Infineon-Technologies-FF400R12KT3P-E
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀDiodeꢀundꢀbereits
aufgetragenemꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiodeꢀandꢀpre-applied
ThermalꢀInterfaceꢀMaterial
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 400A / I
CRM
= 800A
TypischeꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigeꢀSchaltverluste
ElectricalꢀFeatures
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• Unbeatableꢀrobustness
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLeistungsdichte
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀdensity
• Isolatedꢀbaseꢀplate
• Standardgehäuse
• Standardꢀhousing
•
Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
H
= 65°C, T
vj max
= 150°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
1,70 2,15
1,90
V
V
V
CE sat
V
GEth
Q
G
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 16,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
5,00 5,80 6,50
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
3,70
1,9
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
28,0
1,10
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
0,16
0,17
µs
µs
R
Gon
= 1,8
Ω
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
0,04
0,045
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
0,45
0,52
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
0,10
0,16
µs
µs
R
Goff
= 1,8
Ω
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 8000 A/µs
R
Gon
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
18,0
28,0
mJ
mJ
E
on
E
off
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4500 V/µs
R
Goff
= 1,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
30,0
45,0
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 125°C
1600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,0847 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
125
°C
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
I²tꢀ-ꢀvalue
34000
ꢀ
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
1,65 2,15
1,65
V
V
V
F
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
400
480
A
A
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
I
RM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
44,0
80,0
µC
µC
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
Q
r
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 400 A, – di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
20,0
37,0
mJ
mJ
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,151 K/W
125 °C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
29,0
23,0
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
23,0
11,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
R
thCH
L
sCE
0,01
20
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
T
H
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
R
CC’+EE’
0,70
m
Ω
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
-40
125 °C
125 °C
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
T
BPmax
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
M
G
3,00
2,5
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
–
Gewicht
Weight
340
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ125°C
800
800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
720
640
560
480
400
320
240
160
80
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
800
120
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
720
640
560
480
400
320
240
160
80
100
80
60
40
20
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
200
0,1
E
on
, T
vj
= 125°C
Z
thJH
: IGBT
E
off
, T
vj
= 125°C
180
160
140
120
100
80
0,01
60
40
i:
r
i
[K/W]: 0,0062
τ
i
[s]: 0,000222
0,00798 0,0684 0,597
1
2
3
4
0,0081 0,0525
0,0179
20
0
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ125°C
900
800
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
720
800
640
560
480
400
320
240
160
80
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ1.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
50
50
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I
F
[A]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
1
Z
thJH
: Diode
0,1
0,01
i:
r
i
[K/W]: 0,01
τ
i
[s]: 0,000415
0,0193 0,0934 0,973
1
2
3
4
0,0444 0,0671 0,0295
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀAKB
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-04-25
revision:ꢀV2.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF400R12KT3P_E
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
©ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAGꢀ2015.
AllꢀRightsꢀReserved.
ꢀ
ꢀ
Nutzungsbedingungen
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
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(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
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ꢀ
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(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
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Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
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thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
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revision:ꢀV2.0
9
