Infineon-Technologies-F3L75R12W1H3B11BPSA1
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
J
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 75A / I
CRM
= 150A
TypischeꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• 3-Level-Applications
• SolarꢀApplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀV
CEsat
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀInductiveꢀDesign
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀV
CEsat
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
• Al
2
O
3
ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance
Widerstand
• KompaktesꢀDesign
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀContactꢀTechnology
•
Robuste Montage durch integrierte
•
Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT1-T4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1-T4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
75
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
30
45
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
150
275
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,45 1,70
1,55
1,60
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 2,60 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,05 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,57
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
4,40
0,235
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,03
0,03
0,03
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,25
0,32
0,34
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,025
0,04
0,045
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 2600 A/µs (T
vj
= 150°C)
T
vj
= 125°C
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
0,40
0,60
0,70
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 2400 V/µs (T
vj
= 150°C)
T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
1,05
1,60
1,75
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
270
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
0,500 0,550 K/W
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thCH
0,450
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
T
vj op
-40
150
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
60
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
310
ꢀ
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
2,15 t.b.d.
1,85
1,70
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
85,0
90,0
95,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
2,30
2,95
3,30
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
0,85
1,25
1,35
mJ
mJ
mJ
V
R
= 400 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,700 0,750 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,700
K/W
°C
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
I
C nom
I
C
30
60
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
t
P
= 1 ms
I
CRM
P
tot
100
175
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,25 1,50
1,30
1,30
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,05 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,50
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
3,10
0,095
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,022
0,022
0,025
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,12
0,15
0,165
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,025
0,037
0,04
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, di/dt = 3000 A/µs (T
vj
= 150°C)
T
vj
= 125°C
R
Gon
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
0,40
0,55
0,60
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 30 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 40 nH
V
GE
= 15 V, du/dt = 4200 V/µs (T
vj
= 150°C)
T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,2
Ω
T
vj
= 25°C
0,90
1,20
1,30
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
8 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs,
T
vj
= 150°C
350
250
A
A
I
SC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
0,750 0,850 K/W
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thCH
0,700
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
T
vj op
-40
150
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
I
F
30
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
I
FRM
I²t
100
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
130
115
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,45 1,65
1,35
1,30
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
42,0
48,0
50,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
1,80
2,40
2,60
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 30 A, – di
F
/dt = 2600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
0,45
0,65
0,73
mJ
mJ
mJ
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,800 1,10 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,600
K/W
°C
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
C
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ
kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
AI
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
L
sCE
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
30
nH
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
R
CC’+EE’
R
AA’+CC’
5,00
6,00
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
m
Ω
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
F
-40
40
125
80
°C
N
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
–
Gewicht
Weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
60
60
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
50
40
30
20
10
50
40
30
20
10
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
60
3,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
50
40
30
20
10
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
4,0
10
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
Z
thJH
: IGBT
3,0
2,0
1,0
0,0
1
i:
r
i
[K/W]: 0,032
0,062 0,312 0,544
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
1
2
3
4
0,1
0
10
20
30
40
50
60
70
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
70
50
I
C
, Modul
I
C
, Chip
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
45
60
50
40
30
20
10
0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ6,2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
2,0
1,6
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
1,8
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
0
10
20
30
R
G
[
Ω
]
40
50
60
I
F
[A]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
10
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Z
thJH
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1
i:
r
i
[K/W]: 0,097
0,219 0,576 0,508
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00
V
CE
[V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
)
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
60
60
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
54
48
42
36
30
24
18
12
6
54
48
42
36
30
24
18
12
6
0
0
5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
6
7
8
9
10
V
GE
[V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ6.2ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ6.2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
2,4
4,5
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
2,2
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
10
20
30
I
C
[A]
40
50
60
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
R
G
[
Ω
]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
10
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Z
thJH
: IGBT
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1
i:
r
i
[K/W]: 0,084
0,195 0,586 0,585
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,5
1,0
V
F
[V]
1,5
2,0
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ400ꢀV
1,00
0,90
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
0,80
0,90
0,80
0,70
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,70
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0
10
20
30
I
F
[A]
40
50
60
0
10
20
30
R
G
[
Ω
]
40
50
60
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
11
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
Z
thJH
: Diode
R
typ
10000
1000
100
1
i:
r
i
[K/W]: 0,206
0,247 0,412 0,535
τ
i
[s]: 0,0005
0,005 0,05
0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
12
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
13
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
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haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
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