范围
SVF4N9MJ/D
0.95
参 数 名 称
符号
单位
SVF4N90F
2.84
SVF4N90T
0.83
芯片对管壳热阻
R
θJC
R
θJA
C/W
C/W
芯片对环境的热阻
62.5
62.0
62.0
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
2
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
电气参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
C)
参 数 名 称
漏源击穿电压
漏源漏电流
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
测 试 条 件
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
最小值
典型值
—
最大值
—
单位
V
900
—
V
DS
=900V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=2A
—
1.0
±100
4.0
3.5
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
2.7
707
68
输入电容
—
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
pF
ns
f=1.0MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
3.0
15
—
—
—
V
DD
=450V
，
R
G
=25Ω
，
I
D
=4V
—
26
—
(
注
2
，
3)
t
d(off)
t
f
—
39
—
—
28
—
Q
g
—
17
—
V
DD
=720V
，
I
D
=4A
，
V
GS
=10V
(
注
2
，
3)
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
栅极电阻
Q
gs
—
4.1
7.6
4.2
—
nC
Q
gd
—
—
R
G
f=1MHz
—
—
源
–
漏二极管特性参数
参 数 名 称
源极电流
符 号
I
S
测试条件
最小值
典型值
—
最大值
单位
MOS
管中源极
、
漏
极构成的反偏
P-N
结
—
—
—
—
—
4
16
1.4
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
I
SM
V
SD
T
rr
—
I
S
=4A
，
V
GS
=0V
—
V
I
S
=4A
，
V
GS
=0V
，
535
2.5
ns
µC
dI
F
/dt=100A/µs
(
注
2)
Q
rr
—
1.
2.
3.
V
DD
=50V
，
R
G
=25
，开始温度
T
J
=25
C
；
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
基本上不受工作温度的影响。
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
3
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
10
变量
V
GS
=4.5V
-55°C
25°C
V
GS
=5V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
V
GS
=7V
V
GS
=8V
150°C
10
1
V
GS
=10V
V
GS
=15V
1
注：
1.250µS
脉冲测
试
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
2.T
C
=25°C
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压 –
V
DS
(V)
栅源电压 –
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
-55°C
25°C
V
GS
=10V
V
GS
=20V
150°C
10
1
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
注：
T
J
=25°C
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
源漏电压 –
V
SD
(V)
漏极电流 –
I
D
(A)
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=720V
V
DS
=450V
V
DS
=180V
10
8
C
iss
C
oss
C
rss
6
4
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
2
0
注：
I
D
=4.0A
12 15
总栅极电荷 –
Q
g
(nC)
0.1
1
10
100
0
3
6
9
18
漏源电压 –
V
DS
(V)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
4
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
典型特性曲线（续）
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
1.2
2.5
2.0
1.5
1.0
1.1
1.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=2.0A
0.5
0.0
-100 -50
0
50
100 150 200
-100 -50
0
50
100 150 200
结温 –
T
J
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图
9-1.
最大安全工作区域
(SVF4N90F)
图
9-2.
最大安全工作区域
(SVF4N90MJ/D)
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
此区域工作受限于
R
DS(ON)
100µs
1ms
100µs
1ms
10ms
DC
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
– V
DS
(V)
漏源电压
– V
DS
(V)
图
9-3.
最大安全工作区域
(SVF4N90T)
图
10.
最大漏极电流
vs.
壳温
10
2
10
1
10
0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
100µs
1ms
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温 –
T
C
(°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
5
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
V
GS
10V
Qg
50K
Ω
V
DS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
V
GS
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
off
t
on
EAS
测试电路及波形图
BV
DSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
BV
DSS
V
DD
V
DS
BV
DSS
I
AS
I
D
R
G
V
DD
I
D(t)
10V
待测器件
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
6
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
封装外形图
TO-251J-3L
单位：毫米
SYMBOL
MIN
2.18
0.89
0.56
4.95
—
NOM
2.30
1.00
MAX
2.39
1.14
0.89
5.46
1.05
0.61
4
A
A1
b
—
5.33
—
b4
b5
c
0.46
—
D
E
5.97
6.35
6.10
6.60
6.27
6.73
e
2.29 BCS
9.30
L
8.89
0.95
0.89
9.65
1.50
1.27
L1
L2
—
—
TO-220F-3L
单位：毫米
1
4.42
4.70
5.02
2.30
2.50
2.54
2.76
0.80
2.80
3.10
0.70
0.90
1.47
1
0.35
0.50
0.65
15.25
15.87
16.25
15.30
9.30
15.75
9.80
16.30
10.30
9.73
10.16
10.36
2.54BCS
6.68
6.40
7.00
12.48
12.98
13.48
/
/
3.50
3.40
3.00
3.18
3.05
3.30
3.55
3
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
7
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
封装外形图
(
续
)
TO-220-3L
单位：毫米
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
4.70
1.50
2.80
4.50
1.30
2.40
0.80
1.00
1.60
0.30
0.70
16.10
10.00
15.10
15.70
9.20
8.10
9.60
9.90
10.40
2.54BSC
6.50
6.10
7.00
13.60
12.60
13.08
3.95
3.90
3.20
3.40
2.60
3.70
TO-252-2L
单位：毫米
SYMBOL
MIN
2.10
0
NOM
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
A
2.30
—
A1
b
0.66
5.10
0.45
0.45
0.76
5.33
—
b3
c
c2
—
D
E
5.80
6.30
6.10
6.60
6.40
6.90
e
2.30TYP
10.10
1.50
Eject pin
（
note1
）
H
9.60
1.40
10.60
1.70
L
L1
2.90REF
0.80
L4
0.60
1.00
NOTE1
：
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
8
页
士兰微电子
SVF4N90F/MJ/T/D
说明书
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能
，
买
方有责任在使用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
产品名称：
SVF4N90F/MJ/T/D
文档类型：
说明书
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
2.1
修改记录：
1.
添加
L=10mH
下的
EAS
值
本：
2.0
修改记录：
1.
增加
TO-252-2L
封装
本：
1.9
修改记录：
1.
增加
TO-220-3L
带缺口的立体图
本：
1.8
修改记录：
1.
增加
TO-220-3L
本：
1.7
修改记录：
1.
更新
TO-251J-3L
封装外形图
本：
1.6
修改记录：
1.
修改
TO-220F-3L
封装信息
本：
1.5
修改记录：
1.
修改热阻特性
本：
1.4
修改记录：
1.
增加
TO-251J-3L
封装
本：
1.3
修改记录：
1.
修改产品规格分类
本：
1.2
修改记录：
1.
修改
MOS
管符号的示意图
本：
1.1
修改记录：
版
版
版
版
版
版
版
版
版
版
1.
修改“封装外形图”
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.1
共
10
页 第
9
页
