Infineon-Technologies-DD1200S45KL3-B5

DD1200S45KL3_B5  

hochisolierendesꢀModul  

highꢀinsulatedꢀmodule  

V

CES

= 4500V  

I

C nom

 

= 1200A / I

CRM

= 2400A  

PotentielleꢀAnwendungen  

• Hochleistungsumrichter  

• Mitteldivnungsantriebe  

• Motorantriebe  

PotentialꢀApplications  

• Highꢀpowerꢀconverters  

• Mediumꢀvoltageꢀconverters  

• Motorꢀdrives  

• Multi-LevelꢀUmrichter  

• Traktionsumrichter  

• Multiꢀlevelꢀinverter  

• Tractionꢀdrives  

• Windgeneratoren  

• Windꢀturbines  

ElektrischeꢀEigenschaften  

• GroßeꢀDC-Festigkeit  

ElectricalꢀFeatures  

• HighꢀDCꢀstability  

• HoheꢀdynamischeꢀRobustheit  

• HoheꢀStoßstromfestigkeit  

• Highꢀdynamicꢀrobustness  

• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability  

MechanischeꢀEigenschaften  

MechanicalꢀFeatures  

•

AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  

•

AlSiC base plate for increased thermal cycling  

Lastwechselfestigkeit  

capability  

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  

•

Gehäuse mit erweiterten  

•

Package with enhanced insulation of 10.4kV AC  

Isolationseigenschaftenꢀvonꢀ10,4kVꢀACꢀ10s  

10s  

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  

ModuleꢀLabelꢀCode  

BarcodeꢀCodeꢀ128  

ContentꢀofꢀtheꢀCode  

ModuleꢀSerialꢀNumber  

Digit  

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  

ModuleꢀMaterialꢀNumber  

ProductionꢀOrderꢀNumber  

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  

6ꢀ-ꢀ11  

12ꢀ-ꢀ19  

20ꢀ-ꢀ21  

22ꢀ-ꢀ23  

DMXꢀ-ꢀCode  

Datasheet  

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

DD1200S45KL3_B5  

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  

PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung  

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 25°C  

T

vj

= -40°C  

4500  

4500  

4500  

V

RRM  

ꢀ

ꢀ

V

Dauergleichstrom  

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  

I

F  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

1200  

2400  

570  

ꢀ

ꢀ

A

A

PeriodischerꢀSpitzenstrom  

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  

t

P

= 1 ms  

I

FRM  

I²t  

P

RQM  

t

on min  

Grenzlastintegral  

I²tꢀ-ꢀvalue  

V

R

= 0 V, t

P

= 10 ms, T

vj

= 125°C  

T

vj

= 125°C  

ꢀ

kA²s  

ꢀ

kW  

ꢀ

µs  

Spitzenverlustleistung  

Maximumꢀpowerꢀdissipation  

2400  

10,0  

Mindesteinschaltdauer  

Minimumꢀturn-onꢀtime  

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  

min. typ. max.  

