IDCHIP-ULN2003
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深圳市英锐芯电子科技有限公司
七路达林顿晶体管阵列
ULN2003
Ver1.1
产品概述
ULN2003
是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由七对
NPN
达林顿管组成的，它
的高电压输出特性和阴极钳位二极管可以转换感应负载。单路达林顿管的集电极电流是
500mA
。达林顿管并联
可以承受更大的电流。
ULN2003
的每一路达林顿管串联一个基极电阻
，
5V
工作电压以下可直接与
TTL/CMOS
电路连接
，
可
直接处
理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
产品特点
支持
50
高电压输出
产品用途
显示屏驱动
继电器驱动
指示灯驱动
步进电机驱动
每路集电极输出电流：
500mA
输入兼容
TTL/CMOS
逻辑信号
采用
SOP-16
封装
订购信息
产品型号
封装
包装
ULN2003
SOP-16
2500/
盘
内部原理框图
达林顿电路原理(单个)
钳位二极管公共端
(COM)
输出端
(C)
输入端
(B)
公共端
(E)
达林顿阵列逻辑图
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
COM
E
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
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地址:深圳市福田区滨河大道联合广场A座1308
电话:0755-82568882/82568883
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七路达林顿晶体管阵列
ULN2003
Ver1.1
引脚定义图
1
2
3
1B
2B
3B
16
15
14
12
1C
2C
3C
4B
5B
4C
5C
ULN2003
5
6B
7B
E
6C
7C
COM
图
1 ULN2003
引脚定义图
引脚描述
引脚号
1
符号
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
引脚描述
1
通道输入管脚
2
通道输入管脚
3
通道输入管脚
4
通道输入管脚
5
通道输入管脚
6
通道输入管脚
7
通道输入管脚
电源地
2
3
4
5
6
7
8
9
COM
7C
6C
5C
4C
3C
2C
1C
钳位二极管公共端
7
通道输出管脚
6
通道输出管脚
5
通道输出管脚
4
通道输出管脚
3
通道输出管脚
2
通道输出管脚
1
通道输出管脚
10
11
12
13
14
15
16
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典型应用电路
1
2
3
4
5
6
7
16
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
2C
继电器
继电器
4K
15
14
13
12
11
10
9
MCU
等
4K
3C
步进
电机
4K
控
制
器
4C
4K
5C
蜂鸣器
4K
发光
LED
二极管
6C
4K
发光
LED
二极管
7C
4K
8
+12V
COM
图
2 ULN2003
典型应用电路
注：目前有些应用采用了带上拉电阻的单片机，在上电时单片机输出状态不稳定，此时
ULN2003
输入级会受单片机上拉电阻影响而将负载打开，
为了避免负载的误动作，建议在输入级接
4K
对地的下拉电阻，如上图所示：
绝对最大额定值
参数
输入电压
符号
V
IN
V
CE
V
COM
I
CP
数值
-0.5
～
30
-0.5
～
50
50
单位
V
集电极-发射极电压
COM
端电压
V
V
集电极峰值电流
输出钳位二极管正向峰值电流
总发射极最大峰值电流
储存温度
500
mA
mA
A
I
OK
500
I
TE
-2.5
T
S
-60
～
150
150
℃
℃
℃
节点温度
T
J
焊接温度
T
L
260(10
秒内
)
注：各项参数若超出“绝对最大值”的范围，将有可能对芯片造成永久性损伤。以上给出的仅是极限范围，在这样的极限条件下工作，芯片
的技术指标将得不到保证。长期工作在“绝对最大值”附近，会影响芯片的可靠性。
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推荐工作条件
(除非另有说明，否则
T
A
=25
℃
)
参数
符号
T
opr
数值
-40
～
85
2
～
30
单位
℃
V
工作温度
输入电压(输出开启)
输入电压(输出关断)
输入电压(控制信号)
集电极-发射极电压
钳位二极管反向电压
钳位二极管正向峰值电流
V
