IDCHIP-SI2302

深圳市英  

锐

芯电子科

技

有限

公司  

N沟道增强型MOS场效应管 SI2302  

627ꢀꢁꢂꢃ3ODVWLFꢀ(QFDSVXODWHꢃ026)(76ꢃ

 

1ꢀ&KDQQHOꢃꢁꢄꢀ9ꢅ’ꢀ6ꢆꢃ026)(7

 

SI2301  

ꢃ

)($785(ꢃ

 

7UHQFK)(7ꢀ3RZHUꢀ026)(7ꢀ  

$33/,&$7,216ꢃ

 

z

ꢀ

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z

ꢀ

‘&ꢁ’&ꢀ&RQYHUWHUꢀ  

Equivalent Circuit  

MARKING  

3400  

R

A

3

2

4

S

0

H

0

B  

1.GATE  

2.SOURCE  

3.DRAIN  

0D[LPXPꢃUDWLQJVꢃꢅ7

D

 ꢁꢇ

Я

ꢃXQOHVVꢃRWKHUZLVHꢃQRWHGꢆꢃ

 

3DUDPHWHUꢃ

 

6PER

O

 

9

‘6  

9DOXH

 

8QLW

 

‘UDLQꢂ6RXUFHꢀ9ROWDJHꢀ  

*DWHꢂ6RXUFHꢀ9ROWDJHꢀ  

ꢀ

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9

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,

ꢀ

2

ꢁ

.

ꢂ

3  

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‘

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3RZHUꢀ’LVVLSDWLRQ

ꢀ  

,

6

3

‘  

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:

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W

”

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ꢀ  

2SHUDWLQJꢀ-XQFWLRQꢀ  

5

ș

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7

–  

Я

ꢁ:ꢀ  

Я

ꢀ  

6WRUDJHꢀ7HPSHUDWXUHꢀ  

7

67*  

ꢂꢋꢋꢀaꢎꢍꢋꢄ  

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Electrical characteristics (T

a

=25

Я

unless otherwise noted)  

Parameter  

Symbol  

Test Condition  

Min  

Typ  

Max  

Units  

Static  

Drain-source breakdown voltage  

Gate-threshold voltage  

V

(BR)DSS

V

GS

= 0V, I

D

=10

μ

A  

20  

V

0.95  

V

GS(th)  

I

GSS  

V

DS

=V

GS

, I

D

=50

μ

A  

V

DS

=0V, V

GS

=±8V  

V

DS

=20V, V

GS

=0V  

V

GS

=4.5V, I

D

=

ꢀ

3

ꢁ

.

ꢂ

6

A  

V

GS

=2.5V, I

D

=

3.1

A  

V

DS

=5V, I

D

=3.6A  

I

S

=0.94A,V

GS

=0V  

0.

6

ꢂ  

1.2  

±100  

1

Gate-body leakage  

nA  

Zero gate voltage drain current  

I

DSS  

μ

A  

0.0

ꢃꢂ  

0.0

7

ꢄ  

8

0.0

60  

0.

115  

Drain-source on-resistance

a  

r

DS(on)  

Ÿ

Forward transconductance

a  

Diode forward voltage  

Dynamic  

g

fs  

S

V

1.2  

V

SD  

0.76  

Total gate charge  

Gate-source charge  

Gate-drain charge  

Input capacitance

b  

Output capacitance

b  

Reverse transfer capacitance

b  

Switching

b  

Q

g  

Q

gs  

Q

gd  

C

iss  

C

oss  

C

rss  

4

ꢁꢄ  

0.65  

1.5  

10  

V

DS

=10V,V

GS

=4.5V,I

D

=3.6A  

V

DS

=10V,V

GS

=0V,f=1MHz  

nC  

pF  

300  

120  

80  

Turn-on delay time  

Rise time  

t

d  

7

15  

80  

60  

25  

(on)  

V

t

r  

t

d(off)  

t

f  

55  

16  

10  

R

L

=5.5

ȍ

,

I

D

§

3.6A,  

V

GEN

=4.5V,Rg=6

ȍ  

ns  

Turn-off delay time  

Fall time  

Notes :  

a. Pulse

 

T

e

st : Pulse width

”

300

μ

s, duty cycle

”

2%.  

b. These

 

parameters have no way to verify.  

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7SLFDOꢃ&KDUDFWHULVWLFV

 

Output Characteristics  

Transfer Characteristics  

10  

15  

12  

9

V

GS

=3.5V,3.0V,2.5V  

T

a

=25

ć

 

T

a

=25

ć  

Pulsed  

Pulsed  

V

GS

=2.0V  

8

6

4

2

0

6

V

GS

=1.5V  

3

0

0.0  

0.5  

1.0  

1.5  

2.0  

2.5  

0

2

4

6

8

10  

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

 

V

DS

(V)  

GATE TO SOURCE VOLTAGE

 

V

GS

(V)  

R

DS(ON)

—— V

GS  

R

DS(ON)

—— I

D  

100  

80  

60  

40  

20  

0

0.20  

T

a

=25

ć  

T

a

=25

ć  

Pulsed  

Pulsed  

0.16  

0.12  

0.08  

0.04  

0.00  

V

GS

=2.5V  

V

GS

=4.5V  

I

D

=4.5A  

0

5

10  

15  

20  

25  

30  

0

2

4

6

8

10  

GATE TO SOURCE VOLTAGE

 

V

GS

(V)  

DRAIN CURRENT

 

I

D

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