Infineon-Technologies-DF80R12W2H3F-B11
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DF80R12W2H3F_B11
EasyPACKꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀHigh-Speedꢀ3ꢀIGBTꢀundꢀSiCꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀHigh-Speedꢀ3ꢀIGBTꢀandꢀSiCꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 80A / I
CRM
= 160A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• SolarꢀAnwendungen
• Solarꢀapplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• CoolSiCꢀ(TM)ꢀSchottkyꢀDiodeꢀGenꢀ5
• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3
ElectricalꢀFeatures
• CoolSiCꢀ(TM)ꢀSchottkyꢀdiodeꢀgenꢀ5
• HighꢀspeedꢀIGBTꢀH3
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• Lowꢀswitchingꢀlosses
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 3ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• 3ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
• Al
2
O
3
ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• KompaktesꢀDesign
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
Bypass-Diodeꢀ/ꢀBypass-Diode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
T
H
= 60°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
T
H
= 60°C
60
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
450
360
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
1000
650
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassdivnung
T
vj
= 150°C, I
F
= 30 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,95
V
F
I
R
V
Sperrstrom
T
vj
= 150°C, V
R
= 1200 V
Reverseꢀcurrent
0,10
1,60
mA
K/W
°C
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJH
T
vj op
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
VerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ/ꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
T
H
= 75°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
T
H
= 75°C
60
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
290
245
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
420
300
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassdivnung
T
vj
= 150°C, I
F
= 20 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
1,00
V
F
I
R
V
Sperrstrom
T
vj
= 150°C, V
R
= 1200 V
Reverseꢀcurrent
0,10
2,35
mA
K/W
°C
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJH
T
vj op
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
IGBT-Chopperꢀ/ꢀIGBT-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
40
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
H
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
I
C nom
I
CRM
V
GES
20
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
80
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 20 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 20 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 20 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,70
1,70
1,75
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 1,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,00 5,80 6,50
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,32
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
2,35
0,13
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,025
0,025
0,028
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,25
0,32
0,35
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,016
0,023
0,025
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
0,26
0,32
0,35
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 12
Ω
T
vj
= 25°C
0,80
1,20
1,40
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
130
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJH
T
vj op
1,10
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
Diode-Chopperꢀ/ꢀDiode-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
15
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
30
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
40,0
ꢀ
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 15 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,45 1,75
1,75
1,85
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
5,00
5,00
5,00
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
0,15
0,25
0,25
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 15 A, – di
F
/dt = 1800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
0,03
0,03
0,03
mJ
mJ
mJ
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJH
T
vj op
1,57
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
NTC
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
NTC
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ
kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
T
stg
F
20
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
80
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
–
Gewicht
Weight
G
36
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Datasheet
5
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
DurchlasskennlinieꢀderꢀBypass-Diodeꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀBypass-Diodeꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
DurchlasskennlinieꢀderꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
60
40
T
vj
= 25°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 150°C
55
35
30
25
20
15
10
5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,2
0,4
0,6
V
F
[V]
0,8
1,0
1,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
V
F
[V]
AusgangskennlinieꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
40
40
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
35
30
25
20
15
10
5
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ12ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ12ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
40
3,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
35
30
25
20
15
10
5
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
6
7
8
9
10
11
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GE
[V]
I
C
[V]
SchaltverlusteꢀIGBT-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT-Chopperꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ20ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
3,5
10
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
Z
thJH
: IGBT
E
off
, T
vj
= 150°C
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,051
0,117 0,426 0,506
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
0,01
0,001
0
20
40
60
R
G
[
Ω
]
80
100
120
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT-Chopperꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode-Chopperꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ12ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
100
30
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
90
27
24
21
18
15
12
9
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6
3
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
SchaltverlusteꢀDiode-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ12ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ15ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
0,04
0,04
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
0,02
0,02
0,00
0,00
0
3
6
9
12 15 18 21 24 27 30
0
20
40
60
R
G
[
Ω
]
80
100
120
I
F
[A]
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode-Chopperꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
Z
thJH
: Diode
R
typ
10000
1000
100
1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,1713
τ
i
[s]:
0,409
0,5472 0,4425
0,0007345 0,007657 0,07913 0,2711
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T
NTC
[°C]
100 120 140 160
Datasheet
9
Vꢀ3.0
2017-03-31
DF80R12W2H3F_B11
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
10
Vꢀ3.0
2017-03-31
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015
ꢀ
OtherꢀTrademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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©ꢀ2017ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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