Infineon-Technologies-FS225R12OE4P
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
EconoPACK™+ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀbereits
aufgetragenemꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
EconoPACK™+ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/
pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 225A / I
CRM
= 450A
TypischeꢀAnwendungen
• Aufzugstechnik
TypicalꢀApplications
• Elevators
• Hochleistungsumrichter
• Hybrid-Nutzfahrzeuge
• Motorantriebe
• Highꢀpowerꢀconverters
• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles
• Motorꢀdrives
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀKurzschlussrobustheit
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit
• TrenchꢀIGBTꢀ4
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀshort-circuitꢀcapability
• Unbeatableꢀrobustness
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• T
vjꢀop
ꢀ=ꢀ150°C
• HoheꢀStoßstromfestigkeit
• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability
MechanischeꢀEigenschaften
• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• RoHSꢀkonform
MechanicalꢀFeatures
• Highꢀmechanicalꢀrobustness
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• RoHSꢀcompliant
•
Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrdivnung
Collector-emitterꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
CES
I
C nom
I
CRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
225
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
H
= 80°C, T
vj max
= 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
t
P
= 1 ms
450
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzendivnung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
V
GES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsdivnung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,85 2,15
2,10
2,15
V
V
V
V
CE sat
Gate-Schwellendivnung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
I
C
= 7,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V … +15 V
V
GEth
Q
G
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
1,55
3,3
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
T
vj
= 25°C
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
t
d on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
13,0
0,705
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
3,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,17
0,18
0,19
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
t
r
t
d off
t
f
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,34
0,45
0,47
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
0,06
0,09
0,10
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 5200 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
12,0
20,0
22,5
mJ
mJ
mJ
E
on
E
off
T
vj
= 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
I
C
= 225 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,75
Ω
T
vj
= 25°C
18,5
28,5
31,0
mJ
mJ
mJ
T
vj
= 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
I
SC
t
P
≤
10 µs,
T
vj
= 150°C
900
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,160 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrdivnung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
225
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
t
P
= 1 ms
450
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
11000
8200
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassdivnung
Forwardꢀvoltage
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1,65 2,10
1,65
1,65
V
V
V
V
F
I
RM
Q
r
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
I
F
= 225 A, – di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
270
300
305
A
A
A
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
I
F
= 225 A, – di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
24,0
45,5
54,5
µC
µC
µC
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
I
F
= 225 A, – di
F
/dt = 5200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
12,0
21,5
24,5
mJ
mJ
mJ
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
rec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
R
thJH
T
vj op
0,211 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
T
NTC
= 25°C
R
25
∆
R/R
P
25
k
Ω
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
T
NTC
= 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
– 1/(298,15 K))]
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfdivnung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
Isolationꢀtestꢀvoltage
V
ISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ
kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al
2
O
3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
18,5
12,6
ꢀ
mm
ꢀ
mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
16,0
10,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
L
sCE
R
CC’+EE’
T
stg
20
nH
m
Ω
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
T
H
ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
1,10
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
T
BPmax
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
M
G
3,00
3,0
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
–
Gewicht
Weight
924
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules => see AN2012-07
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ15ꢀV
T
vj
ꢀ=ꢀ150°C
450
450
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
375
300
225
150
75
375
300
225
150
75
0
0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(I
C
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
GE
)
V
CE
ꢀ=ꢀ20ꢀV
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Gon
ꢀ=ꢀ0.75ꢀ
Ω
,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ0.75ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
450
70
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
60
50
40
30
20
10
0
E
off
, T
vj
= 150°C
375
300
225
150
75
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
50 100
150 200 250 300 350 400 450
V
GE
[V]
I
C
[A]
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
E
on
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
),ꢀE
off
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI
C
ꢀ=ꢀ225ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
60
1
E
on
, T
vj
= 125°C
Z
thJH
: IGBT
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,0098
τ
i
[s]: 0,000642
0,0249 0,116
0,834
1
2
3
4
0,0537 0,0619 0,0346
0
0,01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
R
G
[
Ω
]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
I
F
ꢀ=ꢀfꢀ(V
F
)
I
C
ꢀ=ꢀfꢀ(V
CE
)
V
GE
ꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR
Goff
ꢀ=ꢀ0.75ꢀ
Ω
,ꢀT
vj
ꢀ=ꢀ150°C
500
450
I
C
, Modul
I
C
, Chip
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
450
375
300
225
150
75
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
CE
[V]
V
F
[V]
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(I
F
)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
E
rec
ꢀ=ꢀfꢀ(R
G
)
R
Gon
ꢀ=ꢀ0.75ꢀ
Ω
,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
I
F
ꢀ=ꢀ225ꢀA,ꢀV
CE
ꢀ=ꢀ600ꢀV
40
30
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
35
30
25
20
15
10
5
25
20
15
10
5
0
0
0
75
150
225
I
F
[A]
300
375
450
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R
G
[
Ω
]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
Z
thJH
ꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
1
100000
Z
thJH
: Diode
R
typ
10000
1000
100
0,1
i:
r
i
[K/W]: 0,0118
τ
i
[s]: 0,000639
0,0208 0,0917 0,674
1
2
3
4
0,0639 0,0941 0,0412
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
T
NTC
[°C]
100 120 140 160
t [s]
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS225R12OE4P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
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81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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preparedꢀby:ꢀZV
approvedꢀby:ꢀKV
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-07-29
revision:ꢀV2.0
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