Infineon-Technologies-FF900R12IP4DV
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4,ꢀgrößererꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC
PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4,ꢀenlargedꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 900A / I
CRM
= 1800A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• Hybrid-Nutzfahrzeuge
• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT
vjꢀop
• GroßeꢀDC-Festigkeit
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT
vjꢀop
• HighꢀDCꢀStability
•
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
•
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
Kurzschlussstrom
CircuitꢀCurrent
• NiedrigesꢀV
CEsat
• LowꢀV
CEsat
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• UnbeatableꢀRobustness
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
• EnlargedꢀDiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• HoheꢀLeistungsdichte
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances
• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability
• HighꢀPowerꢀDensity
• SubstratꢀfürꢀkleinenꢀthermischenꢀWiderstand
• SubstrateꢀforꢀLowꢀThermalꢀResistance
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
P
tot
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
900
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
1800
5,10
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
Totalꢀpowerꢀdissipation
ꢀ
kW
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
V
GES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 900 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,70 2,05
2,00
2,10
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 33,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,0
5,8
6,40
1,2
54,0
2,80
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,20
0,22
0,22
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,14
0,15
0,15
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,70
0,80
0,85
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,20
0,40
0,45
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
71,0
100
105
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 900 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 45 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
125
160
175
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
ꢀ
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
3600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
29,5 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
16,0
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
900
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
1800
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
150
145
kA²s
kA²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 900 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,65 2,20
1,55
1,50
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 900 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
560
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
770
820
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 900 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
110
200
225
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 900 A, – di
F
/dt = 4800 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
50,0
90,0
100
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
20,5
ꢀ
37,0 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
C
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
C
= 25°C
ꢀ
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
ꢀ
B-Wert
B-value
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al
2
O
3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
33,0
33,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ
mm
ꢀ
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,0
19,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 400
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
R
thCH
L
sCE
ꢀ
ꢀ
4,50
18
K/kW
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
R
CC’+EE’
ꢀ
0,30
m
Ω
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
ꢀ
150 °C
6,00 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
–
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
–
–
2,1 Nm
10 Nm
M
G
Gewicht
Weight
ꢀ
ꢀ
825
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
1800
1800
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
1600
1400
1200
1000
800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ1.6ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.6ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
1800
400
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
1600
1400
1200
1000
800
350
300
250
200
150
100
50
600
400
200
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ900ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
800
100
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
10
1
i:
1
2
6
3
20
4
2,3
r
i
[K/kW]: 1,2
τ
i
[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
0
0,1
0,0
2,0
4,0
6,0
8,0 10,0
12,0 14,0 16,0
R
G
[
Ω
]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ1.6ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
2000
1800
I
C
, Modul
T
vj
= 25°C
I
C
, Chip
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1800
1620
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1440
1260
1080
900
720
540
360
180
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
V
CE
[V]
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ1.6ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ900ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
160
140
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
140
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
0
200 400 600 800
1000 1200 1400 1600 1800
I
F
[A]
0,0
2,0
4,0
6,0
8,0 10,0
12,0 14,0 16,0
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100
100000
Z
thJC
: Diode
R
typ
10
10000
1000
100
1
i:
1
2
8,8
3
4
r
i
[K/kW]: 3,1
τ
i
[s]:
24,5 0,6
0,0008 0,013 0,05 0,6
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T
C
[°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF900R12IP4DV
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
preparedꢀby:ꢀTA
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-26
revision:ꢀ2.0
approvedꢀby:ꢀDTS
9
