Hangzhou-Silan-Microelectronics-SVF9N90PN
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SVF9N90F/PN
说明书
9A
、
900V N
沟道增强型场效应管
描述
2.
漏极
SVF9N90F/P
N
是
N
沟
道增强型高压功率
MO
S
场
效应晶体
管，采用士兰微电子的
F-Cell
T
M
平面高压
VDMOS
工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1.
栅极
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，
DC-DC
电源转换
器，高
压
H
桥
PWM
马达驱动。
3.
源极
特点
1
1
2
2
∗
9A
，
900V
，
R
DS(on)
（典型值）
=1.10
Ω
@V
GS
=10V
3
3
∗
低栅极电荷量
∗
低反向传输电容
∗
开关速度快
TO-3PN
TO-220F-3L
∗
提升
了
dv/dt
能力
命名规则
产品规格分类
产品名称
SVF9N90F
封装形式
TO-220F-3L
TO-3PN
打印名称
SVF9N90F
9N90
材料
无铅
无铅
包装
料管
料管
SVF9N90PN
杭州士兰微电子股份有限公司
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1.0
2012.05.30
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SVF9N90F/PN
说明书
极限参数
（除非特殊说明，
T
C
=25
°
C
）
参数范围
参 数 名 称
符号
单位
SVF9N90F
SVF9N90PN
漏源电压
栅源电压
V
DS
V
GS
900
±30
9.0
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
漏极电流
I
D
A
5.7
漏极脉冲电流
I
DM
P
D
36.0
A
W
耗散功率（
T
C
=25
°
C
）
68
240
–
大
于
25
°
C
每摄氏度减少
0.54
1.92
W/
°
C
mJ
°
C
单脉冲雪崩能量（
注
1
）
工作结温范围
E
AS
T
J
823
-55
～
+150
-55
～
+150
贮存温度范围
T
stg
°
C
热阻特性
参数范围
参 数 名 称
符号
单位
SVF9N90F
1.84
SVF9N90PN
芯片对管壳热阻
R
θ
JC
R
θ
JA
0.52
50
°
C/W
°
C/W
芯片对环境的热阻
120
电性参数
（
除非特殊说明
，
T
C
=25
°
C
）
参 数
漏源击穿电压
漏源漏电流
符 号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
测试条件
最小值 典型值
最大值
—
单位
V
V
GS
=0V
，
I
D
=250µA
V
DS
=900V
，
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
，
V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，
I
D
=250µA
V
GS
=10V
，
I
D
=4.5A
900
—
—
—
1.0
±100
4.0
1.4
—
µA
nA
V
栅源漏电流
—
—
栅极开启电压
导通电阻
2.0
—
—
1.10
1634.2
143.5
7.1
Ω
输入电容
—
V
DS
=25V
，
V
GS
=0V
，
输出电容
pF
ns
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
—
—
f=1.0MHz
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
—
—
V
DD
=450V
，
R
G
=25
Ω
，
—
21.44
30.76
56.24
30.88
30.52
7.97
11.92
—
I
D
=9.0A
—
—
t
d(off)
t
f
—
—
(
注
2
，
3)
—
—
V
DD
=720V
，
V
GS
=10V
，
Q
g
—
—
栅极
–
源极电荷量
栅极
–
漏极电荷量
I
D
=9.0A
nC
Q
gs
—
—
(
注
2
，
3)
Q
gd
—
—
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说明书
源
–
漏二极管特性参数
参 数
源极电流
符 号
测 试 条 件
MOS
管中源极、漏极构成的
反
偏
P-N
结
最小值
典型值
—
最大值
9.0
36.0
1.4
—
单位
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
—
—
—
—
—
A
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
—
I
S
=9.0A
，
V
GS
=0V
—
V
I
S
=9.0A
，
V
GS
=0V
，
dI
F
/dt=100A/µS (
注
2)
657.04
5.56
ns
µC
Q
rr
—
1. L=30mH
，
I
AS
=7.10A
，
V
DD
=50V
，
R
G
=25
Ω
，开始温
度
T
J
=25
°
C
；
2.
脉冲测试
：
脉
冲宽度
≤
300
μ
s
，占空比
≤
2%
；
3.
基本上不受工作温度的影响。
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SVF9N90F/PN
说明书
典型特性曲线
图
1.
输出特性
图
2.
传输特性
100
10
1
100
变量
V
GS
=4.5V
-55°C
25°C
V
V
V
GS
=5V
150°C
GS
=5.5V
GS
=6V
10
1
V
GS
=7V
GS
=8V
V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
注：
注：
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
漏源电
压
–
V
DS
(V)
栅源电
压
–
V
GS
(V)
图
3.
导通电阻
vs.
漏极电流和栅极电压
图
4.
体二极管正向压降
vs.
漏极电流、温度
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
100
10
1
注：
V
GS
=10V
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
V
GS
=20V
-55°C
25°C
150°C
注：
T
J
=25°C
0.1
0.2
0
2
4
6
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
8
源漏电
压
–
V
SD
(V)
漏极电
流
–
I
D
(A)
图
5.
电容特性
图
6.
电荷量特性
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
12
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=720V
V
DS
=450V
10
8
V
DS
=180V
6
4
C
iss
C
oss
C
rss
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
2
0
注
：
I
D
=9.0A
0
0.1
1
10
100
0
5
10 15 20 25 30 35
漏源电
压
–
V
DS
(V)
总栅极电
荷
–
Q
g
(nC)
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SVF9N90F/PN
说明书
典型特性曲线（续）
图
7.
击穿电压
vs.
温度特性
图
8.
导通电阻
vs.
温度特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=4.5A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
结
温
–
T
J
(°C)
结
温
–
T
J
(°C)
图
9-1.
最大安全工作区域
(SVF9N90F)
图
9-2.
最大安全工作区域
(SVF9N90PN)
10
2
10
2
100µs
1ms
100µs
10
1
10
0
10
1
10
0
1ms
10ms
DC
10ms
DC
此区域工作受限于
R
DS(ON)
此区域工作受限于
R
DS(ON)
10
-1
10
-2
10
-1
10
-2
注：
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个信号
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.
单个信号
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
1
10
2
10
3
漏源电
压
– V
DS
(V)
漏源电
压
– V
DS
(V)
图
10.
最大漏极电流
vs.
壳温
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
壳温
–
T
C
(°C)
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说明书
封装外形图
单位
: mm
TO-220F-3L
4.72±0.30
2.55±0.25
10.03±0.30
Φ
3.20±0.20
2.80±0.30
1.47MAX
0.80±0.15
2.54 TYPE
0.50±0.15
单位：
mm
TO-3PN
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说明书
声明：
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完
整和最新。
•
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使
用
Silan
产品进行系统
设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情
况的发生！
•
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
附：
修改记录：
日 期
版本号
描
述
页码
原版
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1.0
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1.0
2012.05.30
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