IDCHIP-AO3401

深圳市英锐芯电子科技有限公司  

P沟道增强型MOS管 3401  

SOT-2

3

Plastic-Encapsulate MOSFETS  

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  

3401  

SOT-23  

FEATURE  

z

z

High dense cell design for extremely low R

DS(ON)  

Exceptional on-resistance and maximum  

DC current capability  

D

S

MARKING A1

9T  

G

Maximum ratings ( T

a

=25

℃

unless otherwise noted)  

Unit  

Value  

Parameter  

Symbol  

-30  

V

V

Drain-Source Voltage  

Gate-Source Voltage  

V

DS  

V

GS  

I

D  

±12  

Continuous Drain Current  

-4.2  

35

0  

A

mW  

℃

/W  

℃

Power Dissipation  

P

D  

Thermal Resistance from Junction to Ambient

 

(

t<5s

)  

Junction Temperature  

R

θ

JA  

T

J  

3

57  

150  

Storage Temperature  

T

STG  

-55~+150  

℃

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P沟道增强型MOS管  

3401  

MOSFET ELECTRICAL

 

CHARACTERISTICS  

unless otherwise specified  

T =25  

a

℃

Parameter  

Symbol  

Test Condition  

Min  

Typ  

Max  

Unit  

Off characteristics  

Drain-source breakdown voltage  

Zero gate voltage drain current  

Gate-source leakage current  

On characteristics  

V

(BR)DSS  

I

DSS  

V

GS

= 0V, I

D

=-250µA  

V

DS

=-24V,V

GS

= 0V  

V

GS

=±12V, V

DS

= 0V  

-30  

V

-1  

µA  

nA  

I

GSS  

±100  

m

Ω

 

m

Ω  

m

Ω  

S

V

GS

=-10V, I

D

=-4.2A  

V

GS

=-4.5V, I

D

=-4A  

V

GS

=-2.5V,I

D

=-1A  

V

DS

=-5V, I

D

=-5A  

65  

75  

90  

Drain-source on-resistance  

(note 1)  

R

DS(on)  

7

Forward tranconductance

(note 1)  

Gate threshold voltage  

Dynamic characteristics

 

(note 2)  

Input capacitance  

g

FS  

V

GS(th)  

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250µA  

-0.7  

-1.3  

V

C

iss  

C

oss  

C

rss  

954  

115  

77  

pF  

pF  

pF  

V

DS

=-15V,V

GS

=0V,f =1MHz  

Output capacitance  

Reverse transfer capacitance  

Switching characteristics

 

(note 2)  

Turn-on delay time  

t

d(on)  

t

r  

t

d(off)  

t

f  

6.5  

3.5  

40  

ns  

ns  

ns  

ns  

Turn-on rise time  

V

GS

=-10V,V

DS

=-15V,  

R

L

=3.6

ꢀ

,R

GEN

=6

ꢀ  

Turn-off delay time  

Turn-off fall Time  

13  

Drain-source diode characteristics and maximum ratings  

-1  

Diode forward voltage

(note 1)  

V

SD  

I

S

=-1A,V

GS

=0V  

V

Note :  

1. Pulse

 

T

e

st : Pulse width

≤

300µs, duty cycle

≤

2%.  

2. These

 

parameters have no way to verify.  

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7SLFDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV  

Output Characteristics  

Transfer Characteristics  

-20  

-16  

-12  

-8  

-18  

-16  

-14  

-12  

-10  

-8  

V

GS

=-3V,-4V,-5V  

T

a

=25

℃

 

V

DS

=-3V  

Pulsed  

Pulsed  

V

GS

=-2.5V  

T

a

=25

℃  

T

a

=100

℃  

V

GS

=-2V  

-6  

-4  

-4  

V

GS

=-1.5V  

-2  

-0  

-0  

-0  

-1  

-2  

-3  

-4  

-0.0  

-0.5  

-1.0  

-1.5  

-2.0  

-2.5  

-3.0  

-3.5  

-4.0  

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

 

V

DS

(V)  

GATE TO SOURCE VOLTAGE

 

V

GS

(V)  

R

DS(ON)

V

GS  

——  

R

DS(ON)  

I

D  

——  

80  

70  

60  

50  

40  

30  

20  

300  

200  

100  

0

T

a

=25

℃  

Pulsed  

Pulsed  

V

GS

=-2.5V  

I

D

=-4.2A  

V

GS

=-4.5V  

T

a

=100

℃  

V

GS

=-10V  

T

a

=25

℃  

-1  

-2  

-3  

-4  

-5  

-0  

-1  

-2  

-3  

-4  

-5  

-6  

-7  

-8  

-9  

-10  

DRAIN CURRENT

 

I

D

(A)  

GATE TO SOURCE VOLTAGE

 

V

GS

(V)  

Threshold Voltage  

I

S

——  

V

SD  

-5  

-1.2  

-1.0  

-0.8  

-0.6  

-0.4  

Pulsed  

I

D

=-250uA  

T

a

=75

℃  

-1  

T

a

=100

℃  

T

a

=25

℃  

-0.1  

-0.0  

-0.4  

-0.8  

-1.2  

-1.6  

-2.0  

25  

50  

75  

100  

125  

SOURCE TO DRAIN VOLTAGE

 

V

SD

(V)  

JUNCTION TEMPERATURE

 

T

j

(

℃

)  

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