Infineon-Technologies-FD300R07PE4-B6
| Part # | Infineon-Technologies-FD300R07PE4-B6 |
Download  | Infineon-Technologies-FD300R07PE4-B6 |
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC
EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
V
CES
= 650V
I
C nom
= 300A / I
CRM
= 600A
TypischeꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• Chopper-Anwendungen
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication
• ChopperꢀApplications
• MotorꢀDrives
• USV-Systeme
• UPSꢀSystems
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• ErhöhteꢀSperrdivnungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT
vjꢀop
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• Highꢀmechanicalꢀrobustness
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Standardgehäuse
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
P
tot
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
300
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 70°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
600
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
Totalꢀpowerꢀdissipation
940
ꢀ
W
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
V
GES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 300 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,95
1,70
1,75
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 4,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,0
5,8
3,20
1,0
18,5
0,57
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,06
0,09
0,10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,04
0,06
0,07
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,37
0,39
0,40
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,11
0,24
0,26
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
2,20
3,30
3,85
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 300 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3050 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 2,0
Ω
T
vj
= 25°C
12,5
15,5
16,5
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 25°C
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
1500
1200
A
A
I
SC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,16 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,093
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
300
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
6450
5950
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 300 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 300 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
145
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
205
220
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 300 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
9,20
20,0
23,0
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 300 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
2,65
5,50
6,30
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,32 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,185
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
Diode,ꢀReversꢀ/ꢀDiode,ꢀReverse
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
100
200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
1250
1150
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
V
F
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,75 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,435
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
DeviationꢀofꢀR100
5
%
Verlustleistung
T
C
= 25°C
ꢀ
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
ꢀ
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
15,0
12,5
ꢀ
ꢀ
ꢀ
mm
ꢀ
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,0
7,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 200
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
R
thCH
L
sCE
ꢀ
ꢀ
0,009
20
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
R
CC’+EE’
ꢀ
1,40
m
Ω
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
3,00
3,0
ꢀ
ꢀ
125 °C
6,00 Nm
6,0 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
–
–
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
ꢀ
G
400
ꢀ
g
Der Dauergleichstrom ist auf 225A @Tc=100°C,240A @Tc=90°C und 300A @Tc=50°C rms pro Anschlussterminal begrenzt.(T_terminal=125°C)
The DC forward current is limited to 225A @Tc=100°C,240A @Tc=90°C und 300A @Tc=50°C rms per connector terminal.(T_terminal=125°C)
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
600
600
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
540
480
420
360
300
240
180
120
60
540
480
420
360
300
240
180
120
60
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
600
35
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
540
480
420
360
300
240
180
120
60
30
E
off
, T
vj
= 150°C
25
20
15
10
5
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
100
200
300
I
C
[A]
400
500
600
V
GE
[V]
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
50
1
E
on
, T
vj
= 125°C
Z
thJC
: IGBT
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
45
E
off
, T
vj
= 150°C
40
35
30
25
20
15
10
5
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,0096 0,0528 0,0512 0,0464
τ
i
[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
0,001
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
R
G
[
Ω
]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
700
600
I
C
, Modul
I
C
, Chip
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
540
600
500
400
300
200
100
0
480
420
360
300
240
180
120
60
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ2ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ300ꢀV
10
10
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
I
F
[A]
400
500
600
0
2
4
6
8
10
12
14
16
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
1
200
Z
thJC
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
180
160
140
120
100
80
0,1
60
40
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,0192 0,1056 0,1024 0,0928
20
τ
i
[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀReversꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀReverseꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
1
100000
Z
thJC
: Diode
R
typ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,045 0,2475 0,24 0,2175
τ
i
[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD300R07PE4_B6
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
preparedꢀby:ꢀAA
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.2
10
