Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF6N70F
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士兰微电子
SVF6N70F
说明书
6A
、
700V N
沟道增强型场效应管
描述
2
SVF6N70F N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶体管采用
士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优
越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1
3
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换
器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
特点
1
2
3
∗
∗
∗
∗
∗
6A
，
700V
，
R
DS(on)(
典型值
=1.35
Ω
@V
GS
=10V
)
TO-220F-3L
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
能力
命名规则
X N E X X X
S V F
士兰
F-Cell
工艺
VDMOS
产品标识
封装外形标识
例如：
F:TO-220F
额定电流标识
,
采用
1-2
位数字；
例如
:4
代表
4A,10
代表
10A,
08
代表
0.8A
额定耐压值，采用
2
位数字
例如：
70
表示
700V
特殊功能、规格标识，通常省略
例如：
E
表示内置了
ESD
保护结构
沟道极性标识，
N
代表
N
沟道
产品规格分类
产 品 名 称
SVF6N70F
封装形式
TO-220F-3L
打印名称
材料
包装
无卤
料管
SVF6N70F
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：
2.0
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士兰微电子
SVF6N70F
说明书
极限参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参 数 名 称
漏源电压
符号
V
DS
V
GS
参数范围
单位
V
700
±30
栅源电压
V
T
C
=25°C
漏极电流
6.0
I
D
A
T
C
=100°C
3.79
漏极冲击电流
I
DM
P
D
24.0
A
W
耗散功率（
T
C
=25
°
C
）
–
大于
25
°
C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注
1
）
工作结温范围
45
0.36
W/
°
C
mJ
°
C
E
AS
T
J
463
-55
～
+150
-55
～
+150
贮存温度范围
T
stg
°
C
热阻特性
参 数 名 称
芯片对管壳热阻
符号
R
θJC
R
θJA
参数范围
2.78
单位
°
C/W
°
C/W
芯片对环境的热阻
62.5
电性参数
(
除非特殊说明，
T
C
=25
°
C)
参 数 名 称
漏源击穿电压
符号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
测试条件
最小值
典型值
—
最大值
—
单位
V
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=700V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=3.0A
700
—
漏源漏电流
—
1.0
±100
4.0
1.7
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
1.35
1039.00
98.00
3.88
24.00
36.93
68.00
36.53
21.94
6.06
8.82
Ω
输入电容
—
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
pF
ns
f=1.0MHZ
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
—
—
—
V
DD
=350V
，
I
D
=6.0A
，
R
G
=25
Ω
—
—
t
d(off)
t
f
—
—
(
注
2
，
3)
—
—
Q
g
V
DS
=560V
，
I
D
=6.0A
，
—
—
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
Q
gs
V
GS
=10V
—
—
nC
(
注
2
，
3)
Q
gd
—
—
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说明书
源
–
漏二极管特性参数
参 数 名 称
源极电流
符号
I
S
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的
反偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
6.0
24.0
1.4
—
单位
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源
–
漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
I
SM
V
SD
T
rr
—
I
S
=6.0A
，
V
GS
=0V
I
S
=6.0A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µs
—
V
494.0
3.42
ns
µC
Q
rr
—
1. L=30mH
，
I
AS
=5.00A
，
V
DD
=140V
，
R
G
=25
Ω
，开始温度
T
J
=25
°
C
；
2.
脉冲测试： 脉冲宽度
≤300μs
，占空比
≤2%
；
3.
基本不受工作温度的影响。
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
10
1
100
10
1
变量
-55°C
V
GS
=4.5V
GS
=5V
GS
=5.5V
GS
=6V
GS
=7V
GS
=8V
25°C
V
V
V
V
V
150°C
V
V
GS
=10V
GS
=15V
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压
–
V
DS
(V)
栅源电压
–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
2.5
2.0
-55°C
25°C
V
GS
=10V
V
GS
=20V
150°C
10
1
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
1.5
1.0
0.5
注：
T
J
=25°C
0.1
0
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
源漏电压
–
V
SD
(V)
漏极电流
–
I
D
(A)
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说明书
典型特性曲线
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
12
C
C
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
oss
=C
ds
+C
gd
rss
=C
gd
V
DS
=560V
V
DS
=350V
V
DS
=140V
10
8
6
4
C
C
iss
oss
C
rss
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
600
400
2
0
200
注：
I
D
=6.0A
16 20
(nC)
0
0.1
1
10
100
0
4
8
12
24
漏源电压
–
V
DS
(V)
总栅极电荷
–
Q
g
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
1.2
1.1
1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=3.0A
-100 -50
0
50
100 150 200
-100 -50
0
50
100 150 200
结温
–
T
J
(°C)
结温
–
T
J
(°C)
图
9.
最大安全工作区域
图
10.
最大漏极电流
vs.
壳温
10
2
10
1
10
0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
此区域工作受限于
R
DS(ON)
100µs
1ms
10ms
DC
10
-1
10
-2
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
25
50
75
100
125
150
漏源电压
– V
DS
(V)
壳温
–
T
C
(°C)
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
V
GS
Qg
参数一致
10V
50K
Ω
V
DS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
R
L
V
DS
V
DS
90%
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
GS
V
10V
td(on)
tr
td(off)
t
f
t
on
t
off
E
AS
测试电路及波形图
B
VDSS
1
2
2
E
AS
=
LI
AS
L
–
V
DD
B
VDSS
V
DS
B
VDSS
I
D
I
AS
R
G
待测器件
I
D(t)
V
DD
10V
V
DS(t)
V
DD
tp
Time
tp
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封装外形图
单位
: mm
TO-220F-3L
4.72±0.30
10.03±0.30
2.55±0.25
Φ
3.20±0.20
2.80±0.30
1.47MAX
0.80±0.15
2.54 TYPE
0.50±0.15
声明：
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完
整和最新。
•
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用
Silan
产品进行系统
设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情
况的发生！
•
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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附：
修改记录：
日
期
版本号
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
描
述
页码
原版
2011.04.14
2011.09.05
2012.03.12
2012.06.04
2013.02.25
2013.03.18
2013.04.28
2013.05.20
2013.12.11
2014.04.23
2015.02.13
增加
TO-251J-3L
封装
“特点”的第一条，增加单位“
Ω
”
修改
Trr
和
Qrr
的值
增加
TO-252-2L
封装
删除
TO-251J-3L
和
TO-252-2L
封装
修改电性参数
修改电性参数
修改
MOS
管符号的示意图
修改产品规格分类
修改热阻特性
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