Infineon-Technologies-DF1000R17IE4
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DF1000R17IE4
PrimePACK™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode
PrimePACK™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 1000A / I
CRM
= 2000A
PotentielleꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Chopper-Anwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Windgeneratoren
PotentialꢀApplications
• 3-level-applications
• Chopperꢀapplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• GroßeꢀDC-Festigkeit
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT
vjꢀop
• HighꢀDCꢀstability
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• LowꢀV
CEsat
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀV
CEsat
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
MechanischeꢀEigenschaften
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
MechanicalꢀFeatures
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability
• Highꢀpowerꢀdensity
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• HoheꢀLeistungsdichte
• Kupferbodenplatte
• Copperꢀbaseꢀplate
• Standardgehäuse
• Standardꢀhousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CDC
I
CRM
V
GES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1000
2000
+/-20
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 1000 A
V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
2,00 2,45
2,35 2,80
2,45 2,95
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 36,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 / 15 V
V
GEth
Q
G
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
10,0
1,5
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1000 kHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
81,0
2,60
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,55
0,60
0,60
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Gon
= 1,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,10
0,12
0,12
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,00
1,25
1,30
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= -15 / 15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,29
0,50
0,59
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V, L
σ
= 30 nH
di/dt = 8000 A/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Gon
= 1,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
265
390
415
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 1000 A, V
CE
= 900 V, L
σ
= 30 nH
du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C)
V
GE
= -15 / 15 V, R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
200
295
330
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
4000
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
24,0 K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
9,00
K/kW
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1000
2000
140
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
I²tꢀ-ꢀvalue
ꢀ
kA²s
ꢀ
kW
Spitzenverlustleistung
T
vj
= 150°C
P
RQM
1000
Maximumꢀpowerꢀdissipation
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1000 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,85 2,25
1,95 2,35
1,95 2,35
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 1000 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
1050
1200
1250
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 1000 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
245
410
480
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 1000 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
115
205
245
mJ
mJ
mJ
V
R
= 900 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
48,0 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
18,0
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
NTC
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
NTC
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
33,0
33,0
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,0
19,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
10
nH
m
Ω
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
R
CC’+EE’
0,20
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
150
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
6,00 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
–
–
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1200
Datasheet
4
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
2000
2000
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
1800
1600
1400
1200
1000
800
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ1.2ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ900ꢀV
2000
1100
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
1000
1800
1600
1400
1200
1000
800
E
off
, T
vj
= 125°C
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
600
400
200
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800 2000
V
GE
[V]
I
C
[A]
Datasheet
5
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ900ꢀV
1200
100
E
on
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
1
i:
1
2
3,7
3
17
4
2,5
r
i
[K/kW]: 0,8
τ
i
[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
0,1
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
2200
2000
I
C
, Modul
I
C
, Chip
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
600
400
200
0
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
Datasheet
6
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ1.2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ900ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ900ꢀV
350
350
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
300
250
200
150
100
50
300
250
200
150
100
50
0
0
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800 2000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
F
[A]
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(SOA)
I
R
ꢀ=ꢀf(V
R
)
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
100
2200
Z
thJC
: Diode
I
R
, Modul
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
i:
1
3
2
3
4
3,5
r
i
[K/kW]:
τ
i
[s]:
11,5 30
0,0008 0,013 0,05 0,6
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800
V
R
[V]
Datasheet
7
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
R
typ
10000
1000
100
0
20
40
60
80
T
NTC
[°C]
100 120 140 160
Datasheet
8
Vꢀ3.1
2018-11-26
DF1000R17IE4
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
screwing depth
max. 16 (6x)
3
6
B
0,2
1
8
B
0,2 (4x)
screwing depth
max. 8 (7x)
A
25
0
B
0,5
224
187
150
113
103
92
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
76
58
+
–
0
5,5
0,1
25,
9
B
0,25
8
B
0,1 (7x)
P
0,2
5
ABC
(14x)
L
0,
4
A
(7x)
H
1 MAX
M4
P
0,
6
ABC
(7x)
L
25
14
M8
P
0,
6
ABC
(6x)
L
2
8
B
0,1
5,5
1
7
B
0,1
C
37,
7
B
0,25
recommeded design height
lower side bus bar to baseplate
B
39
64
78
117
156
195
234
Datasheet
9
Vꢀ3.1
2018-11-26
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2018-11-26
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ꢀ
ꢀ
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einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
