Infineon-Technologies-FP150R12KT4
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FP150R12KT4
EconoPIM™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC
EconoPIM™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC
–
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 150A / I
CRM
= 300A
PotentielleꢀAnwendungen
• Hilfsumrichter
PotentialꢀApplications
• Auxiliaryꢀinverters
• Motorꢀdrives
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• Servoꢀdrives
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiedrigesꢀV
CEsat
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀV
CEsat
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• V
CEsat
ꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• V
CEsat
ꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• HoheꢀLeistungsdichte
MechanicalꢀFeatures
• Highꢀpowerꢀdensity
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• Kupferbodenplatte
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• Copperꢀbaseꢀplate
• Lötverbindungstechnik
• Standardgehäuse
• Solderꢀcontactꢀtechnology
• Standardꢀhousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
150
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
300
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,10
2,05
2,10
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 5,70 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,25 5,80 6,35
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
1,20
5,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
9,35
0,41
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,16
0,19
0,19
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,07
0,08
0,08
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,42
0,48
0,53
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,10
0,19
0,22
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1600 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
22,0
28,5
30,5
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,8
Ω
T
vj
= 25°C
9,80
15,0
17,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
540
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,172 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0785
K/W
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
150
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
300
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
3050
2950
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,70 2,15
1,65
1,65
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 150 A, – di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
57,0
73,0
78,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 150 A, – di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
9,80
19,5
22,0
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 150 A, – di
F
/dt = 1600 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
2,60
5,20
6,20
mJ
mJ
mJ
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,299 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,105
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
150
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
T
C
= 100°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
T
C
= 100°C
150
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
1600
1400
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
13000
9800
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassdivnung
T
vj
= 150°C, I
F
= 150 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
1,00
V
F
I
R
V
Sperrstrom
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V
Reverseꢀcurrent
1,00
mA
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,284 K/W
K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
0,0887
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
100
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
200
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,75 2,10
2,05
2,10
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 3,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,25 5,80 6,35
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,80
7,5
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
6,30
0,27
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,15
0,16
0,16
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,03
0,04
0,04
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,31
0,35
0,37
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,10
0,16
0,21
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
6,10
9,00
9,70
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 100 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,6
Ω
T
vj
= 25°C
6,10
9,20
10,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
360
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,230 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,0941
K/W
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
4
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
100
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
560
475
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,70 2,15
1,65
1,65
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= 15 V
76,0
77,0
77,0
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= 15 V
5,70
9,40
10,5
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 50 A, – di
F
/dt = 2300 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
2,00
3,50
3,80
mJ
mJ
mJ
V
R
= 600 V
V
GE
= 15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
R
thJC
R
thCH
T
vj op
0,682 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,123
λ
Paste
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀ
λ
grease
ꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
NTC
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
NTC
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
5
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ
kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
10,0
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,5
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
25
nH
m
Ω
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
C
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
R
CC’+EE’
1,10
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
T
stg
M
-40
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
6,00 Nm
g
Gewicht
Weight
G
300
Datasheet
6
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
300
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
275
250
225
200
175
150
125
100
75
275
250
225
200
175
150
125
100
75
V
GE
= 9V
50
50
25
25
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
300
150
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
275
250
225
200
175
150
125
100
75
125
100
75
50
25
0
50
25
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
30 60 90
120 150 180 210 240 270 300
V
GE
[V]
I
C
[A]
Datasheet
7
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
125
1
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
100
75
50
25
0
0,1
0,01
i:
r
i
[K/W]: 0,011
τ
i
[s]: 0,000448
0,00816 0,0504 0,805
1
2
3
4
0,0135 0,132 0,0155
0,001
0,001
0
10
20
30
40
50
60
70
0,01
0,1
1
10
R
G
[
Ω
]
t [s]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
350
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
275
300
250
I
C
, Modul
I
C
, Chip
225
200
175
150
125
100
75
250
200
150
100
50
50
25
0
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
CE
[V]
V
F
[V]
Datasheet
8
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ6.8ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
10
10
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
30 60 90
120 150 180 210 240 270 300
I
F
[A]
0
10
20
30
40
50
60
70
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJC
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀRectifierꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
1
300
Z
thJC
: Diode
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
275
250
225
200
175
150
125
100
75
0,1
0,01
50
i:
r
i
[K/W]: 0,0188
τ
i
[s]: 0,000587
0,027 0,082 0,955
1
2
3
4
0,127 0,13
0,0232
25
0,001
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
V
F
[V]
Datasheet
9
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
200
100
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
175
150
125
100
75
50
25
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
F
[V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
R
typ
10000
1000
100
0
20
40
60
80
T
NTC
[°C]
100 120 140 160
Datasheet
10
Vꢀ3.1
2017-08-21
FP150R12KT4
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
–
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
11
Vꢀ3.1
2017-08-21
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2017-08-21
©ꢀ2017ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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ꢀ
ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
