Infineon-Technologies-F3L400R12PT4B26BOSA1
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀaktiverꢀ”NeutralꢀPointꢀClampꢀ2″ꢀTopologieꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀactiveꢀ”NeutralꢀPointꢀClampꢀ2″ꢀtopologyꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
–
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 400A / I
CRM
= 800A
TypischeꢀAnwendungen
• SolarꢀAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalꢀApplications
• SolarꢀApplications
• UPSꢀSystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀV
CEsat
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT
vjꢀop
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀV
CEsat
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Compactꢀdesign
• KompaktesꢀDesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• Standardgehäuse
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
400
600
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
800
2150
+/-20
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
V
GES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,15
2,05
2,10
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 15,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,2
5,8
3,30
1,8
25,0
1,35
ꢀ
6,4
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,20
0,22
0,23
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,11
0,12
0,12
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,40
0,48
0,50
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,07
0,10
0,11
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
8,75
13,0
13,5
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
18,0
26,0
28,5
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
2200
1900
A
A
I
SC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,07 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,046
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
400
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
6700
6150
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 2650 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
145
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
205
215
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 2650 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
13,5
26,0
28,5
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 2650 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
3,40
6,35
7,15
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,22 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,077
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 0°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
400
360
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
800
880
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
V
GES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,15
2,00
2,10
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 4,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
4,9
5,8
3,20
1,0
18,5
0,57
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,08
0,10
0,10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,09
0,10
0,10
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,35
0,37
0,38
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,08
0,11
0,11
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
6,30
9,40
11,0
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,5
Ω
T
vj
= 25°C
20,0
23,5
24,5
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
1800
1400
A
A
I
SC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,17 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,074
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
15500
11500
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,80 2,30
1,85
1,90
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
255
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
310
325
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
29,0
56,0
65,0
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 3300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
8,70
16,5
19,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,16 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,056
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
C
= 25°C
ꢀ
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
ꢀ
B-Wert
B-value
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
25,0
12,5
ꢀ
ꢀ
ꢀ
mm
ꢀ
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,0
7,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 200
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
L
sCE
ꢀ
38
ꢀ
nH
m
Ω
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
R
CC’+EE’
ꢀ
0,75
ꢀ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
3,00
3,0
ꢀ
ꢀ
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
–
–
6,00 Nm
6,0 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
ꢀ
G
400
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
800
800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
720
640
560
480
400
320
240
160
80
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
800
80
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
720
640
560
480
400
320
240
160
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
80
0,1
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,01
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,00481 0,00743 0,05654 0,00346
τ
i
[s]: 0,00048
0,00808 0,03994 4,14691
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
900
800
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
720
800
640
700
600
500
400
300
200
100
0
560
480
400
320
240
160
80
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
10
10
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I
F
[A]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
11 12 13 14 15
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
1
800
Z
thJC
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,02066 0,03561 0,14341 0,02234
τ
i
[s]: 0,00031
0,0085 0,04141
0,9406
1
2
3
4
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
800
800
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
700
600
500
400
300
200
100
0
700
600
500
400
300
200
100
0
5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
6
7
8
9
10
11
12
13
V
CE
[V]
V
GE
[V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
100
100
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
90
90
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
80
80
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
11 12 13 14 15
I
C
[A]
R
G
[
Ω
]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
1
900
Z
thJC
: IGBT
I
C
, Modul
I
C
, Chip
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,1
0,01
i:
r
i
[K/W]: 0,01921 0,12312 0,02338 0,00837
τ
i
[s]: 0,00113
0,03104 0,17309 3,25128
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
[V]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ1.5ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
800
30
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
28
700
600
500
400
300
200
100
0
T
vj
= 150°C
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V
F
[V]
I
F
[A]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
11
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
I
F
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
24
1
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: Diode
22
20
18
16
14
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,02046 0,10956 0,02205 0,00681
τ
i
[s]: 0,00108
0,03036 0,16873 3,29829
2
0
0,01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
R
typ
10000
1000
100
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
12
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
13
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
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