Infineon-Technologies-DD500S33HE3

DD500S33HE3  

IHM-BꢀModul  

IHM-Bꢀmodule  

V

CES

= 3300V  

I

C nom

 

= 500A / I

CRM

= 1000A  

TypischeꢀAnwendungen  

• Mitteldivnungsantriebe  

• Motorantriebe  

TypicalꢀApplications  

• Mediumꢀvoltageꢀconverters  

• Motorꢀdrives  

• Traktionsumrichter  

• USV-Systeme  

• Tractionꢀdrives  

• UPSꢀsystems  

• Windgeneratoren  

• Windꢀturbines  

ElektrischeꢀEigenschaften  

• GroßeꢀDC-Festigkeit  

ElectricalꢀFeatures  

• HighꢀDCꢀstability  

• NiedrigeꢀSchaltverluste  

• Lowꢀswitchingꢀlosses  

MechanischeꢀEigenschaften  

MechanicalꢀFeatures  

•

AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  

•

AlSiC base plate for increased thermal cycling  

Lastwechselfestigkeit  

capability  

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  

• IHMꢀBꢀGehäuse  

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  

• IHMꢀBꢀhousing  

• IsolierteꢀBodenplatte  

• Isolatedꢀbaseꢀplate  

ModuleꢀLabelꢀCode  

BarcodeꢀCodeꢀ128  

ContentꢀofꢀtheꢀCode  

ModuleꢀSerialꢀNumber  

Digit  

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  

ModuleꢀMaterialꢀNumber  

ProductionꢀOrderꢀNumber  

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  

6ꢀ-ꢀ11  

12ꢀ-ꢀ19  

20ꢀ-ꢀ21  

22ꢀ-ꢀ23  

DMXꢀ-ꢀCode  

Datasheet  

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

DD500S33HE3  

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  

PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung  

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  

T

vj

= -40°C  

T

vj

= 150°C  

3300  

3300  

V

RRM  

I

F  

I

FRM  

I²t  

P

RQM  

t

on min  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

V

A

A

Dauergleichstrom  

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  

500  

PeriodischerꢀSpitzenstrom  

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  

t

P

= 1 ms  

1000  

Grenzlastintegral  

I²tꢀ-ꢀvalue  

V

R

= 0 V, t

P

= 10 ms, T

vj

= 125°C  

V

R

= 0 V, t

P

= 10 ms, T

vj

= 150°C  

65,0  

61,0  

kA²s  

kA²s  

Spitzenverlustleistung  

Maximumꢀpowerꢀdissipation  

T

vj

= 125°C  

800  

ꢀ

kW  

ꢀ

µs  

Mindesteinschaltdauer  

Minimumꢀturn-onꢀtime  

10,0  

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  

min. typ. max.  

