Infineon-Technologies-F3L300R07PE4P
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F3L300R07PE4P
EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀbereits
aufgetragenemꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/
pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
J
V
CES
= 650V
I
C nom
= 300A / I
CRM
= 600A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• 3-Level-Applikationen
• 3-level-applications
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• ErhöhteꢀSperrdivnungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀupꢀtoꢀ650V
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT
vjꢀop
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• Highꢀmechanicalꢀrobustness
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• Isolatedꢀbaseꢀplate
• Standardgehäuse
• Standardꢀhousing
•
Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
300
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
T
H
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
CRM
V
GES
280
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
600
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 280 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 280 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 280 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,50 1,75
1,65
1,70
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 4,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,00 5,80 6,50
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
3,00
1,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
18,5
0,57
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,09
0,11
0,12
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
1,30
1,90
2,40
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 280 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
13,0
16,0
17,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
1500
1200
A
A
I
SC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,250 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
300
280
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
I
F
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
I
FRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
6000
5600
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,50 1,90
1,45
1,40
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
130
190
200
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
9,00
20,0
23,0
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
3,25
5,90
6,80
mJ
mJ
mJ
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,369 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Diode,ꢀ3-Levelꢀ/ꢀDiode,ꢀ3-Level
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
300
280
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
I
F
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
I
FRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
6000
5600
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 280 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,50 1,90
1,45
1,40
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
130
190
200
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
9,00
20,0
23,0
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 280 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
3,25
5,90
6,80
mJ
mJ
mJ
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,369 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
NTC
= 25°C
R
25
5,00
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
∆
R/R
P
25
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
NTC
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
25,0
12,5
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,0
7,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
45
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
T
stg
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
T
BPmax
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
M
G
3,00
3,0
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
–
Gewicht
Weight
400
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
560
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
560
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
40
40
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
560
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
50
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
40
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
80
160
240
320
400
480
560
V
GE
[V]
I
C
[A]
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ280ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
35
1
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
Z
thJH
: IGBT
E
off
, T
vj
= 150°C
30
25
20
15
10
5
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,018
τ
i
[s]: 0,000644
0,0248 0,108 0,813
1
2
3
4
0,0681 0,133 0,0309
0
0,01
0,001
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
R
G
[
Ω
]
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
700
560
I
C
, Chip
I
C
, Modul short path
I
C
, Modul long path
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
600
500
400
300
200
100
0
40
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
V
CE
[V]
V
F
[V]
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ280ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
10
10
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
80
160
240
320
400
480
560
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
R
G
[
Ω
]
I
F
[A]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
1
560
Z
thJH
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,0289
τ
i
[s]: 0,000362
0,0192 0,0861 0,662
1
2
3
4
0,0947 0,193
0,0524
40
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
V
F
[V]
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀ3-Levelꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
1
100000
Z
thJH
: Diode
R
typ
10000
1000
100
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,0289
τ
i
[s]: 0,000362
0,0192 0,0861 0,662
1
2
3
4
0,0947 0,193
0,0524
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
T
NTC
[°C]
100 120 140 160
t [s]
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
9
Vꢀ2.0
2016-10-24
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015
ꢀ
OtherꢀTrademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2016-10-24
©ꢀ2016ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
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ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
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theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
