Infineon-Technologies-DD800S33K2C
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
3300
3300
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
P
RQM
t
on min
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
800
1600
220
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
t
P
= 1 ms
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
ꢀ
kA²s
ꢀ
kW
ꢀ
µs
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
1600
10,0
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 800 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
2,80 3,50
2,80 3,50
V
V
V
F
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 800 A, – di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
1100
1300
A
A
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
I
RM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 800 A, – di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
500
900
µC
µC
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
Q
r
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 800 A, – di
F
/dt = 4500 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
490
1150
mJ
mJ
V
R
= 1800 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
26,0 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
12,0
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
125
°C
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
V
ISOL
V
CE D
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
6,0
2,6
ꢀ
kV
ꢀ
kV
Teilentladungs-Aussetzdivnung
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrdivnung
T
vj
= 25°C, 100 fit
1800
AlSiC
AlN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
DCꢀstability
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
32,2
32,2
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
19,1
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
R
thCH
L
sCE
6,00
25
K/kW
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
R
CC’+EE’
0,34
m
Ω
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
4,25
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
–
–
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1000
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ800R33KF2C Modul.
Dynamic data valid in conjunction with FZ800R33KF2C module.
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
R
Gon
ꢀ=ꢀꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ1800ꢀV
1600
1600
T
vj
= 25°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
F
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600
I
F
[A]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
I
F
ꢀ=ꢀ800ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ1800ꢀV
1600
100
E
rec
, T
vj
= 125°C
Z
thJC
: Diode
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24
τ
i
[s]:
0,03 0,1 0,3
1
0,1
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
11 12 13 14 15 16 17 18
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
I
R
ꢀ=ꢀf(V
R
)
T
vj
ꢀ=ꢀ125°C
2000
I
R
, Modul
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
V
R
[V]
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S33K2C
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
©ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAGꢀ2015.
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ꢀ
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(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
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vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
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thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
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ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcan
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
preparedꢀby:ꢀMW
approvedꢀby:ꢀEO
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-06-17
revision:ꢀV3.0
6