Durchlassdivnung  

Forwardꢀvoltage  

I

F

= 500 A, V

GE

= 0 V  

I

F

= 500 A, V

GE

= 0 V  

I

F

= 500 A, V

GE

= 0 V  

T

vj

= 25°C  

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 150°C  

3,10 3,85  

2,75 3,25  

2,65  

V

V

V

V

F  

I

RM  

Q

r  

Rückstromspitze  

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  

I

F

= 500 A, – di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C) T

vj

= 25°C  

V

R

= 1800 V  

V

GE

= -15 V  

500  

600  

625  

A

A

A

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 150°C  

Sperrverzögerungsladung  

Recoveredꢀcharge  

I

F

= 500 A, – di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C) T

vj

= 25°C  

V

R

= 1800 V  

V

GE

= -15 V  

225  

450  

525  

µC  

µC  

µC  

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 150°C  

AbschaltenergieꢀproꢀPuls  

Reverseꢀrecoveryꢀenergy  

I

F

= 500 A, – di

F

/dt = 1500 A/µs (T

vj

=150°C) T

vj

= 25°C  

225  

550  

650  

mJ  

mJ  

mJ  

V

R

= 1800 V  

V

GE

= -15 V  

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 150°C  

E

rec  

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  

R

thJC  

R

thCH  

T

vj op  

43,1 K/kW  

K/kW  

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  

16,5  

λ

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  

-40  

150  

°C  

Datasheet  

2

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

DD500S33HE3  

Modulꢀ/ꢀModule  

Isolations-Prüfdivnung  

Isolationꢀtestꢀvoltage  

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  

RMS, f = 50 Hz, Q

PD

≤

10 pC  

T

vj

= 25°C, 100 fit  

V

ISOL  

V

ISOL  

V

CE D  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

6,0  

2,6  

ꢀ

kV  

ꢀ

kV  

Teilentladungs-Aussetzdivnung  

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  

Kollektor-Emitter-Gleichsperrdivnung  

DCꢀstability  

2100  

ꢀ

ꢀ

V

MaterialꢀModulgrundplatte  

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  

AlSiC  

32,2  

Kriechstrecke  

Creepageꢀdistance  

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  

ꢀ

mm  

ꢀ

mm  

ꢀ

Luftstrecke  

Clearance  

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  

19,1  

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  

Comperativeꢀtrackingꢀindex  

CTI  

> 600  

min. typ. max.  

Modulstreuinduktivität  

Strayꢀinductanceꢀmodule  

L

sCE  

18  

nH  

m

Ω  

°C  

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  

Chip  

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  

T

C

ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  

R

AA’+CC’  

0,37  

Lagertemperatur  

Storageꢀtemperature  

T

stg  

M

-40  

150  

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  

4,25  

5,75 Nm  

2,1 Nm  

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  

Terminalꢀconnectionꢀtorque  

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  

1,8  

8,0  

–

–

M

G

10  

Nm  

g

Gewicht  

Weight  

800  

Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R33HE3 Modul.  

Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R33HE3 module.  

Datasheet  

3

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

DD500S33HE3  

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

I

F

ꢀ=ꢀfꢀ(V

F

)  

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

E

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(I

F

)  

R

Gon

ꢀ=ꢀꢀ

Ω

,ꢀV

CE

ꢀ=ꢀ1800ꢀV  

1000  

1000  

T

vj

= 150°C  

T

vj

= 125°C  

T

vj

= 25°C  

E

rec

, T

vj

= 150°C  

E

rec

, T

vj

= 125°C  

900  

900  

800  

700  

600  

500  

400  

300  

200  

100  

0

800  

700  

600  

500  

400  

300  

200  

100  

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5  

0

100 200 300 400 500 600 700 800 900

 

1000  

I

F

[A]  

V

F

[V]  

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  

E

rec

ꢀ=ꢀfꢀ(R

G

)  

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  

Z

thJC

ꢀ=ꢀfꢀ(t)  

I

F

ꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀV

CE

ꢀ=ꢀ1800ꢀV  

1000  

100  

E

rec

, T

vj

= 150°C  

E

rec

, T

vj

= 125°C  

900  

Z

thJC

: Diode  

800  

700  

600  

500  

400  

300  

200  

100  

0

10  

1

i:  

r

i

[K/kW]: 6,197 15,481 13,442 8,003  

τ

i

[s]: 0,004

 

0,047 0,319 9,255  

1

2

3

4

0,1  

0,001  

0

4

8

12  

16  

20  

24  

28  

0,01  

0,1  

t [s]  

1

10  

R

G

[

Ω

]  

Datasheet  

4

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

DD500S33HE3  

SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  

I

R

ꢀ=ꢀf(V

R

)  

T

vj

ꢀ=ꢀ150°C  

1200  

I

R

, Modul  

1000  

800  

600  

400  

200  

0

0

500  

1000 1500 2000 2500 3000 3500  

V

R

[V]  

Datasheet  

5

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

DD500S33HE3  

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  

Datasheet  

6

Vꢀ3.2  

2016-12-06  

TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG  

µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,  

CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,  

EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,  

IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,  

ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,  

SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™  

ꢀ

TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015  

ꢀ

OtherꢀTrademarks  

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

Editionꢀ2016-12-06  

©ꢀ2016ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.  

AllꢀRightsꢀReserved.  

Publishedꢀby  

InfineonꢀTechnologiesꢀAG  

81726ꢀMünchen,ꢀGermany  

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ꢀ

ꢀ

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DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes  

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,  

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,  

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.  

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem  

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon  

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.  

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder  

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen  

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.  

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen  

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).  

WARNHINWEIS  

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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.  

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten  

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen  

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu  

Personenverletzungenꢀführen.  

ꢀ

ꢀ

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE  

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics  

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe  

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout  

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.  

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany  

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies  

inꢀcustomer’sꢀapplications.  

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical  

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin  

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Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).  

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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.  

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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.