Durchlassdivnung  

Forwardꢀvoltage  

I

F

= 1200 A, V

GE

= 0 V  

I

F

= 1200 A, V

GE

= 0 V  

T

vj

= 25°C  

T

vj

= 125°C  

2,50 3,10  

2,50 3,00  

V

V

V

F  

Rückstromspitze  

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  

I

F

= 1200 A, – di

F

/dt = 5000 A/µs (T

vj

=125°C) T

vj

= 25°C  

1500  

1700  

A

A

V

R

= 2800 V  

V

GE

= -15 V  

T

vj

= 125°C  

I

RM  

Sperrverzögerungsladung  

Recoveredꢀcharge  

I

F

= 1200 A, – di

F

/dt = 5000 A/µs (T

vj

=125°C) T

vj

= 25°C  

1150  

2100  

µC  

µC  

V

R

= 2800 V  

V

GE

= -15 V  

T

vj

= 125°C  

Q

r  

AbschaltenergieꢀproꢀPuls  

Reverseꢀrecoveryꢀenergy  

I

F

= 1200 A, – di

F

/dt = 5000 A/µs (T

vj

=125°C) T

vj

= 25°C  

1750  

3550  

mJ  

mJ  

V

R

= 2800 V  

V

GE

= -15 V  

T

vj

= 125°C  

E

rec  

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  

R

thJC  

R

thCH  

T

vj op  

17,0 K/kW  

K/kW  

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  

16,0  

λ

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  

-50  

125  

°C  

Datasheet  

2

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

DD1200S45KL3_B5  

Modulꢀ/ꢀModule  

Isolations-Prüfdivnung  

Isolationꢀtestꢀvoltage  

RMS, f = 50 Hz, t = 10 s  

V

ISOL  

V

ISOL  

V

CE D  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

10,4  

3,5  

ꢀ

kV  

ꢀ

kV  

Teilentladungs-Aussetzdivnung  

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  

RMS, f = 50 Hz, Q

PD

≤

10 pC  

Kollektor-Emitter-Gleichsperrdivnung  

DCꢀstability  

T

vj

= 25°C, 100 fit  

3000  

AlSiC  

AlN  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

V

MaterialꢀModulgrundplatte  

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  

InnereꢀIsolation  

Internalꢀisolation  

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  

Kriechstrecke  

Creepageꢀdistance  

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  

56,0  

56,0  

ꢀ

mm  

ꢀ

mm  

ꢀ

Luftstrecke  

Clearance  

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  

26,0  

26,0  

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  

Comperativeꢀtrackingꢀindex  

CTI  

> 600  

min. typ. max.  

Modulstreuinduktivität  

Strayꢀinductanceꢀmodule  

L

sCE  

25  

nH  

m

Ω  

°C  

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  

Chip  

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  

T

C

ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  

R

AA’+CC’  

0,37  

Lagertemperatur  

Storageꢀtemperature  

T

stg  

M

-55  

4,25  

8,0  

125  

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  

5,75 Nm  

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  

Terminalꢀconnectionꢀtorque  

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  

M

–

10  

Nm  

g

Gewicht  

Weight  

G

1000  

Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1200R45KL3_B5 Modul  

Dynamic Data valid in conjunction with FZ1200R45KL3_B5 module  

Datasheet  

3

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

DD1200S45KL3_B5  

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

I

F

ꢀ=ꢀfꢀ(V

F

)  

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

E

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(I

F

)  

-ꢀdi

F

/dtꢀ=ꢀ5000A/µs,ꢀV

CE

ꢀ=ꢀ2800ꢀV  

2400  

5000  

T

vj

= 25°C  

E

rec

, T

vj

= 125°C  

T

vj

= 125°C  

4500  

4000  

3500  

3000  

2500  

2000  

1500  

1000  

500  

2000  

1600  

1200  

800  

400  

0

0

0,0  

0,5  

1,0  

1,5  

2,0  

2,5  

3,0  

3,5  

0

400  

800  

1200  

I

F

[A]  

1600  

2000  

2400  

V

F

[V]  

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

E

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(R

G

)  

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  

Z

thJC

ꢀ=ꢀfꢀ(t)  

I

F

ꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀV

CE

ꢀ=ꢀ2800ꢀV  

4500  

100  

E

rec

, T

vj

= 125°C  

Z

thJC

: Diode  

4000  

3500  

3000  

2500  

2000  

1500  

1000  

500  

10  

1

i:  

r

i

[K/kW]: 3,522 10,19 2,309 1,178  

τ

i

[s]: 0,005

 

0,048 0,247 4,383  

1

2

3

4

0

0,1  

0,001  

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10  

0,01  

0,1  

1

10  

100  

R

G

[

Ω

]  

t [s]  

Datasheet  

4

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

DD1200S45KL3_B5  

SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  

I

R

ꢀ=ꢀf(V

R

)  

T

vj

ꢀ=ꢀ125°C  

2800  

I

R

, Modul  

2400  

2000  

1600  

1200  

800  

400  

0

0

1000  

2000  

3000  

4000  

5000  

V

R

[V]  

Datasheet  

5

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

DD1200S45KL3_B5  

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  

Datasheet  

6

Vꢀ3.1  

2018-01-15  

Trademarks  

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

Editionꢀ2018-01-15  

©ꢀ2018ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  

AllꢀRightsꢀReserved.  

Publishedꢀby  

InfineonꢀTechnologiesꢀAG  

81726ꢀMünchen,ꢀGermany  

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ꢀ

ꢀ

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DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  

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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  

Personenverletzungenꢀführen.  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

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(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  

inꢀcustomer’sꢀapplications.  

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  

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