IN(ON)
V
IN(OFF)
V
IN
0
～
0.6
V
0
～
30
V
V
CE
0
～
50
V
V
R
50
V
I
F
350
mA
950(T
A
=25
℃
)
495(T
A
=85
℃
)
功耗
P
D
mW
电气特性
(除非另有说明，否则
T
A
=25
℃
)
参数
符号
V
IN(ON)
I
IN
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
V
CE
=2V,I
C
=200
mA
V
CE
=2V,I
C
=250
mA
V
CE
=2V,I
C
=300
mA
V
IN
=3.85V,I
C
=250
mA
I
IN
=250μ
A
,I
C
=100
mA
I
IN
=350μ
A
,I
C
=200
mA
I
IN
=500μ
A
,I
C
=350
mA
I
F
=350
mA
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
2.7
3
输入电压(输出开启)
输入电流
V
mA
V
–
0.95
0.9
1
1.35
1.1
1.3
1.6
2
集电极-发射极饱和压降
V
CE(sat)
1.2
1.7
–
钳位二极管正向压降
钳位二极管反向电流
V
F
I
R
V
V
R
=50V
50
100
50
100
25
1
μ
A
V
R
=50V,T
A
=70
℃
V
CE
=50V,I
IN
=0V
V
CE
=50V,I
IN
=0V,T
A
=70
℃
V
IN
=0V,f=1MHz
–
–
–
集电极关断漏电流
I
CEX
μ
A
–
输入电容
C
IN
t
PLH
t
PHL
15
0.25
0.25
pF
μs
μs
传输延迟(低-高)
传输延迟(高-低)
–
1
注：工作电流即为空载时电路内部消耗的电流，工作电流越大则电路内部本身消耗的功耗越大，功耗计算公式为：
P
D
=I
VCC
x VCC
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达林顿阵列单元参数测试原理图
Open
Open
V
CE
V
CE
CEX
CEX
Open
V
图
3-I
CEX
测试电路
图
4-I
CEX
测试电路
Open
Open
V
CE
I
C
I
IN(on)
I
IN(off)
Open
V
Open
Open
图
5-I
IN(off)
测试电路
图
6-I
IN(on)
测试电
Open
Open
I
R
HFE=I
C
/I
IN
I
IN
I
C
V
CE
图
7-H
FE
,V
CE(sat)
测试电路
图
8-I
R
测试电路
Open
I
F
V
F
HFE=I
C
/I
IN
V
IN(on)
V
CE
I
C
图
9-V
IN(on)
测试电路
图
10-V
F
测试电路
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50%
t
PHL
50%
Input
t
PHL
Output
50%
50%
图
11-
传输延时波形图
V
S
Input
Open
2mH
1N3064
200Ω
脉冲
Output
发生器
+
C
L
=15pF
注：
(1)CL
包括示波器探头和模具寄生电
(2)
脉冲发生器参数：
PRR=12.5KHz,Z
O
=50Ω
图
12-
锁存测试原理图
V
IH
=3V
90%
1.5V
10%
90%
1.5V
0V
Input
10%
<10ns
V
OH
Output
V
OL
图
13-
锁存测试电压波形图
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封装尺寸(
SOP-16
)
D
E1
E
b
e
A2
A
A1
Dimensions In Millimeters
Dimensions In Inches
Symbol
Min
Max
1.750
0.250
1.650
0.490
0.250
10.200
6.200
4.000
Min
Max
A
A1
A2
b
1.350
0.100
1.250
0.360
0.170
9.800
5.800
3.800
0.053
0.004
0.049
0.014
0.006
0.386
0.228
0.150
0.069
0.010
0.065
0.030
0.010
0.402
0.244
0.157
c
D
E
E1
e
1.270(BSC)
0.050(BSC)
L
0.450
0.800
0.018
0.032
θ
0
°
8
°
0
°
8
°
声明：
在使用本产品之前建议仔细阅读本资料；
本资料中的信息如有变化，恕不另行通知；
本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失；
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