HGSEMI-ULN2003ACM-TR

ULN2003AC  

达林顿阵列功率驱动集成电路  

ULN2003AC  

产品说明书  

ULN2003AC

是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅

NPN

达林顿管组  

成。所有单元共用发射极，每个单元采用开集电极输出。为了提高输出效  

率，减小漏电，单元内部设计了镇流二极管以及适当的基—射极电阻。  

ULN2003AC  

的每一对达林顿都串联了一个

2.7K

的基极电阻

，

在

5V

的工作电  

压下能与

TTL

和

CMOS

电路兼容，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲  

器来处理的数据。  

ULN2003AC  

工作电压高

，

工

作电流大

，

灌

电流可达

500mA

，

并

且能够在  

关态时承受

50V

的电压

，

输

出还可以在高负载电流下并行运行

，

很

好的提  

供了需要多接口驱动电路的解决方案。应用领域包括电磁阀、继电器、直  

流照明灯、小型电机以及

LED

的驱动。  

产品订购信息  

产品名称  

ULN2003ACN  

封装  

DIP16  

SOP16  

打印名称  

包装  

管装  

编带  

包装数量  

1000

只

/

盒  

2500

只

/

盘  

ULN2003AC  

ULN2003AC  

ULN2003ACM/TR  

一、特点

：  

1

、七路高增益达林顿阵列；  

2

、输出电压高（可达

50V

）

；  

3

、500mA集电极输出电

流

（

单路

）

；  

4

、可与

TTL

、

CMOS

、

PMOS

直接连接；  

5

、为感性负载设置了续流二极管；  

6

、工作温度范围宽。  

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ULN2003AC  

二、电路框图：  

1B  

2B  

3B  

4B  

5B  

6B  

7B  

GND  

逻辑图  

ULN2003AC  

三、极限参数：  

表

1.

极限参数  

存储温度：  

－

65

℃～

150

℃  

工作温度范围：  

结温度范围：  

－

40

℃～

85

℃  

－

40

℃～

150

℃  

－0.3V～30V  

55V  

输入电压：  

输出电压：  

射极到基极的最高耐压：  

集电极持续工作电流：  

基极持续工作电流：  

6.0V  

500mA  

25mA  

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ULN2003AC  

四、

电参数：

表

2.

电参数（除非特殊说明：

V

＋

＝

5V

，

Ta

＝

25

℃）  

符 号  

I

CEX  

参数  

测试条件  

最小 典型

 

最大 单位  

值

值

值

20  

输出管漏电流  

T

A

= 25°C, V

CE

= 50V  

(图 1)  

μA  

T

A

= 85°C, V

CE

= 50V  

(图 1)  

100  

1.6  

V

CE(Sat)  

CE饱和压降  

I

C

= 350mA, I

B

= 500μA  

(图 3) (Note 3)  

1.30  

I

C

= 200mA, I

B

= 350μA  

(图 3)  

1.1  

0.9  

1.3  

1.1  

V

I

C

= 100mA, IB = 250μA  

(图 3)  

I

I(ON)  

开态输入电流  

V

I

= 3.85V (图 4)  

0.93 1.35  

100  

mA  

I

I(OFF)  

关态输入电流  

(Note 4)  

I

C

= 500μA (图 5)  

50  

μA  

T

A

= +25°C  

T

A

= +85°C  

50  

25  

100  

50  

V

I(ON)  

输入电压  

(Note 5)  

V

CE

= 2.0V, IC = 200mA (图

 

6 )  

V

CE

= 2.0V, IC = 250mA (图

 

6 )  

V

CE

= 2.0V, IC = 300mA (图

 

6 )  

2.4  

2.7  

3.0  

V

C

I  

输入电容  

15  

30  

pF  

t

PLH  

t

PHL  

I

R  

导通延迟时间  

关断延迟时间  

0.5 V

I

to 0.5 V

O  

0.5 V

I

to 0.5 V

O  

V

R

= 50V (图 7)  

T

A

= 25°C  

1.0  

1.0  

μs  

嵌位二极管漏  

电流  

5

10  

μA  

V

T

A

= 85°C  

10  

50  

V

F  

嵌位二极管正  

向压降  

I

F

= 350mA (图 8 )  

1.7  

2.0  

注：

1、极限值是指超出该范围，器件有可能被损坏，并非器件的正常工作条件范围。  

电参数表提供了器件的工作条件范围；  

2、除特别指明外，所有条件适用于达林顿阵列；  

3、通常条件下，每路输出在 70°C、V

CE (Sat)

 

= 1.6V 下脉冲宽度为 20ms 的持续工作  

电流为 350mA。  

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五、典型性能曲线：  

六、内部等效线路图（

1/7

路）：  

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七、测试线路图：  

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八、封装图：  

SOP16  

Q

A

B

A1  

0.25  

a

b

Dimensions In Millimeters  

Symbol

：

Min

：

Max

：  

Symbol

：

Min

：  

Max

：  

0.950  

8°  

A

A1  

B

4.520  

0.100  

9.800  

5.800  

3.800  

4.620  

0.250  

10.00  

6.250  

4.000  

D

Q

a

0.400  

0°  

0.420 TYP  

1.270 TYP  

C

b

C1  

DIP16  

B

D1  

d

D

c

Dimensions In Millimeters  

Symbol

：

Min

：

Max

：  

Symbol

：

Min

：  

Max

：  

A

B

6.100  

18.940  

8.200  

7.42  

6.680  

19.560  

9.200  

7.820  

3.550  

L

a

b

c

d

0.500  

0.800  

1.524 TYP  

D

0.889 TYP  

0.457 TYP  

2.540 TYP  

a

b

D1  

E

3.100  

L

0.500  

0.800  

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ULN2003AC  

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、

军

事

、

航

空航天等领域应用之许可

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华

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